講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-12-16 13:35
ドレイン接地によるデュアルバンドGaAs FET発振器 ○小野健一・高山洋一郎・藤田孝之・前中一介(兵庫県立大) エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2005-136 |
抄録 |
(和) |
GaAs FETを用いたドレイン接地による発振器のデュアルバンド化構成・設計法の実験的確認を行った.ドレイン接地回路におけるピーク負性コンダクタンス周波数のゲート付加線路長依存性を検討した.設計周波数を800/1500MHzとし,ゲート付加線路長を選定した.PINダイオードによりゲート付加線路長を変化させて800/1500MHzを切り替える構成の基本回路を決定した.出力電力および発振周波数の微調整を行うため負荷回路の最適化を行い,デュアルバンド発振器を試作した.その結果,本構成・設計法が有用であることを確認した. |
(英) |
Dual-band configuration and design method for oscillator using GaAs FET with common-drain configuration are proposed. On common-drain circuit a stub added to gate for peak negative conductance frequency is investigated. 800/1500MHz were chosen dual-band frequencies, and a stub added to gate is set by it. Fundamental circuits which switch a stub added to gate by PIN diode and choose 800/1500MHz are determined. A load circuit is optimized to adjust output power and oscillation frequency, and a dual-band oscillator is fabricated. As a result, this technique’s availability is verified. |
キーワード |
(和) |
ドレイン接地 / デュアルバンド / GaAs FET / 発振器 / / / / |
(英) |
Common-Drain / Dual-Band / GaAs FET / Oscillator / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 486, MW2005-136, pp. 49-54, 2005年12月. |
資料番号 |
MW2005-136 |
発行日 |
2005-12-09 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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