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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-12-09 10:25 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAsVCSEL ○鈴木尚文・畠山 大・阿南隆由・深津公良・屋敷健一郎・辻 正芳（NEC） エレソ技報アーカイブへのリンク：  LQE2005-113 |
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| 抄録 | （和） | 超高速計算機内のデータ転送速度増大のため、高速化、高密度化可能な光伝送の適用が検討されており、光源として消費電力、高密度集積に優れるVCSELが有望視されている。高速化と高信頼性の両立に適しているInGaAs/GaAs-QWを活性層としたVCSELを作製し、20Gbpsでの動作と初期信頼性を実証した。さらなる高速化には電気抵抗の低減が重要となるが、その手段としてType-?型トンネルジャンクションを用いた構造を提案する。 |
| （英） | Recently, there has been increasing demand for high-speed interconnections, especially for high-end computing systems. Optical interconnection is an attractive way to meet such a demand. A VCSEL is very suitable as a light source for optical interconnection due to its small size, low cost, and low power consumption. We have developed VCSELs based on InGaAs/GaAs-QWs, which are preferable to achieve high speed and high reliability at the same time. Error-free 20-Gbps operations were achieved and no degradation was observed in 70℃, 1000 hours of preliminary APC tests. We also propose VCSELs with type-II tunnel junctions to reduce electrical resistance for higher speed operation. | |
| キーワード | （和） | VCSEL / 光インターコネクション / InGaAs / トンネル接合 / / / / |
| （英） | VCSEL / optical interconnection / InGaAs / tunnel junction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 455, LQE2005-113, pp. 5-8, 2005年12月. | |
| 資料番号 | LQE2005-113 | |
| 発行日 | 2005-12-02 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2005-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2005-12-09 - 2005-12-09 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Lasers and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2005-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAsVCSEL |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.1μm-range InGaAs VCSEL for optical interconnection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | VCSEL / VCSEL |
| キーワード(2)（和/英） | 光インターコネクション / optical interconnection |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル接合 / tunnel junction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 尚文 / Naofumi Suzuki / スズキ ナオフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠山 大 / Hiroshi Hatakeyama / ハタケヤマ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿南 隆由 / Takayoshi Anan / アナン タカヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深津 公良 / Kimiyoshi Fukatsu / フカツ キミヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 屋敷 健一郎 / Kenichiro Yashiki / ヤシキ ケンイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 正芳 / Masayoshi Tsuji / ツジ マサヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-12-09 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2005-113 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.455 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-12-02 (LQE) |
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