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講演抄録/キーワード
講演名 2005-12-09 13:20
短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作
篠田和典北谷 健青木雅博日立)・向久保 優内田憲治魚見和久日本オプネクストエレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2005-117
抄録 (和) 10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型InGaAlAs系レーザを理論的、実験的に検討した。初めに理論検討により、高速性を維持しつつ動作電流を最小にする共振器長が数十μmの領域にあることを示した。次に、この短い共振器長を実現するレーザ構造として、高温高利得特性をもつInGaAlAs量子井戸活性層に集積プロセスが容易なInGaAsP分布帰還反射鏡(DBR)をバットジョイント集積した短共振器DBR構造を提案しプロトタイプを作製した。その結果、活性領域長75μmの短共振器DBRレーザにおいて、100℃における10Gbit/s低電流動作の記録値14mAを得た。また、短共振器DBRレーザでは共振器の縦モード選択性が高いため、通常の干渉露光法で作製した回折格子構造において95%以上の高い単一縦モード歩留まりが得られることが分かった。 
(英) InGaAlAs short-cavity DBR lasers are proposed to allow 1310-nm uncooled high-speed operation at low drive currents suitable for use in smaller-form-factor modules. We theoretically estimated that the optimum cavity length to achieve high-speed operations at low-drive current is in the range of 0.01 mm to 0.1 mm. We achieved 100 degree C, 10-Gb/s operation at a record low drive current of 14 mAp-p with a 0.075-mm-cavity laser. Furthermore, side-mode suppression ratio of more than 37 dB was achieved at a high yield of 95% in spite of using a conventional grating made by holographic exposure because of naturally high single-mode stability of our short-cavity laser structure.
キーワード (和) レーザ / 10Gbit/s / 直接変調 / InGaAlAs / 短共振器 / バットジョイント / /  
(英) Laser / 10 Gbit/s / Direct Modulation / InGaAlAs / Short Cavity / Butt Joint / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 455, LQE2005-117, pp. 21-24, 2005年12月.
資料番号 LQE2005-117 
発行日 2005-12-02 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2005-12-09 - 2005-12-09 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英) Semiconductor Lasers and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Short cavity InGaAlAs lasers for high-temperature 10-Gbit/s operations with ultra-low drive current 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レーザ / Laser  
キーワード(2)(和/英) 10Gbit/s / 10 Gbit/s  
キーワード(3)(和/英) 直接変調 / Direct Modulation  
キーワード(4)(和/英) InGaAlAs / InGaAlAs  
キーワード(5)(和/英) 短共振器 / Short Cavity  
キーワード(6)(和/英) バットジョイント / Butt Joint  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠田 和典 / Kazunori Shinoda / シノダ カズノリ
第1著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Labratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 北谷 健 / Takeshi Kitatani / キタタニ タケシ
第2著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Labratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 雅博 / Masahiro Aoki / アオキ マサヒロ
第3著者 所属(和/英) (株)日立製作所 中央研究所 (略称: 日立)
Central Research Labratory, Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 向久保 優 / Masaru Mukaikubo / ムカイクボ マサル
第4著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan (略称: Opnext)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 憲治 / Kenji Uchida / ウチダ ケンジ
第5著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan (略称: Opnext)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 魚見 和久 / Kazuhisa Uomi / ウオミ カズヒサ
第6著者 所属(和/英) 日本オプネクスト (略称: 日本オプネクスト)
Opnext Japan (略称: Opnext)
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講演者
発表日時 2005-12-09 13:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2005-117 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.455 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-LQE-2005-12-02 


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