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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-25 15:05 GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化 ○野上洋一・日坂隆行・吉田直人（三菱電機） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-179 SDM2005-198 |
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| 抄録 | （和） | AlGaAs/InGaAs PHEMTの高温高湿環境下の劣化機構について調べた。高温高湿環境下で劣化したサンプルはImaxの低下とVthの正のシフトを示した。PHEMTの劣化は主に2つの劣化メカニズムが考えられる、(1)絶縁保護膜の剥離に起因したゲート直下のストレス変化によるVthの正のシフト、(2) AlGaAsリセス表面の劣化と、絶縁膜/AlGaAs界面におけるGa、As、及びAlの拡散に起因したAlGaAs電子供給層のキャリア密度の減少によるImax低下である。さらに高温高湿環境下で電界が加わった場合、ゲート-ドレイン間の高電界領域において表面劣化が加速されるため、Imax低下の問題が顕著になる。 |
| （英） | We have studied the degradation mechanisms of AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTs (PHEMTs) under high humidity conditions. The degraded samples show a decrease in maximum drain current (Imax) and a positive shift in threshold voltage (Vth). The degradation of PHEMTs arises from mainly two mechanisms: (1) the positive shift in Vth due to stress change under the gate caused by the peeling of passivation films, and (2) the decrease in Imax due to the net carrier concentration reduction of the AlGaAs carrier supply layer caused by the combination of surface degradation at the AlGaAs recess regions and diffusion of Ga, As and Al at the interface between the passivation film and AlGaAs surface. Furthermore, the decrease in Imax becomes remarkable so that surface degradation is accelerated by a high electric field between gate and drain by being accompanied by an electric field under high humidity condition. | |
| キーワード | （和） | AlGaAs/InGaAs PHEMT / 信頼性 / 湿度 / 電界 / 表面劣化 / / / |
| （英） | AlGaAs/InGaAs PHEMT / Reliability / High humidity / Electric field / Surface degradation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 435, ED2005-179, pp. 37-41, 2005年11月. | |
| 資料番号 | ED2005-179 | |
| 発行日 | 2005-11-18 (R, ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-179 SDM2005-198 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | R ED SDM |
| 開催期間 | 2005-11-25 - 2005-11-25 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | 半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性，信頼性一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-11-R-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | -- |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaAs/InGaAs PHEMT / AlGaAs/InGaAs PHEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 湿度 / High humidity |
| キーワード(4)（和/英） | 電界 / Electric field |
| キーワード(5)（和/英） | 表面劣化 / Surface degradation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野上 洋一 / Yoichi Nogami / ノガミ ヨウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi (略称： Mitsubishi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日坂 隆行 / Takayuki Hisaka / ヒサカ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi (略称： Mitsubishi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 直人 / Naohito Yoshida / ヨシダ ナオト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi (略称： Mitsubishi) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-25 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | R2005-44, ED2005-179, SDM2005-198 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.434(R), no.435(ED), no.436(SDM) |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2005-11-18 (R, ED, SDM) |
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