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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-25 15:55 ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討 ○葛西誠也・小谷淳二・長谷川英機・橋詰 保（北大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2005-181 SDM2005-200 |
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| 抄録 | （和） | ショットキーゲートGaN系ヘテロ構造FET(HFET)に関し，ナノメートルサイズまでゲート長を短縮した際に生じる特有のゲートリーク電流，および，ゲート制御性のスケーリング異常について，理論的・実験的検討を行った．ナノメートルショットキーゲートでは，ゲート端と表面電位の差によって形成される強電界領域をキャリアがトンネルするため生じる，横方向リーク電流が顕著に生じる．またそのゲート制御特性は，この横方向電流成分により引き起こされたゲート端近傍の表面電位の変化：仮想ゲートにより支配され，スケーラビィリティが失われる．この機構がGaN系材料で固有のものである要因についても考察する． |
| （英） | Anomalous gate leakage current and gate control anomaly in AlGaN/GaN HFETs having nanometer-scale Schottky gates were investigated both experimentally and theoretically. It was found that the gate leakage current in the nanometer-scale Schottky gates consisted a lateral tunneling current at the gate edge through the high electric field domain at gate periphery due to large potential difference between the gate metal and the AlGaN surface. The gate control characteristics of nanometer-scale Schottky gate was indicated to be controlled by a so called virtual gate, where the surface potential at the gate periphery was modulated by the lateral gate leakage current, and it should degrade the scalability of the gate control. | |
| キーワード | （和） | GaN / HFET / ナノメートルショットキーゲート / ゲートリーク電流 / 仮想ゲート / / / |
| （英） | GaN / HFET / nanometer-scale Schottky gate / gate leakage current / virtual gate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 435, ED2005-181, pp. 47-52, 2005年11月. | |
| 資料番号 | ED2005-181 | |
| 発行日 | 2005-11-18 (R, ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2005-181 SDM2005-200 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | R ED SDM |
| 開催期間 | 2005-11-25 - 2005-11-25 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | 半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性，信頼性一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-11-R-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of gate leakage current and gate control anomalies in nanometer-scale Schottky gate AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | ナノメートルショットキーゲート / nanometer-scale Schottky gate |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | 仮想ゲート / virtual gate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 英機 / Hideki Hasegawa / ハセガワ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-25 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | R2005-46, ED2005-181, SDM2005-200 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.434(R), no.435(ED), no.436(SDM) |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-11-18 (R, ED, SDM) |
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