講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-11-12 13:00
有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討 ○槻尾浩一・竹内正樹・森下和哉・清水英彦・丸山武男・川上貴浩(新潟大)・星 陽一(東京工芸大) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-170 |
抄録 |
(和) |
透明有機EL素子用のITO薄膜の低温作製を検討するために,RF-DC結合型スパッタ法を用いてITO薄膜を作製した。その結果,50℃以下の低温でITO膜の作製が可能であった。また,この方法により作製したITO膜は,全てアモルファスであり,膜の表面粗さが1nm以下,仕事関数が約4.8eV,抵抗率が約5×10-4Ω・cmの値を示した。RF-DC結合型スパッタ法により作製したITO膜を有機EL素子の陽極電極として使用した場合,市販のネサガラスを使用した場合に比べ,素子特性は劣るものの,この方法で作製したITO薄膜を陽極電極に適用しても発光を確認することができた。 |
(英) |
In order to examine deposition method of the ITO films for transparent organic light emitting diode (OLED) at the low-temperature, the ITO films was prepared by RF-DC coupled magnetron sputtering (RF-DC MS) method. As a result, ITO films deposited by the RF-DC MS method obtained at temperature below 50℃. ITO films deposited by the RF-DC MS method were amorphous and those films had surface roughness (Ra) below 1nm, work function of about 4.8eV and resistivity of 5×10-4Ω・cm. Compared with the luminescence and electrical characteristic of an OLED used nesa glass, the OLED used the ITO film deposited by RF-DC MS method had poor luminescence and electrical characteristic. However, luminescence was able to be observed from the OLED which used the ITO film deposited by RF-DC MS method. |
キーワード |
(和) |
ITO薄膜 / RF-DC結合型スパッタ法 / 低温製膜 / アモルファス / 有機EL素子 / / / |
(英) |
ITO thin film / RF-DC coupled magnetron sputtering method / low temperature deposition / amorphous / organic light emitting diodes (OLEDs) / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-170, pp. 43-48, 2005年11月. |
資料番号 |
CPM2005-170 |
発行日 |
2005-11-05 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-170 |