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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-12 10:40 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 ～ 基板表面の窒化処理効果 ～ ○澤崎尚樹・小林隆弘・趙 明秀・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-165 |
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| 抄録 | （和） | Si基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si基板上にMOVPE法を用いて成長させたGaN膜は凹凸の激しい表面になる。今回、その原因解明と対応策について検討した。凹凸形成の原因は、GaNバッファが島状成長し、GaNバッファが成長していないSiC表面からGaN膜が直接成長したためである。さらに、GaNバッファ成長前に基板表面の窒化処理を導入することにより、平坦なGaN成長膜を得ることができることを明らかにした。 |
| （英） | When a MOVPE GaN film is grown on a 3c-SiC/Si template formed by C+-ion implantation into Si, the surface of the grown film becomes very rough. The reason for the roughening the surface is clarified to be due to both the island growth of GaN buffer and the direct growth of the epitaxial film at portions of the SiC surface without buffer. It is found that a GaN film with a smooth surface, comparable to that for a film grown on sapphire, can be obtained by employing a nitridation process of the template just before the GaN buffer growth. | |
| キーワード | （和） | GaN / Si / SiC / MOVPE / 窒化処理 / / / |
| （英） | GaN / Si / SiC / MOVPE / nitridation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-165, pp. 17-20, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-165 | |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 |
| サブタイトル（和） | 基板表面の窒化処理効果 |
| タイトル（英） | MOVPE growth of GaN on 3c-SiC/Si template |
| サブタイトル（英） | Nitridation effects of template surface |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 窒化処理 / nitridation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤崎 尚樹 / Naoki Sawazaki / サワザキ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆弘 / Takahiro Kobayashi / コバヤシ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 趙 明秀 / Myung Soo Cho / チョウ ミョンス |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あきお / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 慶文 / Yoshifumi Ito / イトウ ヨシフミ |
| 第6著者 所属（和/英） | (財)若狭湾エネルギー研究センター (略称： 若狭湾エネルギー研究センター) Wakasa-wan Energy Research Center (略称： Wakasa-wan Energy Research Center) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-12 10:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-165 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.394 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) |
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