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| 講演名 | 2005-11-12 09:25 バルクGaN基板上へのInN膜のMOVPE 成長と評価 ○ワン ウェンジュン・三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-162 |
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| 抄録 | （和） | バルクGaN基板上へのIn極性、N極性InN膜のMOVPE成長について検討した。Ga極性GaN基板上にはIn極性のInNが、N極性GaN基板上へはN極性InNが成長することを確認した。InN膜の表面モフォロジは極性によって顕著な違いがあった。In極性のInN膜は小さなファセットを持った凹凸のあるモフォロジを示した。一方、N極性のInN膜は表面が平坦で比較的大きな六角形グレインを持つ膜となった。また、In極性、N極性InN膜については、比較的良質の膜が得られる成長温度の上限にも差があり、上限成長温度はIn極性膜の方が高いことがわかった。これは、MOVPE成長中ではN極性InN膜が水素によって比較的低温で劣化するためであると考えられる。 |
| （英） | Single-crystalline In- and N-polarity InN films on bulk GaN substrate were successfully grown by MOVPE. The InN layers grown on Ga- and N-face GaN substrates have In- and N-polarity, respectively. Significant difference in the morphologies between the In- and N-polarity InN films was found. For the In-polarity InN film, the surface is consisted of grains with small facets. In contrast, for the N-polarity InN film, the surface is consisted of large hexagonal crystal grains with flat surface. Different stable growth temperature for N- and In-polarity InN growth by MOVPE was also found. The upper limit of the growth temperature for In-polarity InN is higher than that for an N-polarity film. The effect of hydrogen is supposed to be responsible for the unstable behavior of N-polarity InN in the MOVPE growth. | |
| キーワード | （和） | 極性 / MOVPE / InN / GaN基板 / / / / |
| （英） | polarity / MOVPE / InN / bulk GaN / substrate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-162, pp. 5-8, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-162 | |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | バルクGaN基板上へのInN膜のMOVPE 成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of MOVPE InN Films on Bulk GaN Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極性 / polarity |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(4)（和/英） | GaN基板 / bulk GaN |
| キーワード(5)（和/英） | / substrate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ワン ウェンジュン / Wen-Jun Wang / ワン ウェンジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 浩士 / Hiroshi Miwa / ミワ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 泰彦 / Yasuhiko Nagai / ナガイ ヤスヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あきお / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-12 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-162 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.394 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) |
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