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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-12 09:00 MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・橋本明弘・山本あきお（福井大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-161 |
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| 抄録 | （和） | 常圧MOVPE成長InN膜におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果を検討した。エッチング時間の増加に伴ない、GaN結晶粒の数が減少し、その結果InN結晶粒の大きさが増大した。GaNバッファ層に10分間エッチングを施したとき、InN結晶粒の大きさはバッファ層を用いず成長させたInN結晶粒に比べ大きくなった。エッチング時間が5分以下のとき、InN結晶粒1つが平均して10個のGaNバッファの結晶粒から成長した。エッチング時間が８～10分のとき、InN結晶粒１つがGaN結晶粒１つから成長した。またサファイア基板上のIn原子やN原子などの拡散長は１μｍ以上あるとわかった。InNの結晶成長が促進したにもかかわらず、電気的特性はエッチングを施さなかったInN膜と同程度であった。 |
| （英） | The KOH etching effects of a GaN buffer in the MOVPE growth of InN on sapphire have been studied. With increasing etching time, the number of GaN grains is decreased and, as a result of that, the grain size of InN is markedly increased. The grain size of InN grown on the 10 min-etched GaN buffer is larger than that of a film grown without GaN buffer. When the GaN etching time is less than 5 min, one InN grain is grown on about ten GaN grains on average. For the etching time of 8-10 min, one GaN grain acts as a nucleation center for one InN grain and no InN nucleation occurs in the areas without GaN grains on the sapphire substrate. The diffusion length of InN species on the sapphire substrate is estimated to be about 1 μm or more. In spite of the enhanced grain growth of InN films grown on the etched buffers, their electrical properties are almost same as those grown without etching. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / InN / GaN バッファー / KOH エッチング / 結晶粒 / / / |
| （英） | MOVPE / InN / GaN buffer / KOH etching / grain growth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-161, pp. 1-4, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-161 | |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | KOH etching effects of GaN buffer in MOVPE growth of InN on sapphire substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN バッファー / GaN buffer |
| キーワード(4)（和/英） | KOH エッチング / KOH etching |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶粒 / grain growth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 泰彦 / Yasuhiko Nagai / ナガイ ヤスヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 浩士 / Hiroshi Miwa / ミワ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あきお / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-12 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-161 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.394 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) |
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