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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-12 10:15 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 ○趙 明秀・小林隆弘・澤崎尚樹・橋本明弘・山本あきお（福井大）・伊藤慶文（若狭湾エネルギー研究センター） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-164 |
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| 抄録 | （和） | Si(111)基板へのC+イオン注入により作製した3c-SiC/Si(111)構造基板上へMOVPE成長させたInN膜と同成長条件で行ったサファイア基板上InN膜を比較研究した。3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、GaNバッファ層成長の直前に3c-SiC/Si(111)構造基板の窒化処理（900℃、30分）を導入した結果、GaNバッファ層の島状成長は抑制され、結晶粒が小さい均一なGaNバッファ層が得られた。その結果、窒化処理を導入した3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の表面モフォロジは、サファイア基板上膜表面と顕著な差がみられなかった。さらに、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜の電気的・光学的特性もサファイア基板上膜とほぼ同等な品質のInN膜が得られた。このように、3c-SiC/Si(111)構造基板上InN膜のMOVPE成長において、基板の窒化処理を導入することにより高品質なInN膜が得られることがわかった。 |
| （英） | In this paper, We describe the comparison between MOVPE InN films grown on a 3c-SiC/Si(111) template formed by C+-ion implantation into Si(111) and on a sapphire in the same run. The nitridation of 3c-SiC/Si(111) template at 900ºC for 30min is employed just before the GaN buffer growth. A GaN buffer grown on the nitrided template is uniform, whereas a GaN buffer layer on an un-nitrided template shows island growth. The surface morphology of InN films grown on the nitrided template is similar to that for a film grown on a sapphire substrate. Electrical and optical properties of the InN film grown on the nitrided 3c-SiC/Si(111) template are also comparable to those for an InN film grown on sapphire. Thus, the nitridation of 3c-SiC/Si(111) template is effective to obtain high-quality InN film. | |
| キーワード | （和） | InN / MOVPE / Si / Cイオン注入 / SiC / 窒化処理 / / |
| （英） | InN / MOVPE / Si / C-implantation / SiC / nitridation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 394, CPM2005-164, pp. 13-16, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-164 | |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-164 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of high-quality InN on 3c-SiC/Si template |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | Cイオン注入 / C-implantation |
| キーワード(5)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化処理 / nitridation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 趙 明秀 / Myung Soo Cho / チョウ ミョンス |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 隆弘 / Takahiro Kobayashi / コバヤシ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤崎 尚樹 / Naoki Sawazaki / サワザキ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 明弘 / Akihiro Hashimoto / ハシモト アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 あきお / Akio Yamamoto / ヤマモト アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 慶文 / Yoshifumi Ito / イトウ ヨシフミ |
| 第6著者 所属（和/英） | (財)若狭湾エネルギー研究センター (略称： 若狭湾エネルギー研究センター) Wakasa-wan Energy Research Center (略称： Wakasa-wan Energy Research Center) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-12 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-164 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.394 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-11-05 (CPM) |
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