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講演抄録/キーワード
講演名 2005-11-11 13:30
NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性
岩坪 聡清水孝晃富山県工技センター)・津幡 健桑原大輔北陸電気工業)・谷野克巳富山県工技センターエレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-152
抄録 (和) 抵抗温度係数 Temperature Coefficient of Resistance (TCR) は,薄膜抵抗器にとって重要な特性である.しかしこれまでは,その要因として膜の材料特性のみが議論されていたが,TCRが0に近い範囲の変化を考えた場合,抵抗体にかかる熱歪と応力の効果は無視することはできないと考えられる.そこで,熱膨張係数の異なる石英とアルミナの基板上に,膜厚をパラメータとしてRFマグネトロンスパッタ法とインビームスパッタ法を用いて膜構造の異なるNiCrスパッタ膜を作製し,膜の抵抗率とTCRの膜厚依存性を調べた.膜の硬さと弾性率などの機械的特性は,ナノインデンテーション法により測定した.作製方法によってNiCr膜の構造と機械的特性は非常に異なっていたが,膜厚と基板の違いによる膜構造の変化は見られなかった.しかし,作製された膜のTCRは,強い膜厚依存性を示すとともに,基板の違いによって最大60 ppm/Kの範囲で非常に大きく変化した.そこで,ナノインデンテション法から求められた値を用いて,有限要素シミュレーションから膜の熱歪を計算し,その熱歪とTCRの関係を調べた.その結果,膜のTCRは膜の弾性率や膜厚をパラメータとした熱歪と比例関係にあることが明らかになった 
(英) Temperature Coefficient of Resistance (TCR) is an important property for the film resistance. So far, the factor mainly discussed the only characteristics of the films. To take small change of TCR around zero into the consideration, effect of thermal strain and thermal stress of the film on TCR canユt be neglected. NiCr films on substrates of silica glass and alumina with different coefficient of expansion were deposited by RF magnetron sputtering and ion-beam sputtering as a parameter of film thickness tF. The tF dependence of electrical properties of resistivity r and TCR was investigated. The mechanical properties of Martens hardness HM and indentation modulus E of the films were measured by nanoindentation measurement. The structure and mechanical properties of the films were very different between the sputtering methods. The structure and r of the films on the substrate of silica glass and alumina were almost same. However, TCR of the films strongly depended on both of tF and the substrates. The difference of TCR was up to 60 ppm/K. The value and distribution of thermal strain lT of the films were estimated by FEM simulation. It was found that the value of TCR was proportional to lT as parameters of tF and E of the films.
キーワード (和) 抵抗温度係数(TCR) / NiCr / 薄膜 / スパッタリング / 機械的特性 / 電気的特性 / /  
(英) Temperature Coefficient of Resistance (TCR) / NiCr / film / sputtering / mechanical properties / electrical properties / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 393, CPM2005-152, pp. 1-6, 2005年11月.
資料番号 CPM2005-152 
発行日 2005-11-04 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-152

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2005-11-11 - 2005-11-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2005-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Thermal Strain and Temperature Coefficient of Resistance (TCR) of NiCr Thin Films Deposited by Sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗温度係数(TCR) / Temperature Coefficient of Resistance (TCR)  
キーワード(2)(和/英) NiCr / NiCr  
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / film  
キーワード(4)(和/英) スパッタリング / sputtering  
キーワード(5)(和/英) 機械的特性 / mechanical properties  
キーワード(6)(和/英) 電気的特性 / electrical properties  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩坪 聡 / Satoshi Iwatsubo / イワツボ サトシ
第1著者 所属(和/英) 富山県工業技術センター (略称: 富山県工技センター)
Toyama Industrial Techonogy Center (略称: Toyama Industrial Techonogy Center)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 孝晃 / Takaaki Shimizu / シミズ タカアキ
第2著者 所属(和/英) 富山県工業技術センター (略称: 富山県工技センター)
Toyama Industrial Techonogy Center (略称: Toyama Industrial Techonogy Center)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 津幡 健 / Ken Tsubata / ツバタ ケン
第3著者 所属(和/英) 北陸電気工業 (略称: 北陸電気工業)
Hokuriku Electric Industry Co.,Ltd. (略称: HDK)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 大輔 / Daisuke Kuwahara / クワハラ ダイスケ
第4著者 所属(和/英) 北陸電気工業 (略称: 北陸電気工業)
Hokuriku Electric Industry Co.,Ltd. (略称: HDK)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷野 克巳 / Katsumi Tanino / タニノ カツミ
第5著者 所属(和/英) 富山県工業技術センター (略称: 富山県工技センター)
Toyama Industrial Techonogy Center (略称: Toyama Industrial Techonogy Center)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-11-11 13:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2005-152 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.393 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2005-11-04 (CPM) 


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