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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-11-11 16:15 自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製 ○鈴木光夫・ファチャムルン ラッタナット・余川奈保美・岡上久美・濱崎勝義（長岡技科大） エレソ技報アーカイブへのリンク：  CPM2005-158 |
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| 抄録 | （和） | $Bi_{2}Sr_2CaCu_2O_ｙ$(Bi-2212) スタック型固有Josephson接合を作製するために自己平坦化法を開発した．この方法は接合窓以外のBi-2212単結晶を希塩酸により改質させるものである．改質された絶縁層はスタック（Josephson接合のナノアレイ）の自己平坦化層となるため，SiO_2等の平坦化用薄膜を新たに成膜する必要がない．そのため，従来のArイオンミリングを用いたプロセスを大幅に簡略化できる．この方法で作製したBi-2212スタック型素子は，77KにおいてもI-V特性上に明瞭なブランチ構造が観測され，超伝導量子干渉素子(SQUID)への応用が期待できる． |
| （英） | We developed self-planarizing process for the fabrication of stacked Bi_2Sr_2CaCu_2O_y(Bi-2212) intrinsic Josephson junctions. In this process, the Bi-2212 single crystal around the junction window was changed to insulator by soaking it into the solution of dilute hydrochloric acid. The insulating acid-treated layer acts as the planarizing layer of the stacks. The stacks fabricated by this process exhibited clear multiple-branching I-V characteristics even at 77K. This process may be useful for the further study of the Bi-2212 stacks or in the future device applications. | |
| キーワード | （和） | Bi-2212スタック型素子 / 固有Josephson接合 / 自己平坦化法 / / / / / |
| （英） | Bi-2212 stacked device / intrinsic Josephson junction / self-planarizing process / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 393, CPM2005-158, pp. 33-38, 2005年11月. | |
| 資料番号 | CPM2005-158 | |
| 発行日 | 2005-11-04 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2005-158 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2005-11-11 - 2005-11-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2005-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己平坦化法によるBi-2212スタックの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Bi-2212 stacks by self-planarizing process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Bi-2212スタック型素子 / Bi-2212 stacked device |
| キーワード(2)（和/英） | 固有Josephson接合 / intrinsic Josephson junction |
| キーワード(3)（和/英） | 自己平坦化法 / self-planarizing process |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 光夫 / Mitsuo Suzuki / スズキ ミツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ファチャムルン ラッタナット / Ruttanut Fachamroon / ファチャムルン ラッタナット |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 余川 奈保美 / Naomi Yokawa / ヨカワ ナオミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡上 久美 / Kumi Okanoue / オカノウエ クミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱崎 勝義 / Katsuyoshi Hamasaki / ハマサキ カツヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-11-11 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2005-158 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.393 |
| ページ範囲 | pp.33-38 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-11-04 (CPM) |
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