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講演抄録/キーワード
講演名 2005-10-20 13:00
a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ
笠野真弘稲葉雄一森 三佳春日繁孝村田隆彦山口琢己松下電器エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2005-124
抄録 (和) 検出回路アンプの4画素共有化技術と新規駆動方式により、1画素あたりのトランジスタ数1.5個を実現し、0.15μmの微細設計ルールを採用することで、約40%の配線面積の削減を実現した。さらに、アモルファスシリコン(a-Si)からなるカラーフィルタを開発し、有機顔料カラーフィルタに比べ1/10の薄型化を達成し、高集光率を実現した。結果として、30%の開口率を有する2.0μm画素サイズMOSイメージセンサを実現した。 
(英) We have developed a 2.0 x 2.0 μm2 pixel size MOS image sensor with a high aperture ratio of 30%. The key technologies are a newly developed pixel circuit configuration that shares an amplifying circuit among four pixels, a fine design rule of 0.15um and a thin color filter made up of amorphous silicon. In the new pixel circuit configuration, the unit pixel has 1.5 transistors. The design rule of 0.15 μm enables reduction of wiring area by 40%. The newly developed color filter achieves a thickness of 1/10 of that of the conventional organic pigment color filter giving rise to high light collection efficiency.
キーワード (和) MOSイメージセンサ / 画素構成 / 駆動方法 / カラーフィルタ / アモルファスシリコン / / /  
(英) MOS image sensor / pixel configuration / driving method / color filter / amorphous silicon / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 351, ICD2005-124, pp. 55-59, 2005年10月.
資料番号 ICD2005-124 
発行日 2005-10-13 (SIP, ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2005-124

研究会情報
研究会 SIP ICD IE IPSJ-SLDM  
開催期間 2005-10-20 - 2005-10-21 
開催地(和) 作並温泉一の坊 
開催地(英) Ichinobo, Sakunami-Spa 
テーマ(和) プロセッサ、DSP、画像処理技術及び一般 (オーガナイザ:亀山充隆 (東北大学)) 
テーマ(英) Processor, DSP, Image Engineering and etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2005-10-SIP-ICD-IE-IPSJ-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 2.0μm Pixel Pitch MOS Image Sensor with an Amorphous Si Film Color Filter 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOSイメージセンサ / MOS image sensor  
キーワード(2)(和/英) 画素構成 / pixel configuration  
キーワード(3)(和/英) 駆動方法 / driving method  
キーワード(4)(和/英) カラーフィルタ / color filter  
キーワード(5)(和/英) アモルファスシリコン / amorphous silicon  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠野 真弘 / Masahiro Kasano / カサノ マサヒロ
第1著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 雄一 / Yuichi Inaba / イナバ ユウイチ
第2著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 三佳 / Mitsuyoshi Mori / モリ ミツヨシ
第3著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 春日 繁孝 / Shigetaka Kasuga / カスガ シゲタカ
第4著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 村田 隆彦 / Takahiko Murata / ムラタ タカヒコ
第5著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 琢己 / Takumi Yamaguchi / ヤマグチ タクミ
第6著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd (略称: MEI)
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講演者
発表日時 2005-10-20 13:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SIP2005-105,IEICE-ICD2005-124,IEICE-IE2005-69 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.349(SIP), no.351(ICD), no.353(IE) 
ページ範囲 pp.55-59 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SIP-2005-10-13,IEICE-ICD-2005-10-13,IEICE-IE-2005-10-13 


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