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講演抄録/キーワード
講演名 2005-10-13 16:40
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響
澤田孝幸米田里志高橋健輔北海道工大)・金 聖祐鈴木敏正日本工大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62
抄録 (和) Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、実効的ショットキー障壁高さ(SBH)を0.1-0.2eV低下させ、逆方向リーク電流を増大させる。一方、窒素中における熱処理は、SBHの増大とリーク電流の減少に極めて有効である。最適熱処理温度は、Al組成比および酸化膜の有無に依存する。薄い陽極酸化Al2O3膜をi-AlGaN上に形成した試料では、リーク電流が10-6 A/cm2まで大幅に減少した。i-AlGaN(x=0.20)/GaNベア試料のHall効果測定から、ウェット酸素中では600℃の熱処理温度でも、2DEGの移動度が大幅に減少することを示した。 
(英) Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky gate structures were investigated. Existence of surface native oxide degraded the effective Schottky barrier height (SBH) by 0.1-0.2 eV, accompanied with significant increase of the reverse leakage current. Annealing in N2 improved the effective SBH and the leakage current. The optimum temperature depended on both the surface preparation condition and the Al composition. Addition of a thin anodic Al2O3 layer onto i-AlGaN effectively reduced the leakage current down to 10-6 A/cm2. Hall effect measurements of bare i-AlGaN(x=0.20)/GaN samples revealed that the annealing in wet-O2 even at 600℃ led to degradation of the electron mobility in 2DEG.
キーワード (和) GaN / AlGaN/GaN / ヘテロ構造 / ショットキー / 熱処理 / 電気的特性 / /  
(英) GaN / AlGaN/GaN / Heterostructure / Schottky / Thermal Annealing / Electrical Properties / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 325, ED2005-135, pp. 79-84, 2005年10月.
資料番号 ED2005-135 
発行日 2005-10-06 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2005-10-13 - 2005-10-15 
開催地(和) 立命館大学 
開催地(英) Ritsumeikan Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 (窒化物半導体国際ワークショップ) 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2005-10-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical Properties of Ni/i-AlGaN/GaN Gate Structures and Influence of Termal Annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN  
キーワード(3)(和/英) ヘテロ構造 / Heterostructure  
キーワード(4)(和/英) ショットキー / Schottky  
キーワード(5)(和/英) 熱処理 / Thermal Annealing  
キーワード(6)(和/英) 電気的特性 / Electrical Properties  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤田 孝幸 / Takayuki Sawada / サワダ タカユキ
第1著者 所属(和/英) 北海道工業大学 (略称: 北海道工大)
Hokkaido Institute of Technology (略称: Hokkaido Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 米田 里志 / Satoshi Yoneta / ヨネタ サトシ
第2著者 所属(和/英) 北海道工業大学 (略称: 北海道工大)
Hokkaido Institute of Technology (略称: Hokkaido Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 健輔 / Kensuke Takahashi / タカハシ ケンスケ
第3著者 所属(和/英) 北海道工業大学 (略称: 北海道工大)
Hokkaido Institute of Technology (略称: Hokkaido Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 聖祐 / Seong-Woo Kim / キ ム
第4著者 所属(和/英) 日本工業大学 (略称: 日本工大)
Nippon Institute of Technology (略称: Nippon Inst. Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 敏正 / Toshimasa Suzuki / スズキ トシマサ
第5著者 所属(和/英) 日本工業大学 (略称: 日本工大)
Nippon Institute of Technology (略称: Nippon Inst. Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-10-13 16:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2005-135, CPM2005-122, LQE2005-62 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.325(ED), no.327(CPM), no.329(LQE) 
ページ範囲 pp.79-84 
ページ数
発行日 2005-10-06 (ED, CPM, LQE) 


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