講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-10-13 16:40
Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔(北海道工大)・金 聖祐・鈴木敏正(日本工大) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62 |
抄録 |
(和) |
Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、実効的ショットキー障壁高さ(SBH)を0.1-0.2eV低下させ、逆方向リーク電流を増大させる。一方、窒素中における熱処理は、SBHの増大とリーク電流の減少に極めて有効である。最適熱処理温度は、Al組成比および酸化膜の有無に依存する。薄い陽極酸化Al2O3膜をi-AlGaN上に形成した試料では、リーク電流が10-6 A/cm2まで大幅に減少した。i-AlGaN(x=0.20)/GaNベア試料のHall効果測定から、ウェット酸素中では600℃の熱処理温度でも、2DEGの移動度が大幅に減少することを示した。 |
(英) |
Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky gate structures were investigated. Existence of surface native oxide degraded the effective Schottky barrier height (SBH) by 0.1-0.2 eV, accompanied with significant increase of the reverse leakage current. Annealing in N2 improved the effective SBH and the leakage current. The optimum temperature depended on both the surface preparation condition and the Al composition. Addition of a thin anodic Al2O3 layer onto i-AlGaN effectively reduced the leakage current down to 10-6 A/cm2. Hall effect measurements of bare i-AlGaN(x=0.20)/GaN samples revealed that the annealing in wet-O2 even at 600℃ led to degradation of the electron mobility in 2DEG. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlGaN/GaN / ヘテロ構造 / ショットキー / 熱処理 / 電気的特性 / / |
(英) |
GaN / AlGaN/GaN / Heterostructure / Schottky / Thermal Annealing / Electrical Properties / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 325, ED2005-135, pp. 79-84, 2005年10月. |
資料番号 |
ED2005-135 |
発行日 |
2005-10-06 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
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