講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-09-09 14:30
[招待講演]オンチップ伝送線路配線技術 ○益 一哉・岡田健一・伊藤浩之(東工大) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-104 ICD2005-114 |
抄録 |
(和) |
Si CMOSはスケーリング則を指導原理とした微細化により、高速、低消費電力、高密度化を実現してきた。しかし、回路規模が大きくなるにつれて、長距離配線による遅延が回路全体の性能を律速するようになってきた。配線をRC線路と考えた場合、従来はリピータを適宜挿入して配線遅延を減少させる手法がとられてきた。そもそも線路長が伝送している信号波長に対して無視できなくなると、線路は伝送線路として扱う必要がある。我々のグループではオンチップ上の伝送線路導入の可能性について検討してきた。線路構造、1対1伝送回路の設計と評価を行い、これら結果を用いて180nm、90nm、45nm世代に伝送線路配線を導入したときの性能予測を行った。伝搬遅延時間の観点からは伝送線路が有利であり、消費電力の観点においても世代が進むにつれ伝送線路配線の有利性がでてくることを示した。 |
(英) |
Recent Si CMOS performance becomes to be limited by the long global interconnect characteristics. In this paper, we discuss the performance of transmission line interconnect on Si CMOS chip. Interconnect line structure, design and evaluation of signal transmission of Tx/TR-Line/Rx circuit, and estimation and prediction of signal delay and power consumption of global interconnect in 180nm, 90nm and 45nm technology node are presented. In sub 100nm node, signal delay and power consumption of transmission line interconnect are both superior to those using the conventional RC global interconnect with repeaters. |
キーワード |
(和) |
Si CMOS / 伝送線路配線 / 配線長分布 / / / / / |
(英) |
Si CMOS / Transmission Line Interconnect / Interconnect Length Distribution / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 266, CPM2005-104, pp. 47-52, 2005年9月. |
資料番号 |
CPM2005-104 |
発行日 |
2005-09-02 (CPM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-104 ICD2005-114 |