お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2005-09-09 10:55
非鉛バンププロセスの高性能化
江澤弘和瀬戸雅晴樋口和人東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-99 ICD2005-109
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Electroplated solder bumps allow much finer pitch interconnection for high I/O applications, although controlling the alloy deposition is challenging.
To overcome problems concerning alloy plating, we have developed the Pb-free bumping process to employ multi-stack electroplating and it has been qualified to exhibit wide versatility of solder materials and compositions.
In this study, from the reliability viewpoint of solder joints, the integrity of the stack plating process is discussed. Emphasis is placed on void formation in the stack-plated bumps.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Lead-free / bumping / electroplating / void / degassing / Sn based alloy / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 266, CPM2005-99, pp. 17-22, 2005年9月.
資料番号 CPM2005-99 
発行日 2005-09-02 (CPM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2005-99 ICD2005-109

研究会情報
研究会 ICD CPM  
開催期間 2005-09-08 - 2005-09-09 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術 (オーガナイザ: 大塚寛治(明星大学)) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2005-09-ICD-CPM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) 非鉛バンププロセスの高性能化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Lead-free bumping and its process integrity for fine pitch interconnects 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Lead-free  
キーワード(2)(和/英) / bumping  
キーワード(3)(和/英) / electroplating  
キーワード(4)(和/英) / void  
キーワード(5)(和/英) / degassing  
キーワード(6)(和/英) / Sn based alloy  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 江澤 弘和 / Hirokazu Ezawa / エザワ ヒロカズ
第1著者 所属(和/英) 東芝セミコンダクター社 (略称: 東芝)
Toshiba Semiconductor Company (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀬戸 雅晴 / Masaharu Seto / セト マサハル
第2著者 所属(和/英) 東芝セミコンダクター社 (略称: 東芝)
Toshiba Semiconductor Company (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 樋口 和人 / Kazuhito Higuchi / ヒグチ カズヒト
第3著者 所属(和/英) 東芝生産技術研究所 (略称: 東芝)
Toshiba Corporate Manufacturing Engineering Center (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2005-09-09 10:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2005-99,IEICE-ICD2005-109 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.266(CPM), no.268(ICD) 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2005-09-02,IEICE-ICD-2005-09-02 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会