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講演抄録/キーワード
講演名 2005-08-19 11:35
poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ~ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ~
由上二郎ルネサステクノロジ)・嶋本泰洋日立)・井上真雄水谷斉治林 岳志賀克哉藤田文子土本淳一大野吉和米田昌弘ルネサステクノロジエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-149 ICD2005-88
抄録 (和) SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術を用いて仕事関数制御がデバイス特性に及ぼす影響を検証するとともに本技術が低消費電力デバイスの特性向上をに有効であることを見出した。Hf系絶縁膜とpoly-Si電極の組み合わせでは、フェルミレベルピニングによるVth増大が大きな課題であるが、そのメリットを享受する方向性を提案する。 
(英) Gate work-function (WF) is controlled by incorporating sub-monolayer Hf at SiON/poly-Si interface. This technique provides us significant improvement of the performance in low power devices. This benefit is originated in the microscopic chemistry in Hf-based high-K near gate electrode, which is usually cold as “Fermi Level Pinning”. Then, what is a merit of “Fermi Level Pinning”?
キーワード (和) 仕事関数 / Hf / ゲート電極 / フェルミ レベル ピニング / 低消費電力 デバイス / / /  
(英) Work function / Hf / Gate electrode / Fermi level pinning / low power device / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 233, SDM2005-149, pp. 37-42, 2005年8月.
資料番号 SDM2005-149 
発行日 2005-08-12 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2005-08-18 - 2005-08-19 
開催地(和) 函館国際ホテル 
開催地(英) HAKODATE KOKUSAI HOTEL 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 
テーマ(英) VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2005-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト 
サブタイトル(和) SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 
タイトル(英) Gate work-function modulation in SiON/poly-Si gate stacks, and its impact on low power devices 
サブタイトル(英) Advantage of sub-monolayer Hf at SiON/poly-Si interface 
キーワード(1)(和/英) 仕事関数 / Work function  
キーワード(2)(和/英) Hf / Hf  
キーワード(3)(和/英) ゲート電極 / Gate electrode  
キーワード(4)(和/英) フェルミ レベル ピニング / Fermi level pinning  
キーワード(5)(和/英) 低消費電力 デバイス / low power device  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 由上 二郎 / Jiro Yugami / ユガミ ジロウ
第1著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋本 泰洋 / Yasuhiro Shimamoto / シマモト ヤスヒロ
第2著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所 (略称: 日立)
Hitachi Ltd., Central Research Laboratory (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 真雄 / Masao Inoue / イノウエ マサオ
第3著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 斉治 / Masaharu Mizutani / ミズタニ マサハル
第4著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 岳 / Takashi Hayashi / ハヤシ タケシ
第5著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 志賀 克哉 / Katsuya Shiga / シガ カツヤ
第6著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 文子 / Fumiko Fujita / フジタ フミコ
第7著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 土本 淳一 / Jyunichi Tuchimoto / ツチモト ジュンイチ
第8著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 吉和 / Yoshikazu Ohno / オオノ ヨシカズ
第9著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 米田 昌弘 / Masahiro Yoneda / ヨネダ マサヒロ
第10著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp (略称: Renesas)
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講演者
発表日時 2005-08-19 11:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2005-149,IEICE-ICD2005-88 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.233(SDM), no.235(ICD) 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2005-08-12,IEICE-ICD-2005-08-12 


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