講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-08-18 11:35
VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET ○大藤 徹・南雲俊治(東大)・横山弘毅(東大/中大)・平本俊郎(東大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-134 ICD2005-73 |
抄録 |
(和) |
(事前公開アブストラクト) VTCMOS[1]はMOSの基板バイアス効果を使った有望な低電力化回路技術であり、待機消費電力の大幅な低減を可能とする。完全空乏型SOI MOSFETはSOI基板を使った高速低消費電力に向いたMOSFETである。この二つの技術の組み合わせには困難な問題があるが、問題を回避しつつ二つを組み合わせる手法として、私達は基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETを提案し、提案デバイスの長/短チャネル特性評価をシミュレーションにより行いVTCMOSに有効であることを示した。[1] T. Kuroda, et al., IEEE J. SSC 31 (1996) 1770. |
(英) |
(Advance abstract in Japanese is available) |
キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 232, SDM2005-134, pp. 37-42, 2005年8月. |
資料番号 |
SDM2005-134 |
発行日 |
2005-08-11 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-134 ICD2005-73 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2005-08-18 - 2005-08-19 |
開催地(和) |
函館国際ホテル |
開催地(英) |
HAKODATE KOKUSAI HOTEL |
テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 |
テーマ(英) |
VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2005-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Variable body-factor FD SOI MOSFET for VTCMOS applications |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大藤 徹 / Tetsu Ohtou / オオトウ テツ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
南雲 俊治 / Toshiharu Nagumo / ナグモ トシハル |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
横山 弘毅 / * / |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大/中大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2005-08-18 11:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2005-134, ICD2005-73 |
巻番号(vol) |
vol.105 |
号番号(no) |
no.232(SDM), no.234(ICD) |
ページ範囲 |
pp.37-42 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2005-08-11 (SDM, ICD) |
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