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講演抄録/キーワード
講演名 2005-08-18 11:35
VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET
大藤 徹南雲俊治東大)・横山弘毅東大/中大)・平本俊郎東大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-134 ICD2005-73
抄録 (和) (事前公開アブストラクト) VTCMOS[1]はMOSの基板バイアス効果を使った有望な低電力化回路技術であり、待機消費電力の大幅な低減を可能とする。完全空乏型SOI MOSFETはSOI基板を使った高速低消費電力に向いたMOSFETである。この二つの技術の組み合わせには困難な問題があるが、問題を回避しつつ二つを組み合わせる手法として、私達は基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETを提案し、提案デバイスの長/短チャネル特性評価をシミュレーションにより行いVTCMOSに有効であることを示した。[1] T. Kuroda, et al., IEEE J. SSC 31 (1996) 1770. 
(英) (Advance abstract in Japanese is available)
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文献情報 信学技報, vol. 105, no. 232, SDM2005-134, pp. 37-42, 2005年8月.
資料番号 SDM2005-134 
発行日 2005-08-11 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-134 ICD2005-73

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2005-08-18 - 2005-08-19 
開催地(和) 函館国際ホテル 
開催地(英) HAKODATE KOKUSAI HOTEL 
テーマ(和) VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 
テーマ(英) VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2005-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型 SOI MOSFET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Variable body-factor FD SOI MOSFET for VTCMOS applications 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大藤 徹 / Tetsu Ohtou / オオトウ テツ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 南雲 俊治 / Toshiharu Nagumo / ナグモ トシハル
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 弘毅 / * /
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大/中大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-08-18 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2005-134, ICD2005-73 
巻番号(vol) vol.105 
号番号(no) no.232(SDM), no.234(ICD) 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2005-08-11 (SDM, ICD) 


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