講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-08-18 11:10
面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 ○筒井 元・齋藤真澄・平本俊郎(東大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-133 ICD2005-72 |
抄録 |
(和) |
短チャネル効果抑制の観点から,極薄SOI MOSFETは将来有望なデバイス構造として期待されている.極薄SOI MOSFETの移動度は量子閉じ込め効果によって変調される.面方位(100)の極薄SOI pMOSFETの移動度は実験的に検討されており,移動度は単調に減少すること,特にSOI膜厚が5 nmを下回る領域において急激に劣化することが報告されている.本研究では,極薄SOI pMOSFETの移動度向上を目指し,Si(110)極薄SOI pMOSFETの移動度を実験的に検討した.SOI厚3 nm程度までSOI層を極薄化しても(110) UTB pMOSFETの正孔移動度は従来の(100)ユニバーサルカーブと比較して高い値が実現されることを示した.高い移動度が実現される物理的要因は,光学フォノンを介したサブバンド間遷移の抑制ならびに,基板垂直方向の有効質量が大きいことによる膜厚ゆらぎ散乱の抑制の2つにある. |
(英) |
Ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET is one of the most promising structures for future VLSIs because of its high short channel effect immunity. Mobility in UTB pMOSFETs in conventional (100) substrate has been experimentally investigated, and severe mobility degradation has been observed as tSOI is reduced below 5 nm. In this study, hole mobility in (110)-oriented UTB pMOSFETs is investigated. It is shown that the mobility, which is much higher than that in the universal curve in conventional (100)-oriented pMOSFET, is not degraded until tSOI is thinned to 3 nm. The high mobility in the UTB regime in (110) pMOSFET is attributed to subband modulation by carrier confinement and heavier hole effective mass normal to channel surface. |
キーワード |
(和) |
(110) / 正孔移動度 / フォノン散乱 / 量子閉じ込め効果 / SOI膜厚ゆらぎ散乱 / 極薄SOI MOSFET / / |
(英) |
(110) / hole mobility / phonon scattering / quantum confinement effect / SOI thickness fluctuation induced scattering / ultra-thin body SOI MOSFET / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 232, SDM2005-133, pp. 31-36, 2005年8月. |
資料番号 |
SDM2005-133 |
発行日 |
2005-08-11 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2005-133 ICD2005-72 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2005-08-18 - 2005-08-19 |
開催地(和) |
函館国際ホテル |
開催地(英) |
HAKODATE KOKUSAI HOTEL |
テーマ(和) |
VLSI回路、デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力) オーガナイザ 中央大学 榎本忠儀 |
テーマ(英) |
VLSI Circuits, Device Technologies (High Speed, Low Voltage, Low Power), etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2005-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Experimental Study on the Mobility Superiority in (110)-oriented Ultra-thin Body pMOSFETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
(110) / (110) |
キーワード(2)(和/英) |
正孔移動度 / hole mobility |
キーワード(3)(和/英) |
フォノン散乱 / phonon scattering |
キーワード(4)(和/英) |
量子閉じ込め効果 / quantum confinement effect |
キーワード(5)(和/英) |
SOI膜厚ゆらぎ散乱 / SOI thickness fluctuation induced scattering |
キーワード(6)(和/英) |
極薄SOI MOSFET / ultra-thin body SOI MOSFET |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
筒井 元 / Gen Tsutsui / ツツイ ゲン |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2005-08-18 11:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2005-133, ICD2005-72 |
巻番号(vol) |
vol.105 |
号番号(no) |
no.232(SDM), no.234(ICD) |
ページ範囲 |
pp.31-36 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2005-08-11 (SDM, ICD) |
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