電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2005-06-24 11:05
1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作
八木英樹東工大/JST)・三浦幸治西本頼史タノーム プルームウォンロート大平和哉東工大)・丸山武男荒井滋久東工大/JSTエレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-18 LQE2005-17
抄録 (和) 電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより、歪補償量子細線活性層(細線幅: 24 nm、4層量子細線)を有するGaInAsP/InP活性層分離型DFBレーザを初めて実現した。室温連続動作条件による電流-光出力特性から、ストライプ幅3.0 μm、共振器長330 μmの素子において、しきい値電流2.7 mA(しきい値電流密度: 270 A/cm2)が得られ、量子細線活性層による体積効果、及び活性層分離型DFB構造に起因した高内部反射により、量子細線レーザとして従来にない低しきい値電流動作を達成した。また、しきい値の2倍の注入電流における発振スペクトル測定から、発振波長1541 nm、副モード抑圧比51 dBが観測され、良好な単一モード動作が得られた。 
(英) GaInAsP/InP distributed feedback (DFB) lasers consisting of strain-compensated quantum-wire active regions (wire width of 24 nm, four-stacked quantum-wires) were realized by electron beam lithography, CH4/H2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth for the first time. A threshold current as low as 2.7 mA (threshold current density: 270 A/cm2) was attained for the stripe width of 3.0 μm and the cavity length of 330 μm under the room-temperature continuous-wave condition, which was attributed to a volume effect of the quantum-wire active region and moderately strong reflectivity of the DFB grating. From measurement of the lasing spectrum, single-mode operation with a sub-mode suppression ratio as high as 51 dB was observed in the lasing wavelength of 1541 nm.
キーワード (和) 量子細線レーザ / DFBレーザ / GaInAsP/InP / 歪補償量子井戸 / CH4/H2-RIE / OMVPE再成長 / /  
(英) Quantum-Wire Laser / DFB Laser / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH4/H2-RIE / OMVPE Regrowth / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-17, pp. 19-22, 2005年6月.
資料番号 LQE2005-17 
発行日 2005-06-17 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2005-06-24 - 2005-06-24 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果型光デバイス,光集積化技術,及び一般 (材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices and Photonic Integrations (ES Summer Meeting of Materials and Devices) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low threshold current operation of 1540nm wavelength GaInAsP/InP strain-compensated quantum-wire DFB lasers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子細線レーザ / Quantum-Wire Laser  
キーワード(2)(和/英) DFBレーザ / DFB Laser  
キーワード(3)(和/英) GaInAsP/InP / GaInAsP/InP  
キーワード(4)(和/英) 歪補償量子井戸 / Strain-Compensated Quantum-Well  
キーワード(5)(和/英) CH4/H2-RIE / CH4/H2-RIE  
キーワード(6)(和/英) OMVPE再成長 / OMVPE Regrowth  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大/JST)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 幸治 / Koji Miura / ミウラ コウジ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西本 頼史 / Yoshifumi Nishimoto / ニシモト ヨシフミ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) タノーム プルームウォンロート / Dhanorm Plumwongrot / プルームウォンロート タノーム
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大平 和哉 / Kazuya Ohira / オオヒラ カズヤ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大/JST)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大/JST)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2005-06-24 11:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2005-18,IEICE-LQE2005-17 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.142(OPE), no.143(LQE) 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2005-06-17,IEICE-LQE-2005-06-17 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会