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講演抄録/キーワード
講演名 2005-06-24 09:40
ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作
野崎謙悟橋本惇一井手利英水田栄一志賀正浩馬場俊彦横浜国大エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-15 LQE2005-14
抄録 (和) 本研究では,1.55 micron帯GaInAsP-InPウェハに対してヨウ化水素(HI)ガスを用いた誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを行い,良好な平滑性と高アスペクト比をもつフォトニック結晶(PC)円孔配列を形成することに成功した.HIガスを用いた低温ICPエッチングでは,レジストマスクからの直接転写が可能であり,従来の中間マスクを用いるプロセスに比べて側壁平滑性が向上した.エッチング状態を律則する諸条件を最適化した結果,直径0.2 micron程度の小円孔に対してアスペクト比13以上,側壁荒れ10 nm以下が得られた.実際にGaInAsPスラブに形成したPC点欠陥レーザでは明瞭な発振動作が確認された. 
(英) We successfully formed the photonic crystal consisting of airholes with smooth sidewalls and high aspect ratio into GaInAsP/InP wafer by using inductively coupled plasma (ICP) etching with HI gaseous source. The HI gas allows the etching at a relatively low temperature of 70 degree. Therefore, e-beam resist can be directly used as an etching mask. This results in easy patterning and reduction in sidewall roughness of airholes, compared with the process using an intermediate metal or dielectric mask. After we optimized the etching condition, we formed the 0.2 micron-diameter airholes with an aspect ratio of over 13 and a sidewall roughness of less than 10 nm. The room temperature lasing action was observed in the PC point defect laser formed into 1.55-micron-GaInAsP slab.
キーワード (和) フォトニック結晶 / ヨウ化水素 / 誘導結合プラズマ / InP / GaInAsP / 点欠陥共振器 / アスペクト比 /  
(英) Photonic crystal / HI / Inductively coupled plasma / InP / GaInAsP / Defect cavity / Aspect ratio /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-14, pp. 7-10, 2005年6月.
資料番号 LQE2005-14 
発行日 2005-06-17 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2005-06-24 - 2005-06-24 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果型光デバイス,光集積化技術,及び一般 (材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices and Photonic Integrations (ES Summer Meeting of Materials and Devices) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of InP-based semiconductor photonic crystal by HI-based ICP etching 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶 / Photonic crystal  
キーワード(2)(和/英) ヨウ化水素 / HI  
キーワード(3)(和/英) 誘導結合プラズマ / Inductively coupled plasma  
キーワード(4)(和/英) InP / InP  
キーワード(5)(和/英) GaInAsP / GaInAsP  
キーワード(6)(和/英) 点欠陥共振器 / Defect cavity  
キーワード(7)(和/英) アスペクト比 / Aspect ratio  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野崎 謙悟 / Kengo Nozaki / ノザキ ケンゴ
第1著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 惇一 / Junichi Hashimoto / ハシモト ジュンイチ
第2著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井手 利英 / Toshihide Ide / イデ トシヒデ
第3著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水田 栄一 / Eiichi Mizuta / ミズタ エイイチ
第4著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 志賀 正浩 / Masahiro Shiga / シガ マサヒロ
第5著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬場 俊彦 / Toshihiko Baba / ババ トシヒコ
第6著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: Yokohama Nat'l Univ.)
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講演者
発表日時 2005-06-24 09:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2005-15,IEICE-LQE2005-14 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.142(OPE), no.143(LQE) 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2005-06-17,IEICE-LQE-2005-06-17 


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