電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2005-06-24 10:40
GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性
丸山武男東工大/JST)・タノーム プルームウォンロート東工大)・八木英樹東工大/JST)・三浦幸治東工大エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-17 LQE2005-16
抄録 (和) 電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いて、量子細線を共振器方向に平行および垂直に配置した歪補償量子細線レーザを作製した。室温パルス測定を行った結果、共振器方向に対して量子細線が平行に配置されているレーザの方が垂直に配置されているレーザよりしきい値電流が約2倍高い値を示した。そこで、両レーザをHakki-Paoli法を用いて利得を求めたところ、注入電流量による傾きが5倍大きいことから、この違いは、量子細線の利得異方性によるものであることがわかった。 
(英) GaInAsP/InP quantum-wire lasers consisting of strain-compensated quantum-wire active regions, laid on parallel and perpendicular to cavity direction, were fabricated by electron beam lithography, CH4/H2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. The threshold current of the quantum-wire laser laid on parallel to the cavity is two times higher than that of perpendicular to the cavity. It was found that the differential gain in parallel layout was approximately 5 times higher than that in perpendicular layout from gain spectral measurements by Hakki-Paoli method. Hence the anomalous lasing characteristics are attributed to this anisotropic gain property.
キーワード (和) 量子細線レーザ / 材料利得 / GaInAsP/InP / 歪補償量子井戸 / CH_4/H_2-RIE / OMVPE再成長 / /  
(英) Quantum Wire Laser / Material Gain / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-16, pp. 15-18, 2005年6月.
資料番号 LQE2005-16 
発行日 2005-06-17 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2005-06-24 - 2005-06-24 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果型光デバイス,光集積化技術,及び一般 (材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices and Photonic Integrations (ES Summer Meeting of Materials and Devices) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Anisotropic Gain of GaInAsP/InP Strained Quantum-Wire Laser 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子細線レーザ / Quantum Wire Laser  
キーワード(2)(和/英) 材料利得 / Material Gain  
キーワード(3)(和/英) GaInAsP/InP / GaInAsP/InP  
キーワード(4)(和/英) 歪補償量子井戸 / Strain-Compensated Quantum-Well  
キーワード(5)(和/英) CH_4/H_2-RIE / CH_4/H_2-RIE  
キーワード(6)(和/英) OMVPE再成長 / OMVPE Regrowth  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学、科学技術振興機構 (略称: 東工大/JST)
Tokyo Institute of Technology, JST (略称: Tokyo Tech, JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) タノーム プルームウォンロート / Dhanorm Plumwongrot / タノーム プルームウォンロート
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech, JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学、科学技術振興機構 (略称: 東工大/JST)
Tokyo Institute of Technology, JST (略称: Tokyo Tech, JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 幸治 / Koji Miura / ミウラ コウジ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech, JST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2005-06-24 10:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2005-17,IEICE-LQE2005-16 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.142(OPE), no.143(LQE) 
ページ範囲 pp.15-18 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2005-06-17,IEICE-LQE-2005-06-17 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会