講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-06-24 10:40
GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性 ○丸山武男(東工大/JST)・タノーム プルームウォンロート(東工大)・八木英樹(東工大/JST)・三浦幸治(東工大) エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-17 LQE2005-16 |
抄録 |
(和) |
電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いて、量子細線を共振器方向に平行および垂直に配置した歪補償量子細線レーザを作製した。室温パルス測定を行った結果、共振器方向に対して量子細線が平行に配置されているレーザの方が垂直に配置されているレーザよりしきい値電流が約2倍高い値を示した。そこで、両レーザをHakki-Paoli法を用いて利得を求めたところ、注入電流量による傾きが5倍大きいことから、この違いは、量子細線の利得異方性によるものであることがわかった。 |
(英) |
GaInAsP/InP quantum-wire lasers consisting of strain-compensated quantum-wire active regions, laid on parallel and perpendicular to cavity direction, were fabricated by electron beam lithography, CH4/H2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. The threshold current of the quantum-wire laser laid on parallel to the cavity is two times higher than that of perpendicular to the cavity. It was found that the differential gain in parallel layout was approximately 5 times higher than that in perpendicular layout from gain spectral measurements by Hakki-Paoli method. Hence the anomalous lasing characteristics are attributed to this anisotropic gain property. |
キーワード |
(和) |
量子細線レーザ / 材料利得 / GaInAsP/InP / 歪補償量子井戸 / CH_4/H_2-RIE / OMVPE再成長 / / |
(英) |
Quantum Wire Laser / Material Gain / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-16, pp. 15-18, 2005年6月. |
資料番号 |
LQE2005-16 |
発行日 |
2005-06-17 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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