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講演抄録/キーワード
講演名 2005-06-24 09:15
GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性
太田征孝古旗達也松浦哲也松井康尚宮本智之小山二三夫東工大エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-14 LQE2005-13
抄録 (和) レーザの変調特性や温度特性向上を目的に,活性層に隣接した共鳴トンネルを有する,トンネル注入レーザ構造が提案されている.しかし,レーザ特性のトンネル注入構造依存性について十分に解明されていない.本報告では,GaInAs/AlGaAs単一量子井戸トンネル注入レーザの静特性について,トンネル注入構造依存性の検討を行った.トンネル注入層とトンネルバリア層の厚さにより,I-L特性の大きなキンクや,しきい値増加を生じることが分かった.また,トンネルバリア層のAl組成を低減することで,キンクの低減とともにしきい値増加が抑制された.トンネル注入構造を用いた構造により,164Kと高い特性温度が得られた.本報告で得られた設計指針は,高性能レーザ実現に重要な役割を担うと考えられる. 
(英) Lasing characteristics of MBE grown GaInAs/AlGaAs single QW lasers with double barrier tunnel injection structures are investigated. The I-L characteristics and threshold current density are strongly influenced by the tunnel injection structure, such as thickness of the tunnel injection layer and tunnel barrier layer. Lowering threshold current density is observed by decreasing of Al composition of the tunnel barrier layer. A high characteristic temperature of 164K is obtained for the tunnel injection laser. The structure dependence of lasing characteristics is important in order to realize high performance lasers with optimized tunnel injection structure.
キーワード (和) 量子井戸レーザ / トンネル注入構造 / GaInAs/AlGaAs / 特性温度 / / / /  
(英) Quantum well lasers / Tunnel injection structure / GaInAs/AlGaAs / Characteristic temperature / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-13, pp. 1-6, 2005年6月.
資料番号 LQE2005-13 
発行日 2005-06-17 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2005-06-24 - 2005-06-24 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果型光デバイス,光集積化技術,及び一般 (材料デバイスサマーミーティング) 
テーマ(英) Quantum Effect Optical Devices and Photonic Integrations (ES Summer Meeting of Materials and Devices) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2005-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structure dependence of lasing characteristics of GaInAs/AlGaAs tunneling injection lasers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子井戸レーザ / Quantum well lasers  
キーワード(2)(和/英) トンネル注入構造 / Tunnel injection structure  
キーワード(3)(和/英) GaInAs/AlGaAs / GaInAs/AlGaAs  
キーワード(4)(和/英) 特性温度 / Characteristic temperature  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 征孝 / Masataka Ohta / オオタ マサタカ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 古旗 達也 / Tatsuya Furuhata / フルハタ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 哲也 / Tetsuya Matsuura / マツウラ テツヤ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 康尚 / Yasutaka Matsui / マツイ ヤスタカ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto / ミヤモト トモユキ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 二三夫 / Fumio Koyama / コヤマ フミオ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech)
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講演者
発表日時 2005-06-24 09:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2005-14,IEICE-LQE2005-13 
巻番号(vol) IEICE-105 
号番号(no) no.142(OPE), no.143(LQE) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OPE-2005-06-17,IEICE-LQE-2005-06-17 


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