講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-06-24 09:15
GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性 ○太田征孝・古旗達也・松浦哲也・松井康尚・宮本智之・小山二三夫(東工大) エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2005-14 LQE2005-13 |
抄録 |
(和) |
レーザの変調特性や温度特性向上を目的に,活性層に隣接した共鳴トンネルを有する,トンネル注入レーザ構造が提案されている.しかし,レーザ特性のトンネル注入構造依存性について十分に解明されていない.本報告では,GaInAs/AlGaAs単一量子井戸トンネル注入レーザの静特性について,トンネル注入構造依存性の検討を行った.トンネル注入層とトンネルバリア層の厚さにより,I-L特性の大きなキンクや,しきい値増加を生じることが分かった.また,トンネルバリア層のAl組成を低減することで,キンクの低減とともにしきい値増加が抑制された.トンネル注入構造を用いた構造により,164Kと高い特性温度が得られた.本報告で得られた設計指針は,高性能レーザ実現に重要な役割を担うと考えられる. |
(英) |
Lasing characteristics of MBE grown GaInAs/AlGaAs single QW lasers with double barrier tunnel injection structures are investigated. The I-L characteristics and threshold current density are strongly influenced by the tunnel injection structure, such as thickness of the tunnel injection layer and tunnel barrier layer. Lowering threshold current density is observed by decreasing of Al composition of the tunnel barrier layer. A high characteristic temperature of 164K is obtained for the tunnel injection laser. The structure dependence of lasing characteristics is important in order to realize high performance lasers with optimized tunnel injection structure. |
キーワード |
(和) |
量子井戸レーザ / トンネル注入構造 / GaInAs/AlGaAs / 特性温度 / / / / |
(英) |
Quantum well lasers / Tunnel injection structure / GaInAs/AlGaAs / Characteristic temperature / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 143, LQE2005-13, pp. 1-6, 2005年6月. |
資料番号 |
LQE2005-13 |
発行日 |
2005-06-17 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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