講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-05-19 11:20
10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD ○宮崎泰典・大和屋 武・松本啓資・青柳利隆・西村隆司(三菱電機) エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2005-4 |
抄録 |
(和) |
電界吸収型光変調器(Electroabsorption Modulator : EAM)とレーザダイオード(LD)をモノリシックに集積したEAM-LDにおいて,変調時の光波長の変動(チャープ)の抑制と高光出力動作を両立した.従来のEAM-LDでは,光吸収による電子正孔対のうち正孔がEAMの量子井戸(Quantum Well : QW)内に蓄積し,高光出力時の過剰チャープと伝送ペナルティの悪化をもたらしていた.今回,価電子帯ポテンシャル障壁の小さいQW吸収層を用いることで,正孔がQW内にとどまる時定数(正孔寿命)を12psまで低減し,高光出力時にも低チャープ動作が可能であることを示す.また,10Gbps-80km伝送特性において,世界最高のファイバ内平均光出力+4.8dBmと2dB以下の低い伝送ペナルティを両立した. |
(英) |
We present a 10Gbps electroabsorption modulator integrated laser diode (EAM-LD) with wavelength chirp reduced even under high optical output power conditions. Conventional EAM-LDs have suffered from high excessive chirp and deterioration of dispersion penalty under high optical output power conditions, which are due to the accumulation of photogenerated holes in quantum well (QW) absorption layer. In this paper, we show that a shallow QW absorption layer with a small valence band offset reduces a hole lifetime to 12ps and achieves low-chirp operation even under high optical output power conditions. Successful 10Gbps-80km transmission with the world-highest fiber launched average power of +4.8dBm and a dispersion penalty lower than 2dB is also demonstrated. |
キーワード |
(和) |
光変調器 / レーザダイオード / 量子井戸 / 光ファイバ通信 / 伝送特性 / / / |
(英) |
Optical modulator / Laser diode / Quantum well / Optical fiber communication / transmission / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 52, LQE2005-4, pp. 13-16, 2005年5月. |
資料番号 |
LQE2005-4 |
発行日 |
2005-05-12 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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