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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-04-15 10:30 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア ○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ICD2005-13 |
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| 抄録 | （和） | MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え／読み出し回数による高信頼性と高速性を持った不揮発性メモリであり、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリなど全てに対し置き換えが可能なユニバーサルメモリとして期待されている。これらのMRAMの特徴を最大限に生かすために、標準ＣＭＯＳプロセスを用いて1.2Ｖ動作が可能な混載向けの1Mb-MRAMコアの開発を行った。ＭＲＡＭのメモリアレイにフォールデッドビット線方式とディバイディッドワード線方式を組み合わせ4層Ｃｕプロセスにて小面積なメモリコアを実現した。また、分散配置型書き込み電流回路の採用とセンス回路に相補型の２ステップセンス方式の採用により低消費電力と低電圧での高速動作できるメモリコアを実現した。 |
| （英） | A 1Mbit MRAM with a 0.81um2 1-Transistor 1-Magnetic Tunnel Junction (1T-1MTJ) cell using 0.13um 4LM logic technology has been produced. A folded-bitline sensing and common write word-line scheme with dummy row architecture achieves 100MHz random read cycle with n+ diffusion/Co-saliside read source lines. Employing a distributed gate voltage control scheme, high speed write current switching without write disturb by peak current even at 1.2V power supply is demonstrated. | |
| キーワード | （和） | MRAM / 磁気抵抗メモリ / 不揮発 / 混載 / 低電圧 / / / |
| （英） | MRAM / Magnetoresistive random access memory / nonvolatile / embedded / low voltage / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 2, ICD2005-13, pp. 1-6, 2005年4月. | |
| 資料番号 | ICD2005-13 | |
| 発行日 | 2005-04-08 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2005-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2005-04-14 - 2005-04-15 |
| 開催地（和） | 福岡システムLSI 総合開発センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術、メモリ応用技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2005-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気抵抗メモリ / Magnetoresistive random access memory |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発 / nonvolatile |
| キーワード(4)（和/英） | 混載 / embedded |
| キーワード(5)（和/英） | 低電圧 / low voltage |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 高晴 / Takaharu Tsuji / ツジ タカハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷崎 弘晃 / Hiroaki Tanizaki / タニザキ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデバイスデザイン (略称： ルネサスデバイスデザイン) Renesas Device Design Corporation (略称： Renesas Device Design) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 正敏 / Masatoshi Ishikawa / イシカワ マサトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大谷 順 / Jun Otani / オオタニ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雄一郎 / Yuichiro Yamaguchi / ヤマグチ ユウイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 修一 / Shuichi Ueno / ウエノ シュウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 司 / Tsukasa Oishi / オオイシ ツカサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technorogy Corporation (略称： Renesas Technorogy) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-04-15 10:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2005-13 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.2 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-04-08 (ICD) |
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