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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-04-14 10:40 ［招待講演］ナノスケール時代のDRAM ～ 非1T1Cアプローチ ～ ○石井智之（日立） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ICD2005-4 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケール時代に向けた種々のAM技術を紹介する。1T1C DRAMは安定動作の観点からはSRAMよりもスケーラビリティに優れると考えられるが、保持時間や蓄積容量の確保において困難がある。本発表では1T1C型DRAM以外の種々のアプローチについて述べる。電子10個にて記憶を行うDRAMを実現できる可能性を有するSESOメモリについても紹介する。 |
| （英） | Challenges for future DRAM technology in the nano-scale process generation are introduced. From operational stability point of view, DRAM has better scalability than SRAM. However, 1T/1C type DRAM has serious difficulties in keeping retention time and storage capacitance. This paper focuses on non-1T/1C approaches for scalable DRAM including new device structures. An attempt to realize the memory using only 10 electrons per bit is introduced. | |
| キーワード | （和） | DRAM / ゲインセル / スケーリング / / / / / |
| （英） | DRAM / Gain cell / scaling / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 105, no. 1, ICD2005-4, pp. 19-22, 2005年4月. | |
| 資料番号 | ICD2005-4 | |
| 発行日 | 2005-04-07 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2005-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2005-04-14 - 2005-04-15 |
| 開催地（和） | 福岡システムLSI 総合開発センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術、メモリ応用技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2005-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノスケール時代のDRAM |
| サブタイトル（和） | 非1T1Cアプローチ |
| タイトル（英） | DRAM in the Nanoscale Era |
| サブタイトル（英） | Non-1T1C approaches |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ゲインセル / Gain cell |
| キーワード(3)（和/英） | スケーリング / scaling |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 智之 / Tomoyuki Ishii / |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Hitachi Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-04-14 10:40:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2005-4 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2005-04-07 (ICD) |
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