講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-01-28 16:15
65nm時代以降のSoCデバイステスト技術 ~ Low-k/Cu配線技術対応の試験および解析手法 ~ ○山崎 眞・古川靖夫(アドバンテスト) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2004-173 ICD2004-218 |
抄録 |
(和) |
高性能化するSoCデバイスにおける歩留まり向上とテスト品質の確保という課題を両立するため、デバイス毎に試験条件を最適化するアダプティブ・テストが提唱されている。このアダプティブ・テストに要求される新しいATE(Automatic Test Equipment)の構造を示した。その応用例として、今後65nmノード以降、主流になると言われている低誘電率膜と銅配線(low-k/Cu)における新たな不良モードを試験するアダプティブ・テスト試験手法を0.18μmプロセスのATE用LSIを用いて検討した。 |
(英) |
To solve the problems such as the yield improvements and securing the test quality in the SoC devices made efficient, the adaptive test methodology that optimizes the test condition of each device is already proposed. The structure of new ATE(Automatic Test Equipment) ideas from this adaptive test was shown. A new failure mode will be proposed on low-k/Cu interconnection system that is one of a major steam on beyond 65nm node process. And a new test methodology will be discussed in the actual 0.18um-node ATE LSI. |
キーワード |
(和) |
ATE / Test / 低誘電率膜 / 銅配線 / リング発振器 / 配線技術 / ITRS / |
(英) |
ATE / Test / low-k/Cu / Ring-Oscillator / Interconnect technology / ITRS / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 629, ICD2004-218, pp. 65-70, 2005年1月. |
資料番号 |
ICD2004-218 |
発行日 |
2005-01-21 (CPM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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