講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-01-28 10:00
超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション ○鈴木信夫・飯塚紀夫・金子 桂(東芝) エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2004-205 LQE2004-152 |
抄録 |
(和) |
不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し,実験結果と比較検討を行った.試作素子の特性は,長すぎた吸収ピーク波長や,転位に起因する過剰損失により制限されていた.これらを改善すれば,スイッチングエネルギーを現状のリッジ構造で10pJ程度まで,サブミクロン寸法のハイメサ構造で1pJ程度まで低減できるものと期待される.実験で得られた光ゲート幅(~360fs)はポンプ光のパルス幅により制限されており,イントリンシックな応答速度は100fsオーダーである. |
(英) |
A simulator for GaN intersubband transition optical switches has been developed. Influences of the inhomogeneous broadening and the 2-dimensional mode profile have been taken into consideration. Characteristics of the fabricated switch were limited by a longer absorption peak wavelength and by excess loss due to the dislocations. When they are improved, the switching pulse energy will be reduced to about 10 pJ for ridge waveguides and about 1 pJ for sub-micron high-mesa waveguides. The measured optical gate width (~ 360 fs) is limited by the widths of the pump pulses, and the intrinsic response time is about 100fs. |
キーワード |
(和) |
光スイッチ / サブバンド間遷移 / 吸収飽和 / GaN / FDTD / / / |
(英) |
Optical Switch / Intersubband Transition / Saturable Absorption / GaN / FDTD / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 602, PN2004-98, pp. 1-6, 2005年1月. |
資料番号 |
PN2004-98 |
発行日 |
2005-01-21 (PN, OFT, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2004-205 LQE2004-152 |
研究会情報 |
研究会 |
PN OPE OFT LQE |
開催期間 |
2005-01-26 - 2005-01-28 |
開催地(和) |
大阪大学 |
開催地(英) |
Osaka University |
テーマ(和) |
光集積回路/素子、スイッチング、PLC、ファイバ型デバイス、導波路解析、一般 |
テーマ(英) |
Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
PN |
会議コード |
2005-01-PN-OPE-OFT-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Simulation of ultrafast GaN/AlN intersubband-transition optical switches |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
光スイッチ / Optical Switch |
キーワード(2)(和/英) |
サブバンド間遷移 / Intersubband Transition |
キーワード(3)(和/英) |
吸収飽和 / Saturable Absorption |
キーワード(4)(和/英) |
GaN / GaN |
キーワード(5)(和/英) |
FDTD / FDTD |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鈴木 信夫 / Nobuo Suzuki / スズキ ノブオ |
第1著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
飯塚 紀夫 / Norio Iizuka / イイズカ ノリオ |
第2著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
金子 桂 / Kei Kaneko / カネコ ケイ |
第3著者 所属(和/英) |
株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2005-01-28 10:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
PN |
資料番号 |
PN2004-98, OFT2004-104, OPE2004-205, LQE2004-152 |
巻番号(vol) |
vol.104 |
号番号(no) |
no.602(PN), no.605(OFT), no.608(OPE), no.611(LQE) |
ページ範囲 |
pp.1-6 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2005-01-21 (PN, OFT, OPE, LQE) |
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