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講演抄録/キーワード
講演名 2005-01-28 10:00
超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション
鈴木信夫飯塚紀夫金子 桂東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2004-205 LQE2004-152
抄録 (和) 不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し,実験結果と比較検討を行った.試作素子の特性は,長すぎた吸収ピーク波長や,転位に起因する過剰損失により制限されていた.これらを改善すれば,スイッチングエネルギーを現状のリッジ構造で10pJ程度まで,サブミクロン寸法のハイメサ構造で1pJ程度まで低減できるものと期待される.実験で得られた光ゲート幅(~360fs)はポンプ光のパルス幅により制限されており,イントリンシックな応答速度は100fsオーダーである. 
(英) A simulator for GaN intersubband transition optical switches has been developed. Influences of the inhomogeneous broadening and the 2-dimensional mode profile have been taken into consideration. Characteristics of the fabricated switch were limited by a longer absorption peak wavelength and by excess loss due to the dislocations. When they are improved, the switching pulse energy will be reduced to about 10 pJ for ridge waveguides and about 1 pJ for sub-micron high-mesa waveguides. The measured optical gate width (~ 360 fs) is limited by the widths of the pump pulses, and the intrinsic response time is about 100fs.
キーワード (和) 光スイッチ / サブバンド間遷移 / 吸収飽和 / GaN / FDTD / / /  
(英) Optical Switch / Intersubband Transition / Saturable Absorption / GaN / FDTD / / /  
文献情報 信学技報, vol. 104, no. 602, PN2004-98, pp. 1-6, 2005年1月.
資料番号 PN2004-98 
発行日 2005-01-21 (PN, OFT, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2004-205 LQE2004-152

研究会情報
研究会 PN OPE OFT LQE  
開催期間 2005-01-26 - 2005-01-28 
開催地(和) 大阪大学 
開催地(英) Osaka University 
テーマ(和) 光集積回路/素子、スイッチング、PLC、ファイバ型デバイス、導波路解析、一般 
テーマ(英) Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 PN 
会議コード 2005-01-PN-OPE-OFT-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Simulation of ultrafast GaN/AlN intersubband-transition optical switches 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光スイッチ / Optical Switch  
キーワード(2)(和/英) サブバンド間遷移 / Intersubband Transition  
キーワード(3)(和/英) 吸収飽和 / Saturable Absorption  
キーワード(4)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(5)(和/英) FDTD / FDTD  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 信夫 / Nobuo Suzuki / スズキ ノブオ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯塚 紀夫 / Norio Iizuka / イイズカ ノリオ
第2著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 桂 / Kei Kaneko / カネコ ケイ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2005-01-28 10:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 PN 
資料番号 PN2004-98, OFT2004-104, OPE2004-205, LQE2004-152 
巻番号(vol) vol.104 
号番号(no) no.602(PN), no.605(OFT), no.608(OPE), no.611(LQE) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2005-01-21 (PN, OFT, OPE, LQE) 


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