講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-01-21 10:00
[招待講演]ニッケル・水素二次電池のメモリー効果原因の究明と発生防止の試み ○佐藤祐一(神奈川大) エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2004-144 |
抄録 |
(和) |
ニッケル・水素二次電池には充放電の繰り返しにより,過充電状態になると放電電圧が低下し,所定の放電容量が取れなくなるメモリー効果が発生する.その原因はニッケル極に電位が低く抵抗の大きなγ-NiOOHが生成するためである.ところがハイブリッドカーに搭載されている場合には充電深度50-70 %で使用されており,見かけ上はγ-NiOOHが生成する条件になく,メモリー効果は発生しないと予想された.しかし,そのような部分充放電の繰り返しでもメモリー効果が発生することがわかってきた.その原因の究明状況,メモリー効果抑制の試みについて紹介する. |
(英) |
When nickel-hydrogen batteries loaded on hybrid cars were underwent repeated charge-discharge cycling, a lower working voltage was observed in the discharge curves. This phenomenon is called the memory effect, which is caused by the γ-NiOOH formed in the Ni electrode. This γ-NiOOH has lower electric conductivity and shows lower electrode potential compared to that of β-NiOOH formed in the normal Ni electrode. We assumed the formation mechanism ofγ-NiOOH and tried to suppress the memory effect. |
キーワード |
(和) |
メモリー効果 / ニッケル・水素二次電池 / γーオキシ水酸化ニッケル / ナノサイズ粉体 / / / / |
(英) |
Memory Effect / Nickel・Hydrogen Batteries / γ-NiOOH / nanosized powders / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 576, CPM2004-144, pp. 11-16, 2005年1月. |
資料番号 |
CPM2004-144 |
発行日 |
2005-01-14 (EE, CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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