| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-01-18 14:25 ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2004-221 MW2004-228 |
|
| 抄録 | （和） | ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特性のInxGa1-xAsチャネル層In組成 (XIn) 依存性を評価した。ドレイン‐ソース間破壊耐圧(BVds)は、ダブルリセス構造適用の結果、XIn = 0.53のInP-HEMTにおいて9 V以上、XIn = 0.6、および、0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいても、4.5 V、および、3 V以上という良好な高耐圧特性を実現した。トランジスタのgm、および、fTは、XInの増加に伴って確実に向上し、XIn = 0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいて、gm = 2.18 S/mm、fT = 257.8 GHzという、優れた特性が得られた。 本デバイスを基本素子とする、SCFLリング発振器の測定では、XInの増加に伴うインバータ遅延時間(tpd)の高速化が確認できた。XIn = 0.7のpseudomorphic InP-HEMTにおいて、tpd = 4.9 psec/gateという高速動作特性が得られた。また、本デバイスの雑音指数を評価したところ、38 GHzにおいてNFmin = 1 dB程度という優れた低雑音特性が得られた。 |
| （英） | The device performances of double-recessed 0.1-µm-gate pseudomorphic InP-based high electron mobility transistors (InP-HEMTs) have been investigated in terms of the indium composition in the InxGa1-xAs channel. By using the double-recessed gate structure for the InP-HEMTs, excellent high breakdown voltage characteristics have been achieved. The drain-to-source breakdown voltage (BVds) of as high as 9 V for the InP-HEMT with XIn of 0.53, and 4.5 V and 3 V even for the pseudomorphic InP-HEMTs with XIn of 0.6 and 0.7 have been obtained. The transconductance (gm) and the current-gain cutoff-frequency (fT) improve with increasing the XIn, and superior gm and fT of as high as 2.18 S/mm and 257.8 GHz have been obtained for the pseudomorphic InP-HEMT with XIn of 0.7. The propagation delay (tpd) measured from the SCFL ring-oscillator implemented by the InP-HEMTs decreases as increasing the XIn and the tpd of as fast as 4.9 psec/gate has been obtained for the pseudomorphic InP-HEMT with XIn of 0.7. We have also measured the noise figure (NFmin) of the InP-HEMTs and obtained the ultra low NFmin of 1 dB at 38 GHz. |
|
| キーワード | （和） | pseudomorphic InP-HEMT / ダブルリセス構造 / ドレイン‐ソース間破壊耐圧 (BVds) / 電流利得遮断周波数 (fT) / トランスコンダクタンス (gm) / インバータ遅延時間 (tpd) / 雑音指数 (NFmin) / |
| （英） | pseudomorphic InP-based HEMT / double-recessed-gate structure / drain-to-source breakdown voltage (BVds) / current gain cutoff frequency (fT) / transconductance (gm) / propagation delay (tpd) / noise figure (NFmin) / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 104, no. 550, ED2004-221, pp. 53-58, 2005年1月. | |
| 資料番号 | ED2004-221 | |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2004-221 MW2004-228 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2005-01-17 - 2005-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | - |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | pseudomorphic InP-HEMT / pseudomorphic InP-based HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルリセス構造 / double-recessed-gate structure |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン‐ソース間破壊耐圧 (BVds) / drain-to-source breakdown voltage (BVds) |
| キーワード(4)（和/英） | 電流利得遮断周波数 (fT) / current gain cutoff frequency (fT) |
| キーワード(5)（和/英） | トランスコンダクタンス (gm) / transconductance (gm) |
| キーワード(6)（和/英） | インバータ遅延時間 (tpd) / propagation delay (tpd) |
| キーワード(7)（和/英） | 雑音指数 (NFmin) / noise figure (NFmin) |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻窪 光慈 / - / - - |
| 第1著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry (略称： OKI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 知之 / - / - - |
| 第2著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry (略称： OKI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角谷 昌紀 / - / - - |
| 第3著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry (略称： OKI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市岡 俊彦 / - / - - |
| 第4著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry (略称： OKI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-01-18 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2004-221, MW2004-228 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | no.550(ED), no.552(MW) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]