| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2005-01-18 11:35 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） エレソ技報アーカイブへのリンク：  ED2004-217 MW2004-224 |
|
| 抄録 | （和） | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を行った．作製したエピ膜の2次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ，室温および15Kにおいて各々2100cm2/Vs以上，25000cm2/Vs以上(2DEG濃度：約1×1013/cm2)という極めて高いHall移動度を有する事が確認された．これは，AlNスペーサ層の挿入による合金散乱の抑制，ならびにエピタキシャルAlN膜を下地層としたことによるエピ膜の高品質化によるものと考えられた．リセスオーミック構造を有するゲート長1.5μmのHEMTを試作しそのDC特性を評価したところ，最大相互コンダクタンス約220mS/mm，最大ドレイン電流密度1A/mm以上(閾値電圧約-4.08V)という高い値が得られた． |
| （英） | Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN heterostructures were grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE. The very high Hall mobilities over 2100 cm2/Vs at room temperature and 25000 cm2/Vs at 15 K with a 2DEG density of approximately 1 × 1013/cm2 were observed for AlGaN/AlN/GaN heterostructures on epitaxial AlN/sapphire templates. This seems to be because the thin AlN interfacial layer between the AlGaN and GaN layers effectively suppressed alloy disorder scattering and epitaxial AlN/sapphire templates contributed to the high electron mobility by the realization of a high-quality GaN channel. Recessed ohmic HEMTs were successfully fabricated using those epitaxial wafers. A high maximum extrinsic transconductance of approximately 220 mS/mm and a high maximum drain-source current density over 1 A/mm with a threshold voltage of – 4.08 V were obtained for 1.5-μm-gate-length recessed-ohmic AlGaN/AlN/GaN HEMTs. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/AlN/GaN / HEMT / エピタキシャルAlN/サファイア / MOVPE / 100mm径基板 / リセスオーミックコンタクト / / |
| （英） | AlGaN/AlN/GaN / HEMT / epitaxial AlN/sapphire / MOVPE / 100-mm-diameter substrates / recessed ohmic contact / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 104, no. 550, ED2004-217, pp. 31-35, 2005年1月. | |
| 資料番号 | ED2004-217 | |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2004-217 MW2004-224 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2005-01-17 - 2005-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超高速・超高周波デバイスおよびIC／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2005-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | - |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/AlN/GaN / AlGaN/AlN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャルAlN/サファイア / epitaxial AlN/sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 100mm径基板 / 100-mm-diameter substrates |
| キーワード(6)（和/英） | リセスオーミックコンタクト / recessed ohmic contact |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / - - |
| 第1著者 所属（和/英） | 名工大/日本ガイシ (略称： 名工大/日本ガイシ) Nagoya Institute of Technology/NGK Insulators, Ltd. (略称： NIT/NGK Insulators) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今西 敦 / - / - - |
| 第2著者 所属（和/英） | 名工大 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa / - - |
| 第3著者 所属（和/英） | 名工大 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / - - |
| 第4著者 所属（和/英） | 名工大 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 圭一郎 / - / - - |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本ガイシ (略称： 日本ガイシ) Nihon Gaishi (略称： NGK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 智彦 / Tomohiko Shibata / - - |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本ガイシ (略称： 日本ガイシ) Nihon Gaishi (略称： NGK) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 光浩 / Mitsuhiro Tanaka / - - |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本ガイシ (略称： 日本ガイシ) Nihon Gaishi (略称： NGK) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 修 / - / - - |
| 第8著者 所属（和/英） | 日本ガイシ (略称： 日本ガイシ) Nihon Gaishi (略称： NGK) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2005-01-18 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2004-217, MW2004-224 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | no.550(ED), no.552(MW) |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2005-01-11 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]