講演抄録/キーワード |
講演名 |
2004-12-03 16:30
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 ○竹下達也・須郷 満・佐々木 徹・東盛裕一(NTT) エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2004-129 |
抄録 |
(和) |
AR(Antireflection)端面からOBIC強度(Optical-Beam Induced Current)をモニタしInGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの劣化挙動を明らかにした。突発故障したLDのn-OBICridge(リッジ下pn接合のOBIC強度を電極下pn接合のOBIC強度で正規化にした値)は従来の光学損傷(COD:Catastrophic-Optical Damage)劣化のLDと比べ異なった分布を持ち、劣化機構が異なることを統計的に示した。劣化は転位がAR端面近傍の導波路で発生したことによるものであり、その後、転位はAR端面に達し、最終的に、端面溶融に至ったと推定した。 本突発故障を抑制するにはAR端面近傍の転位発生を抑圧することが重要である。 |
(英) |
Sudden-failure mechanisms of InGaAs/GaAs strained-layer quantum-well lasers (LD) are analyzed by monitoring an optical-beam-induced current (OBIC). The sudden-failure LDs statistically have a different intensity profile of n-OBICridge (pn-junction OBIC under the ridge normalized by that under the electrode) from LDs with conventional catastrophic-optical damage (COD). It appears that dislocations are generated in the vicinity of AR facet and extend to the AR facet, and meltdown finally occurs there. Suppression of dislocation generation around the AR facet is important in preventing sudden failure. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / レーザ信頼性 / エイジング / 端面劣化 / 光励起電流 / OBIC / / |
(英) |
Semiconductor lasers / Quantum well lasers / Failure analysis / Reliability / Aging / Indium compounds / Ridge waveguides / Photon beams |
文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 484, LQE2004-129, pp. 59-64, 2004年12月. |
資料番号 |
LQE2004-129 |
発行日 |
2004-11-26 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2004-129 |