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講演抄録/キーワード
講演名 2004-12-03 16:30
InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析
竹下達也須郷 満佐々木 徹東盛裕一NTTエレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2004-129
抄録 (和) AR(Antireflection)端面からOBIC強度(Optical-Beam Induced Current)をモニタしInGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの劣化挙動を明らかにした。突発故障したLDのn-OBICridge(リッジ下pn接合のOBIC強度を電極下pn接合のOBIC強度で正規化にした値)は従来の光学損傷(COD:Catastrophic-Optical Damage)劣化のLDと比べ異なった分布を持ち、劣化機構が異なることを統計的に示した。劣化は転位がAR端面近傍の導波路で発生したことによるものであり、その後、転位はAR端面に達し、最終的に、端面溶融に至ったと推定した。 本突発故障を抑制するにはAR端面近傍の転位発生を抑圧することが重要である。 
(英) Sudden-failure mechanisms of InGaAs/GaAs strained-layer quantum-well lasers (LD) are analyzed by monitoring an optical-beam-induced current (OBIC). The sudden-failure LDs statistically have a different intensity profile of n-OBICridge (pn-junction OBIC under the ridge normalized by that under the electrode) from LDs with conventional catastrophic-optical damage (COD). It appears that dislocations are generated in the vicinity of AR facet and extend to the AR facet, and meltdown finally occurs there. Suppression of dislocation generation around the AR facet is important in preventing sudden failure.
キーワード (和) 半導体レーザ / レーザ信頼性 / エイジング / 端面劣化 / 光励起電流 / OBIC / /  
(英) Semiconductor lasers / Quantum well lasers / Failure analysis / Reliability / Aging / Indium compounds / Ridge waveguides / Photon beams  
文献情報 信学技報, vol. 104, no. 484, LQE2004-129, pp. 59-64, 2004年12月.
資料番号 LQE2004-129 
発行日 2004-11-26 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2004-129

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2004-12-03 - 2004-12-03 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英) Semiconductor Lasers and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2004-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Sudden failure analysis of InGaAs/GaAs strained-layer quantum-well lasers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor lasers  
キーワード(2)(和/英) レーザ信頼性 / Quantum well lasers  
キーワード(3)(和/英) エイジング / Failure analysis  
キーワード(4)(和/英) 端面劣化 / Reliability  
キーワード(5)(和/英) 光励起電流 / Aging  
キーワード(6)(和/英) OBIC / Indium compounds  
キーワード(7)(和/英) / Ridge waveguides  
キーワード(8)(和/英) / Photon beams  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹下 達也 / Tatsuya Takeshita / タケシタ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 須郷 満 / Mitsuru Sugo / スゴウ ミツル
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 徹 / Toru Sasaki / ササキ トオル
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 東盛 裕一 / Yuichi Tohmori / トウモリ ユウイチ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称: NTT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2004-12-03 16:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2004-129 
巻番号(vol) vol.104 
号番号(no) no.484 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2004-11-26 (LQE) 


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