講演抄録/キーワード |
講演名 |
2004-07-15 11:45
SFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムの動作検証 ○徳田勝利・冨田卓哉・藤原 完・小嶋英充・吉川信行(横浜国大) エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2004-23 |
抄録 |
(和) |
高速性,低消費電力性に優れるSFQ回路とCMOS回路を組み合わせたSFQ/CMOSハイブリッドシステムは,両者の特徴を生かした高性能な情報処理システムとして期待される.本研究では,ハイブリッドシステムの一例として,メモリセル部分にCMOS回路を用いるSFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムを提案し,各要素回路の動作検証を行った.MOSトランジスタはSFQ回路の動作温度である4.2Kに冷却すると特性が変化するため,低温用のデバイスモデルを作成した.ハイブリッドメモリシステムの要素回路であるインターフェイス回路ならびにメモリをJosephson回路とCMOS回路で設計し,メモリシステムを構築すると共に,その要素回路の動作を確認した. |
(英) |
An SFQ/CMOS hybrid system has a possibility to become high-performance digital systems, which uses advantages of both of two technologies, very high speed and low power consumption in the SFQ circuits and very high density of CMOS digital circuits. In this paper, we have proposed an SFQ/CMOS hybrid memory system as an example of the hybrid system and demonstrated its operation. We have established a 4.2K device model of CMOS devices to characterize its operation at 4.2K. We have designed a memory system including interface circuits using Josephson circuits and CMOS circuits and demonstrated its operation. |
キーワード |
(和) |
SFQ回路 / CMOS / ハイブリッドシステム / デバイスモデル / 差動増幅器 / メモリ / / |
(英) |
SFQ circuits / CMOS / hybrid system / device model / differential amplifier / memory / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 104, no. 180, SCE2004-23, pp. 33-38, 2004年7月. |
資料番号 |
SCE2004-23 |
発行日 |
2004-07-08 (SCE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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