電子情報通信学会技術研究報告

Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 120, Number 359

シリコン材料・デバイス

開催日 2021-02-05 / 発行日 2021-01-29

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目次

SDM2020-55
[招待講演]Ru Area Selective Metal Capping and Wafer Surface Condition Control for sub-30nm Pitch Cu Damascene Interconnect
○Hirokazu Aizawa・Kaoru Maekawa・Kai-Hung Yu・Gyana Pattanaik・Gert Leusink(TTCA)
pp. 1 - 6

SDM2020-56
Co-Zr合金の単層バリア材料としての特性
○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一(東北大)
pp. 7 - 10

SDM2020-57
TaN薄膜のバリア特性の限界
○久家俊洋・矢作政隆・小池淳一(東北大)
pp. 11 - 14

SDM2020-58
[招待講演]1umピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響
○香川恵永・上林拓海・羽根田雅希・藤井宣年・古瀬駿介・橋口日出登・平野智之・岩元勇人(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
pp. 15 - 18

SDM2020-59
[招待講演]材料開発のためのAIと、AIのための材料開発
○山道新太郎(日本IBM)
pp. 19 - 22

SDM2020-60
[招待講演]AI・IoT・ビックデータ時代の3次元集積実装技術の研究開発
○菊地克弥(産総研)
pp. 23 - 26

SDM2020-61
[招待講演]3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube)
○菅谷慎二・中條徳男・作井康司・良尊弘幸・中村友二・大場隆之(東工大)
pp. 27 - 32

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会