Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2020-14
［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス
○熊倉 翔（東京エレクトロン宮城）
pp. 1 - 6
SDM2020-15
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発
○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大）
pp. 7 - 11
SDM2020-16
Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications
○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
pp. 12 - 15
SDM2020-17
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET
○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech）
pp. 16 - 19
SDM2020-18
Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet.
○Hoa Thi Khanh Nguyen・Hiroaki Hanafusa・Yuri Mizukawa（Hiroshima Univ.）・Shohei Hayashi（Toray Res. Cent.）・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）
pp. 20 - 24
SDM2020-19
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
○間脇武蔵（東北大）・寺本章伸（広島大）・石井勝利（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・志波良信・諏訪智之（東北大）・東雲秀司・清水 亮・梅澤好太（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ）・黒田理人・白井泰雪・須川成利（東北大）
pp. 25 - 29
SDM2020-20
強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析
○今泉文伸・仲田陸人（小山高専）
pp. 30 - 33
SDM2020-21
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
○秋元 瞭・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利（東北大）
pp. 34 - 39
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．