電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380

vol. 118, no. 60

シリコン材料・デバイス

開催日 2018-05-24 / 発行日 2018-05-17

[PREV] [NEXT]

[TOP] | [2013] | [2014] | [2015] | [2016] | [2017] | [2018] | [2019] | [Japanese] / [English]

[PROGRAM] [BULK PDF DOWNLOAD]


SDM2018-9
フレキシブル有機系熱電変換材料の作製と評価
○岸 直希・日比 聡・吉田祐太・小野恵輔・沢田優真・國枝泰希・近藤雄哉(名工大)
pp. 1 - 3

SDM2018-10
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions
○mansoureh keikhaei・Masaya Ichimura(NIT)
pp. 5 - 10

SDM2018-11
減圧ドライ転写法によるサスペンデッドグラフェンを用いたMEMSバイオセンサ
○喜種 慎・石田隼斗・澤田和明(豊橋技科大)・高橋一浩(豊橋技科大/JSTさきがけ)
pp. 11 - 14

SDM2018-12
Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111)
○A. A. Mohammad Monzur-Ul-Akhir・Masayuki Mori・Koichi Maezawa(University of Toyama)
pp. 15 - 18

SDM2018-13
GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価
○堀切文正・成田好伸・吉田丈洋(サイオクス)
pp. 19 - 22

SDM2018-14
FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性
○清井 明・中村勝光(三菱電機)
pp. 23 - 28

SDM2018-15
トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
○八子基樹(東大)・石川靖彦(豊橋技科大)・和田一実(マサチューセッツ工科大)
pp. 29 - 32


IEICE / 電子情報通信学会