Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2018-16
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大）
pp. 1 - 4
SDM2018-17
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大）
pp. 5 - 9
SDM2018-18
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大）
pp. 11 - 14
SDM2018-19
n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果
○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）
pp. 15 - 18
SDM2018-20
［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～
○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大）
pp. 19 - 22
SDM2018-21
［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展
○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大）
pp. 23 - 28
SDM2018-22
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大）
pp. 29 - 32
SDM2018-23
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大）
pp. 33 - 36
SDM2018-24
第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討
○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大）
pp. 37 - 41
SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大）
pp. 43 - 46
SDM2018-26
X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 47 - 51
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．