電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 116, Number 445

シリコン材料・デバイス

開催日 2017-01-30 - 2017-01-31 / 発行日 2017-01-23

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目次

SDM2016-112
ダイスターパワーアンプ ~ トランジスタ、IC、真空管等を一切使わない新型電力増幅デバイス ~
○岡本研正(光半導体デバイス応用技研)
pp. 1 - 6

SDM2016-113
下地基板の制約を軽減した酸化物結晶薄膜形成技術の検討
○野毛 悟(沼津高専)
pp. 7 - 10

SDM2016-114
バイオ界面のその場観察
○松田直樹・岡部浩隆(産総研)
pp. 11 - 15

SDM2016-115
超伝導ナノワイヤを用いた単一光子検出技術の開発
○三木茂人・山下太郎・藪野正裕・宮嶋茂之・寺井弘高(NICT)
pp. 17 - 21

SDM2016-116
スピンツイスト構造における定在スピン波共鳴特性の数値解析
○牙 暁瑞・田中輝光・松山公秀(九大)
pp. 23 - 26

SDM2016-117
[招待講演]巨大情報量とそのストレージ技術 ~ ヨッタバイト情報への挑戦 ~
○村岡裕明・行場次朗・鈴木陽一・塩入 諭・中尾光之・二瓶真理子・荘司弘樹(東北大)
pp. 27 - 32

SDM2016-118
[招待講演]グリーンスーパーコンピュータZettaScalerの技術と今後の展望
○鳥居 淳(エクサスケーラー)
p. 33

SDM2016-119
[招待講演]機構デバイス分野における研究動向の報告
○関川純哉(静岡大)
pp. 35 - 38

SDM2016-120
[招待講演]超低消費電力断熱動作超伝導集積回路
○吉川信行(横浜国大)
pp. 39 - 44

SDM2016-121
[招待講演]窒化物半導体パワーデバイス開発の現状
○葛原正明(福井大)
pp. 45 - 50

SDM2016-122
[招待講演]強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎(東大)
pp. 51 - 54

SDM2016-123
[招待講演]フレキシブル液晶ディスプレイの開発動向
○石鍋隆宏・藤掛英夫(東北大)
pp. 55 - 58

SDM2016-124
光EFISHG法による有機EL素子の非破壊寿命推定
○田口 大・間中孝彰・岩本光正(東工大)
pp. 59 - 64

SDM2016-125
BOFを用いた光ファイバによる高温度測定への試み
○松田健太郎・長瀬 亮(千葉工大)
pp. 65 - 68

SDM2016-126
数式ベースと遺伝的アルゴリズムの組み合わせによる演算増幅器の自動設計
○鈴木研人・高井伸和・菅原誉士紀・吉澤 慧・大河内一登・石井 司・篠田沙樹・福田雅史(群馬大)
pp. 69 - 74

SDM2016-127
回路性能変化の可視化による学習アルゴリズムを用いた演算増幅器の自動設計
○菅原誉士紀・高井伸和・鈴木研人・吉澤 慧・大河内一登・石井 司・篠田沙樹・福田雅史(群馬大)
pp. 75 - 79

SDM2016-128
時間計測アプリケーションに向けた超低電力フルオンチップ電流比較型RC発振器
○浅野大樹・廣瀬哲也・椿 啓志・三好太朗・尾崎年洋・黒木修隆・沼 昌宏(神戸大)
pp. 81 - 86

SDM2016-129
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正(ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太・柴田 健・佐野聡明(ルネサス システムデザイン)・田中信二・新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)
pp. 87 - 92

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会