Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2016-96
［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～
○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大）
pp. 1 - 5
ED2016-97
［依頼講演］高周波GaN-HEMTの製品化の経緯
○舘野泰範（住友電工）
pp. 7 - 12
ED2016-98
［依頼講演］ミリ波GaN HEMTの現状
○牧山剛三・新井田佳孝・尾崎史朗・多木俊裕・岡本直哉・美濃浦優一・佐藤 優・鎌田陽一・常信和清・渡部慶二（富士通）・宮本泰幸（東工大）
pp. 13 - 16
ED2016-99
［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題
○須田 淳（京大）
pp. 17 - 18
ED2016-100
［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題
○乙木洋平（SCIOCS）
pp. 19 - 22
ED2016-101
［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～
○塩島謙次（福井大）
pp. 23 - 28
ED2016-102
ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研）
pp. 29 - 33
ED2016-103
HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響
○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大）
pp. 35 - 40
ED2016-104
アンテナ-共振器間の飛越結合を用いた有極形フィルタリングアンテナの設計
○宮崎寿基・大平昌敬・馬 哲旺・王 小龍（埼玉大）
pp. 41 - 46
ED2016-105
マイクロストリップコンポジット共振器を用いたデュアルバンド帯域通過フィルタの設計手法の改善
○張 茹・馬 哲旺・大平昌敬・王 小龍（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）
pp. 47 - 52
ED2016-106
GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ
○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機）
pp. 53 - 56
ED2016-107
Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）
pp. 57 - 62
ED2016-108
AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ～ TCADシミュレーションによる検討 ～
○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・山中宏治（三菱電機）
pp. 63 - 68
ED2016-109
低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器
○神岡 純・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機）
pp. 69 - 73
ED2016-110
直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機）
pp. 75 - 79
ED2016-111
ゲート長0.15um GaN HEMTを用いた動作帯域8%、30W出力/60% PAEのX帯GaN電力増幅器
○河村由文・半谷政毅・水谷知大・富山賢一・山中宏治（三菱電機）
pp. 81 - 84
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．