Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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EID2016-31
液晶を用いた導波路伝搬光制御とその表示素子への応用
○塩沢 啓・佐藤銀河・飯村靖文（東京農工大）
pp. 25 - 28
EID2016-32
大型ディスプレイにおけるゲート遅延評価
○月井千尋・沈 昌勲・服部励治（九大）
pp. 29 - 32
EID2016-33
［招待講演］半導体多層薄膜を使った結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子
○北田貴弘・南 康夫・盧 翔孟（徳島大）
pp. 33 - 36
EID2016-34
溶液法で合成したYVO4:Eu,Biナノ蛍光体の局所構造解析
○國本 崇・藤田佳子（徳島文理大）・大倉 央（メルク）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）
pp. 37 - 40
EID2016-35
［ポスター講演］Dependence of ZnO nanostructures fabricated on the different substrates by a novel annealing method
○Shengwen Hou・Lilin Xie・Chaoyang Li（Kochi Univ. Tech.）
pp. 41 - 44
EID2016-36
塗布法により作製した ZnS:Mn 粉末 EL 素子の特性
○柳原邦俊・梅谷 光・三浦 登（明大）
pp. 45 - 48
EID2016-37
亜酸化銅を用いた直流駆動無機ELの検討
○鈴木幹太朗・柳原邦俊・三浦 登（明大）
pp. 49 - 52
EID2016-38
長残光用SrAl2O4:Eu,Dy蛍光体の劣化機構
○大川雅人・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大）
pp. 53 - 56
EID2016-39
高分子安定化リバースモード液晶素子における高分子構造への液晶UV吸収の影響
○山口留美子・井上洸一（秋田大）
pp. 81 - 84
EID2016-40
有機EL照明におけるパルス応答特性の評価
○室園祥光・服部励治・沈 昌勲・安達千波矢（九大）
pp. 101 - 104
EID2016-41
ヘルムホルツ－コールラウシュ効果を考慮した画像の濃度変換によるOLEDの低電力化
○北原蒼士・志賀智一（電通大）
pp. 105 - 108
EID2016-42
アルカリ土類金属元素添加長残光用アルミン酸ストロンチウムの構造及び発光特性
○赤堀太一・羽田京右・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大）
pp. 113 - 116
EID2016-43
生体イメージング用Mn5+付活近赤外ナノ蛍光体
○上原 航・石垣 雅（鳥取大）・稲垣 徹（宇部興産）・中本広大・竹内 遼（鳥取大）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・大観光徳（鳥取大）
pp. 117 - 120
EID2016-44
(La, Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態
○岡田将大・石垣 雅（鳥取大）・吉松 良（デンカ）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・大観光徳（鳥取大）
pp. 121 - 124
EID2016-45
Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長
○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大）
pp. 125 - 128
EID2016-46
Gaの窒化によるGaN粉末の作製と発光特性
○清水乙生・伊藤亜純・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大）
pp. 129 - 132
EID2016-47
高光力赤緑青3原色LEDを用いた極彩色万華灯の発明 ～ 鮮明な濃原色や黒色をも含む芸術的光投射絵の実現 ～
○岡本研正（光デバイス応用技研）
pp. 133 - 135
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．