電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 115, Number 440

シリコン材料・デバイス

開催日 2016-01-28 / 発行日 2016-01-21

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目次

SDM2015-120
[招待講演]Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness Down to 2 nm
○Xiao Yu・Jian Kang・Mitsuru Takenaka・Shinichi Takagi(Univ. of Tokyo)
pp. 1 - 4

SDM2015-121
[招待講演]Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性
○小田 穣・佐久間 究・上牟田雄一・齋藤真澄(東芝)
pp. 5 - 8

SDM2015-122
[招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦(産総研)
pp. 9 - 12

SDM2015-123
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚(東大)・上野啓司(埼玉大)
pp. 13 - 16

SDM2015-124
[招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一(東大)
pp. 17 - 20

SDM2015-125
[招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
○新居浩二・薮内 誠(ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧(ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正(ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司・田中美紀(ルネサス システムデザイン)・田中信二(ルネサス エレクトロニクス)
pp. 21 - 25

SDM2015-126
[招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
○池上一隆・野口紘希・高谷 聡・鎌田親義・天野 実・安部恵子・櫛田桂一・北川英二・落合隆夫・下村尚治・才田大輔・川澄 篤・原 浩幸・伊藤順一・藤田 忍(東芝)
pp. 27 - 30

SDM2015-127
[招待講演]極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET
○井田次郎(金沢工大)
pp. 31 - 34

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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