電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 115, Number 402

電子デバイス

開催日 2016-01-20 / 発行日 2016-01-13

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目次

ED2015-112
[依頼講演]SiC基板の評価技術とデバイス特性
○北畠 真(FUPET)
pp. 1 - 6

ED2015-113
[依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡(三菱電機)
pp. 7 - 12

ED2015-114
[依頼講演]酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術
○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太(NICT)・佐々木公平(タムラ/NICT)・後藤 健(タムラ/東京農工大)・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯(東京農工大)・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸(タムラ)
pp. 13 - 18

ED2015-115
[依頼講演]GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術
○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝(ローム)
pp. 19 - 24

ED2015-116
[依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~
○大石敏之・嘉数 誠(佐賀大)
pp. 25 - 29

ED2015-117
[依頼講演]GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送
○大野泰夫(レーザーシステム)
pp. 31 - 35

ED2015-118
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀(富士通研)
pp. 37 - 41

ED2015-119
GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣(三菱電機)
pp. 43 - 48

ED2015-120
[依頼講演]高周波用GaN-HEMTの開発
○川合貴久(SEDI)
pp. 49 - 54

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会