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 スケジュール情報
研究会 ICD
開催日 2015-04-16 - 2015-04-17
会場 信州大学
発表申込締切日 2015-03-03
議題 メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術

 開催案内

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平成27年4月 ICD研究会(メモリ技術)開催通知と論文募集のご案内
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★ 電子情報通信学会 集積回路研究会 (ICD)
専門委員長 山村 毅 (富士通研)
副委員長 藤島 実 (広島大)
幹事 渡辺 理 (東芝)
幹事補佐 吉田 毅 (広島大), 高宮 真 (東大),
土谷 亮 (京大),範 公可 (電通大)
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メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術について、
研究会を開催いたしますので、論文の投稿と御参加をお待ちしております。



■テーマ:メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術
■会期: 2015年4月16日(木), 17日(金)
■会場: 信州大学 長野(工学)キャンパス 若里総合研究棟 1F大会議室
住所 〒380-8553 長野市若里4-17-1
交通案内 http://www.shinshu-u.ac.jp/guidance/maps/map03.html#traffic
■論文・発表募集テーマ:メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術
■発表形式:口頭発表
■発表申込方法:
・発表タイトル、発表概要(100-200文字程度)他必要事項を
下記URLより入力ください。
http://ken.ieice.org/ken/program/index.php?tgid=IEICE-ICD&lang=jpn

■発表申込締め切り:
3月3日(火) 17:00 まで
ただし、定員に達し次第締め切ります。

・発表を申し込まれた方には、発表締め切り後、
予稿集原稿の提出をお願いします。
予稿集原稿提出要領:
・原稿提出〆切は、開催日の約3週間前。
学会本部より、別途案内いたします。
・形式: 研究会原稿様式(A4) 6ページ以内、論文形式。

■表彰:
・今年度末日まで33歳未満の方は、口頭発表/ポスター発表共に、
「研究会優秀若手講演賞」の表彰審査対象となります。
・賞は、賞状、副賞として1万円が添えられます。
・表彰対象者は、電子情報通信学会会員であるか、入会が
授賞の条件になります。

■本件照会先:
ICD幹事補佐:高宮 真(東京大学)mtaka@iis.u-tokyo.ac.jp


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