1994年電子情報通信学会秋季大会----ソサイエティ先行大会----プログラムC ★エレクトロニクス C− 1. 電磁界理論 9月 26 日   9:00〜11:40  C棟 103 講義室座長 日向 隆(日大) C- 1.  電子の磁気モーメントと重力場・・・・・内田公三(内田国際特許事務所) C- 2.  電磁現象の新たな基本概念(余滴3)− 電磁エネルギーはどのように運ばれるのか− ・・・・・中島將光(京大) C- 3.  Dirichlet ゲージの境界要素法によるウェーク場反作用力の解析・・・・・○ 川口秀樹・本間利久(北大) C- 4.  X 線機能素子における構成物質の屈折率特性・・・・・○ 田代靖彦・宮崎保光(豊橋技科大) C- 5.  X 線シールドにおけるナノメートル電磁波の透過特性・・・・・○ 山崎 茂・宮崎保光(豊橋技科大) 休  憩(10:25 再開) 座長 森下克己(阪電通大) C- 6.  円形断面光導波路のテーパ接合部における電磁界の等角写像による考察・・・・・宮崎保光(豊橋技科大) C- 7.  方形導波管 E 面 T 分岐の散乱特性の解析・・・・・○ Anton Widarta ・鍬野秀三・國分欽智(日大) C- 8.  マイクロストリップ線路不連続における放射損失・・・・・○ 祝  雷(松下寿) ・山下榮吉(電通大) ・城石郁裕(松下寿) C- 9.  誘電率変調型グレーディングの放射効率・・・・・○ 山崎恒樹・田中宏卓・日向 隆・細野敏夫(日大) C- 10.  建築施工現場における RC 構造物の電波伝搬特性・・・・・○ 千葉 元・宮崎保光(豊橋技科大) 9月 26 日   1:00〜 3:55  C棟 103 講義室座長 小林一哉(中大) C- 11.  2 つの導波路間の結合領域における幾何光学解析・・・・・橋本正弘(阪電通大) C- 12.  二媒質誘電体境界面におけるインパルス状線波源による散乱過渡解析・・・・・○ 佐藤弘康・白井 宏(中大) C- 13.  物理光学近似と開口面法の高周波理論的考察・・・・・○ 大堂雅之・安藤 真(東工大) C- 14.  円筒凸形境界面のエッジによる散乱界の遷移領域における解析・・・・・○ 政金浩治・石原豊彦(防衛大) C- 15.  凸形境界の影領域における UTD の適用範囲に関する考察・・・・・後藤啓次・○ 杉原知裕・石原豊彦(防衛大) C- 16.  凹凸境界面から放射されるビーム波の近似解析に関する一考察・・・・・○ 後藤啓次・石原豊彦(防衛大) 休  憩( 2:40 再開) 座長 小柴正則(北大) C- 17.  ベクトルポテンシャル空間回路網におけるジャイロ異方性の取り扱い・・・・・吉田則信(北大) C- 18.  FD-TD 法を用いたマルチスロット給電形電子レンジの加熱ムラ評価  ・・・・・○ 岩渕康司・窪田哲男(日立) ・柏 達也・田頭博昭(北大) C- 19.  二次辺要素を用いた共振器の有限要素解析・・・・・○ 阿波根明・柏本 隆(松下住設機器) C- 20.  3 次元ベクトル動電磁界の新規な境界要素法方程式・・・・・○ 天野義久・如澤 輝(京セラ) C- 21.  相変化光ディスクの案内溝によるビーム波散乱の有限・境界要素結合解析・・・・・○ 田中啓二・宮崎保光(豊橋技科大) C− 2. マイクロ波A 9月 26 日   9:00〜11:55  C棟 101 講義室座長 徳田博邦(東芝) C- 22.  E/D 構成型 L 帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器・・・・・中津川征士・○ 山口 陽・村口正弘(NTT) C- 23.  高利得増幅器の低雑音設計・・・・・○ 楳田洋太郎・榎木孝知・石井康信(NTT) C- 24.  集中定数型 C 帯低雑音増幅器・・・・・○ 塚原良洋・佐々木善伸・安藤直人・松林弘人・谷野憲之(三菱電機) C- 25.  1.9 GHz 帯 GaAsMMIC 電力増幅器・・・・・○ 中島秋重・藤岡 徹・長谷英一・小野秀行・新井 功・稲川浩巳(日立) C- 26.  低電圧単一電源動作 GaAs パワーアンプ MMIC  ・・・・・○ 川久克江・長岡正見・井上智利・藤原郁夫・尾林秀一・高木映児・石田賢二(東芝) C- 27.  TAB テープを用いた UHF 帯マルチチップ高出力 MMIC 増幅器  ・・・・・○ 野谷佳弘・中島康晴・太田行雄・三井康郎・中山正敏・村上 哲・石原 理・三井 茂(三菱電機) 休  憩(10:40 再開) 座長 徳満恒雄(NTT) C- 28.  PHS 用送受信一体型 GaAsMMIC の検討・・・・・○ 藤本和久・國久武人・山本真司・藤本裕雅・太田順道・石川 修(松下電器) C- 29.  前段能動素子サイズを含めた MMIC 内段間整合回路の設計・・・・・○ 加屋野博幸・尾林秀一・前田忠彦・鈴木康夫(東芝) C- 30.  アクティブ帰還型低歪み可変利得増幅器・・・・・○ 西川健二郎・徳満恒雄(NTT) C- 31.  非等幅カスコード接続 FET の位相歪に関する検討・・・・・○ 林  等・中津川征士・村口正弘(NTT) C- 32.  22 GHz 帯1チップ MMIC 歪補償回路・・・・・○ 神田 淳・今井伸明・中前 優(NTT) 9月 26 日   1:00〜 5:25  C棟 101 講義室座長 高木 直(三菱電機) C- 33.  6 〜55 GHz 帯モノリシック分布増幅器・・・・・○ 小方規子・伊藤康之・堀家淑恵・中原和彦・吉田直人・高木 直(三菱電機) C- 34.  DC〜60 GHz 帯 InAlAs/InGaAs HEMT 低損失型分布ベースバンド増幅器 IC  ・・・・・○ 木村俊二・今井祐記・俛田洋太郎・榎木孝知(NTT) C- 35.  多層構造を用いた Ka 帯 MMIC 平衡型増幅器・・・・・○ 今岡俊一(ATR) ・馬場清一(三洋電機) ・皆川 晃・今井伸明(ATR) C- 36.  W 帯モノリシック低雑音増幅器・・・・・○ 中原和彦・伊藤康之・佐倉武志・加藤隆幸・吉田直人・高木 直(三菱電機) C- 37.  AMSR 用 W 帯モノリシック低雑音増幅器モジュール  ・・・・・○ 伊藤康之・中原和彦・佐倉武志・吉田直人・高木 直(三菱電機) ・伊東康之(NASDA) C- 38.  60 GHz 帯 MMIC 2段高出力増幅器  ・・・・・舟橋政弘・恩田和彦・大畑恵一(ミリウェイブ) ・○ 井上 隆・細谷健一・葛原正明(NEC) C- 39.  フリップチップボンディングを用いた新しいミリ波 IC [MFIC]の基礎検討  ・・・・・○ 酒井啓之・吉田隆幸・森川 治・井上 薫・高橋和晃・藤田 卓・佐川守一(松下電器) C- 40.  MBB 実装を用いた K 帯 MFIC 増幅器・・・・・○ 藤田 卓・高橋和晃・佐川守一・酒井啓之・井上 薫・吉田隆幸(松下電器) 休  憩( 3:10 再開) 座長 佐川守一(松下電器) C- 41.  1.5 GHz 帯 BPF 内蔵 VCO・・・・・○ 永富義孝・橋本興二・水川重康(松下電子部品) C- 42.  リング共振器を用いた逓倍発振器の基本検討・・・・・○ 齊藤典昭・矢吹博幸・佐川守一・牧本三夫(松下電器) C- 43.  1/4 波長インピーダンス変成器結合形副共振器を用いた S 帯電圧制御発振器  ・・・・・○ 池松 寛・坂本丈治・今井芳彦・伊東健治・飯田明夫(三菱電機) C- 44.  FET 直列装荷形2ビット一体化ローデッドライン移相器・・・・・○ 伊山義忠・稲見和喜・神谷信之・塚原良之・飯田明夫(三菱電機) C- 45.  PIN ダイオード移相器の混変調歪みに関する検討・・・・・○ 中原新太郎・松永 誠(三菱電機) C- 46.  ストリップ導体装荷 W 帯フィンラインダイオードスイッチ・・・・・松永 誠(三菱電機) C- 47.  2 個の SRD を用いた周波数逓倍・・・・・○ 齋藤暖也・高島 貢(東京農工大) C- 48.  偶高調波 BP SK 変調器の変調特性・・・・・○ 伊東健治・坂本丈治・田島賢一・飯田明夫・大沢充弘(三菱電機) C- 49.  光制御マイクロストリップ間隙における光照射に関する一考察・・・・・堀井康史(関西大) 9月 27 日   9:00〜11:40  C棟 101 講義室座長 大平 孝(NTT) C- 50.  高精度非線形 FET モデル・・・・・○ 市村純子・渡辺 茂・上橋 進(東芝) C- 51.  ステップドープチャネル FET の大信号特性解析  ・・・・・○ 井上 晃・河野康孝・後藤清毅・中島康晴・三井康郎・石原 理・三井 茂(三菱電機) C- 52.  大信号回路解析に向けた HEMT 非線形モデル・・・・・谷本琢磨(日立) C- 53.  1.9 GHz 帯超小型高効率電力増幅マイクロ波 MCM-C・・・・・○ 須崎秀史・山中利晃・土基博史・井田雅夫・西川敏夫(村田製作所) C- 54.  2 倍波処理回路による UHF 帯 HBT 増幅器の高効率化・・・・・○ 森 一富・伊藤康之・紫村輝之・酒井将行・高木 直(三菱電機) 休  憩(10:25 再開) 座長 井田雅夫(村田製作所) C- 55.  正電源 AGC 付低雑音増幅器・・・・・○ 本吉 要・多良勝司・反保敏治(松下電子工業) C- 56.  広帯域での安定化を考慮した低雑音増幅器の設計・・・・・○ 川島茂信・若林輝美・吉田州志・井田雅夫・西川敏夫(村田製作所) C- 57.  等経路型リニアライザを用いた L 帯低歪みマルチキャリア増幅器  ・・・・・○ 中山正敏・小倉 恵・足立英彦・池田幸夫・高木 通(三菱電機) C- 58.  25 GHz 帯 HBT 高出力増幅回路の検討・・・・・○ 金 昌佑・後藤典夫・天宮 泰・田中慎一・嶋脇秀徳・本城和彦(NEC) C- 59.  ディジタルバイアス制御方式線形化増幅器の可変バイアス信号発生回路の検討・・・・・○ 尾林秀一・前田忠彦・鈴木康夫(東芝) 9月 28 日   9:00〜12:10  C棟 101 講義室座長 大畑恵一(ミリウェーブ) C- 60.  V 帯 MMIC 誘電体共振発振器・・・・・○ 舟橋政弘・大畑恵一・恩田和彦(ミリウェイブ)   細谷健一・井上 隆・葛原正明(NEC) ・金川 潔・小林■夫(埼玉大) C- 61.  30 GHz 帯セミモノリシック誘電体共振発振器・・・・・○ 河崎義博・白川和雄・大橋洋二(富士通研) ・斉藤民雄(ミリウェイブ) C- 62.  ミリ波帯ヘテロ接合 FET MMIC 電圧制御発振器  ・・・・・○ 大畑恵一・舟橋政弘・恩田和彦(ミリウェイブ) ・井上 隆・丸橋建一・細谷健一・葛原正明(NEC) C- 63.  U 帯ガウシアンビーム発振器・・・・・○ 清川雅博・松井敏明(通信総研) C- 64.  共鳴トンネル・ダイオードを用いたミリ波・サブミリ波帯準光学的発振器アレイ− 理論的検討−  ・・・・・○ 藤井 哲・真嵜弘行・■ 鐘石・水野皓司(東北大) C- 65.  受信モジュール用 24 GHz 帯 MMIC 発振器  ・・・・・○ 丸橋建一・ロガン デクル・モハマド マディヒアン・恩田和彦・葛原正明(NEC) 休  憩(10:40 再開) 座長 小川博世(NTT) C- 66.  3 段 SPST を用いた高アイソレーション型 RF スイッチ MMIC  ・・・・・○ 太田順道・坂倉 真・藤本和久・山本真司・藤本裕雅(松下電器) C- 67.  1.9 GHz 帯 MMIC 送受切替えスイッチ・・・・・○ 豊田一彦(NEL) ・徳満恒雄(NTT) C- 68.  Ka 帯ブリッジ型 MMIC スイッチ・・・・・○ 松井一浩・皆川 晃・今井伸明(ATR) C- 69.  分布形 FET スイッチを用いたスイッチマトリクスの等利得化  ・・・・・○ 重松智徳・伊東健治・中根正文・茶木 伸・飯田明夫(三菱電機) C- 70.  ミリ波 MMIC FET スイッチの高アイソレーション化の検討・・・・・○ 皆川 晃・今井伸明(ATR) C- 71.  多層構造を用いたミリ波帯1チップ IC 化無限移相器・・・・・○ 今井伸明・今岡俊一(ATR) ・馬場清一(三洋電機) 9月 28 日   1:00〜 3:15  C棟 101 講義室座長 本城和彦(NEC) C- 72.  発振機能を持つ HBT 光マイクロ波ミキサの基本特性・・・・・○ 澤田 久・末松英治・今井伸明(ATR) C- 73.  シングルバランスミキサを用いた周波数変換器の歪み特性についての一検討  ・・・・・○ 荒井 智・鶴見博史・前田忠彦・谷本 洋(東芝) C- 74.  超小型多層化 MMIC イメージリジェクションミキサ・・・・・○ 鴨川健司・西川健二郎・豊田一彦・徳満恒雄(NTT) C- 75.  低歪み K 帯レジスティブ FET ミキサ MMIC ・・・・・○ 中川匡夫・広田哲夫(NTT) C- 76.  広帯域分布型 HEMT ミクサ・・・・・○ 宮崎 淳・竹中 勉・松浦裕之(テラテック) C- 77.  バランス構成による 50 GHz 帯ハーモニックミキサ・・・・・九里孝輝・山本哲生(SCR) ・○ 村上誠一・近藤秀敏(NEC) C- 78.  MESFET を用いた 60 GHz 帯 MMIC ミキサ・・・・・広田哲夫(NTT) C- 79.  100 GHz 帯プレーナ形 SIS ミキサ  ・・・・・○ 檜枝護重・児島一良・高見哲也・柏 卓夫・飯田明夫・今谷敏夫(三菱電機) ・稲谷順司(国立天文台) C- 80.  ミリ波超伝導ミキサ・アンテナの検討  ・・・・・○ 山口恵一・林 邦彦(超電導工研) ・伊藤精彦(北大) ・鈴木克己・榎本陽一(超電導工研) C− 2. マイクロ波B 9月 27 日   9:00〜11:40  C棟 102 講義室座長 提  誠(京都工繊大) C- 81.  YIG 薄膜を用いた静磁波遅延線に関する一考察・・・・・○ 大久保賢祐(岡山県立大) ・堤  誠(京都工織大) C- 82.  表面静磁波の非線形動作時の過渡応答特性・・・・・○ 北谷和弘・岡村康行・山本錠彦(阪大) C- 83.  YIG 膜装荷スロット線路で励振される静磁表面波の放射抵抗・・・・・○ 浅尾英喜・大和田哲・大橋英征・宮崎守泰(三菱電機) C- 84.  YIG 多結晶体を用いたミリ波帯域通過フィルタ・・・・・○ 長谷川浩文・島崎仁司・堤  誠(京都工織大) C- 85.  共平面線路形サーキュレータの動作周波数について  ・・・・・○ 佐藤 直・梅田祐紀・澤佐博行・中野英樹・越地耕二・周 英明(東京理科大) C- 86.  3 円板フェライト接合共振器によるサーキュレータの広帯域動作について・・・・・○ 高平正志・田中善吾・長尾 司(防衛大) 休  憩(10:40 再開) 座長 松村和仁(宇都宮大) C- 87.  非平行曲がり誘電体導波路間の結合特性・・・・・○ 黄 宰孝・古神義則・苫米地義郎・松村和仁(宇都宮大) C- 88.  任意多層誘電体開放構造における静電グリーン関数の一般解析解・・・・・○ 李 可人・厚木和彦(電通大) C- 89.  周期構造誘電体ロッド導波路における HE 波の漏減特性・・・・・○ 久保 洋・山口和彦(山口大) C- 90.  集束形ロッドレンズ内の電波通路・・・・・古田島博・○ 榎本利章・桂 謙二(法大) 9月 28 日   3:25〜 5:25  C棟 101 講義室座長 野口泰正(近畿大) C- 91.  2 次元有限差分時間領域法による損失のあるマイクロストリップ線路の伝送特性解析・・・・・○ 藤井雅文・小林純夫(住友金属) C- 92.  導体損をもつマイクロストリップ線路の全波動解析・・・・・○ 柴田 治・厚木和彦・李 可人(電通大) C- 93.  角を丸くした導体をもつマイクロストリップ線路の特性解析・・・・・○ 白坂幸一・厚木和彦・李 可人(電通大) C- 94.  台形断面導体をもつストリップ線路の特性解析・・・・・○ 新井健嗣・厚木和彦・李 可人(電通大) C- 95.  誘電体複合基板を用いたマイクロストリップライン素子・・・・・神波誠治・川端一也・○ 山田秀章・鷹木 洋(村田製作所) C- 96.  超広帯域 IC 用インバーテットマイクロストリップ配線構造・・・・・○ 山口 聡・柴田随道・今井祐記・平野 真(NTT) C- 97.  高比誘電率方形誘電体中に配置したブロードサイド結合形コプレーナ線路の特性解析・・・・・○ 宮武 規・野口泰正(近畿大) C- 98.  共平面形線路の角形曲がり部の空間回路網法による解析  ・・・・・○ 太田義昭・大来帰雅志・澤佐博行・中野英樹・越地耕二・周 英明(東京理科大) 9月 29 日   9:00〜11:55  C棟 101 講義室座長 坂上岩太(室蘭工大) C- 99.  インダクティブな反射形回路要素に関する実験的検討・・・・・○ 中村守孝・高橋吉哉・高島 貢(東京農工大) C-100.  結合線路を用いた小形化ラットレース・・・・・○ 坂上岩太・増田 裕(室蘭工大) C-101.  結合マイクロストリップ線路を用いたブランチライン形ハイブリッドリング・・・・・○ 永嶺真治・坂上岩太(室蘭工大) C-102.  可変周波数帯方向性結合器・・・・・○ 中津川征士・村口正弘(NTT) C-103.  インピーダンス変成形多段結合線路を用いた方向性結合器・・・・・○ 大橋英征・湯川秀憲・大和田哲・浅尾英喜(三菱電機) C-104.  8ポートハイブリッドの位相特性と回路構造・・・・・○ 河合 正・小久保吉裕・太田 勲(姫路工大) C-105.  エバネッセント波を用いたミリ波・サブミリ波帯金属メッシュ結合器  ・・・・・○ ■ 鐘石(東北大) ・Jung-Chih Chiao (California Insthitute of Technology)・ 水野皓司(東北大) ・Daujd B. Rut Iedge(California Institute of Technolog y) 休  憩(10:55 再開) 座長 浅尾英喜(三菱電機) C-106.  導波管誘電性アイリスのコーナ部形状によるサセプタンスの変化  ・・・・・○ 湯川秀憲・大橋英征・西野 有・宮崎守泰・浅尾英喜(三菱電機) C-107.  リッジ導波管で支持された同軸線路の構成法  ・・・・・○ 豊田圭祐・新井宏之(横浜国大) ・木村晴行・藤井栄幸・三枝幹雄・森山伸一(原子力研) C-108.  折り返しプローブと Y 形矩絡器を用いた同軸線路− 導波管変換器  ・・・・・○ 大和田哲・大橋英征・宮崎守泰・青木 浩・浅尾英喜(三菱電機) C-109.  コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析  ・・・・・○ 後藤清毅・井上 晃・加藤隆幸・中島康晴・三井康郎・石原 理・三井 茂(三菱電機) 9月 29 日   1:00〜 5:10  C棟 101 講義室座長 穴田哲夫(神奈川大) C-110.  L 帯広帯域誘電体フィルタ・・・・・池松 寛・宮崎守泰(三菱電機) ・○ 疋田節雄・佐藤久夫・高木克敏(富士電気化) C-111.  携帯電話用超小型積層プレーナフィルタ・・・・・○ 佐藤祐己・石崎俊雄・櫛谷 洋・佐々木厚(松下電器) C-112.  狭帯域通過特性を有するインタディジタル形コプレーナ線路共振器バンドパス・フィルタ  ・・・・・○ 和田光司・野口泰正・岡本充夫(近畿大) C-113.  スプリアス応答抑圧特性を有する側結合形バンドパスフィルタ・・・・・○ 天野 隆・鶴見博史・前田忠彦・鈴木康夫(東芝) C-114.  ストリップ線回路に依るワグナー形帯域通過フィルタの実現−−片側スタブ構成5段の場合−−  ・・・・・○ 小林眞樹・田中 徹・穴田哲夫・許 瑞邦(神奈川大) C-115.  コムライン形コプレーナ線路共振器バンドパス・フィルタ・・・・・○ 東野恵理子・和田光司・野口泰正(近畿大) C-116.  タップ給電した多段平行結合線路共振器の過渡解析・・・・・○ 村上和人・石井順也(近畿大) C-117.  U 字形導体による扇形共振器間結合の制御・・・・・○ 西野 有・宮崎守泰・米田尚史・浅尾英喜(三菱電機) 休  憩( 3:10 再開) 座長 池田明寛(NEC) C-118.  ソフト基板のミリ波帯スロット共振器の評価・・・・・今野健一・○ 飯塚 泰・小島高代(アンテナ技研) C-119.  多層化 MMIC 方向性結合器を用いた Ka 帯トランスバーサルフィルタ  ・・・・・○ 平塚敏朗(村田製作所) ・馬場清一(三洋電機) ・今井伸明・小川英一(ATR) C-120.  ミリ波帯誘電体共振器最適設計法・・・・・○ Mohammad Madihian ・Laurent Desclos (NEC) C-121.  補正誘導性アイリスを用いた Ku 帯広帯域導波管形分波器・・・・・○ 宮崎守泰・西野 有・湯川秀憲・浅尾英喜(三菱電機) C-122.  アイリス一体型 Ka バンド TE101 モードデュープレクサ・・・・・高橋邦治・清 久介・○ 池田明寛(NEC) C-123.  誘電体多層膜帯域フィルタの最大減衰量と膜数の相関・・・・・○ 若林 勇・宮内一洋(東京理科大) C-124.  柔軟性を有する電子スピン共鳴計測用サーフェイスコイル型共振器の試作・・・・・小野光弘・○ 岩井久子・平田 拓(山形大) C-125.  試料を挿入したループ・ギャップ共振器内の磁界分布・・・・・小野光弘・○ 前野 仁・平田 拓(山形大) C− 2. マイクロ波C 9月 29 日   1:00〜 2:15  C棟 102 講義室座長 平井克己(東芝) C-126.  60 GHz 帯ハンディ OA システム用受信モジュール  ・・・・・○ 八塚弘之・横山忠夫・斉藤民雄・日高紀雄(ミリウェイブ) ・二宮照尚(富士通研) C-127.  60 GHz 帯非接触型 ID カードシステム用受信部伝送特性  ・・・・・○ 横山忠夫・八塚弘之・日高紀雄・斉藤民雄(ミリウェイブ) ・二宮照尚・白川和雄(富士通研) C-128.  移動体識別システムの試作実験機による耐妨害特性の検討・・・・・○ 深川 隆・安達尚季・前田憲一・長谷川誠(松下電器) C-129.  V 帯 FM/FSK 送信モジュール  ・・・・・井上明彦・舟橋政弘・大畑恵一・瀧本幸男(ミリウェイブ) ・桑原俊秀・赤石 誠・○ 篠崎 了(NEC) C-130.  薄膜基板を用いた移動体通信用フロントエンドハイブリット IC の検討  ・・・・・○ 伊藤順治・吉田隆幸・村井智彦・八木能彦・高橋和晃・佐川守一(松下電器) C− 3. 光エレクトロニクス 9月 26 日   9:00〜11:55  C棟 105 講義室座長 清水健男(古河電工) C-131.  F ,GeO2 共ドープ石英ガラスの散乱特性・・・・・○ ・・・・・川恭三・大橋正治・白木和之・立田光廣(NTT) C-132.  低散乱ゲルマン酸系ガラス・・・・・○ 坂口茂樹・轟 眞市・杉井清昌(NTT) C-133.  回転対称界用スカラ形 FD-TD 法・・・・・山内潤治・○ 仁部正之・中野久松(法大) C-134.  直線集束ビーム超音波顕微鏡による光ファイバ・プリフォームの特性解析・評価法に関する検討  ・・・・・○ 小野 雄・櫛引淳一・中鉢憲賢(東北大) C-135.  分散補償光ファイバ・・・・・○ 赤坂洋一・杉崎隆一・梅田 淳・小倉邦男(古河電工) 休  憩(10:25 再開) 座長 渡辺 勉(フジクラ) C-136.  2重クラッド型分散補償ファイバの試作・・・・・大橋正志・福田智恵・金森弘雄・○ 渡辺 稔(住友電工) C-137.  SBS 抑圧ファイバの特性・・・・・○ 白木和之・大橋正治・立田光廣(NTT) C-138.  偏波保持光ファイバの高速・高精度評価法・・・・・○ 姫野邦治・澤田 稔・鈴木文生・山内良三(フジクラ) C-139.  Nd:YAG レーザによる偏波保持光ファイバの光力− 係数測定・・・・・○ 岩本貴敏・辻 康仁・今井正明・今井 洋(室工大) C-140.  高強度エキシマレーザ光伝送用光ファイバの特性・・・・・○ 金田恵司・鴫原和宏・社本尚樹・妻沼孝司・真田和夫(フジクラ) C-141.  高密度多心光ファイバアレイ・・・・・梶山真一・○ 村上和也・寺岡達夫(日立電線) ・加藤 猛(日立) 9月 26 日   1:00〜 5:40  C棟 105 講義室座長 田中 茂(住友電工) C-142.  二次元 PANDA ファイバアレーの試作・・・・・○ 小薮国夫・松永光司・大平文和・山本 剛(NTT) C-143.  超低損失アレイ化モードフィールド変換ファイバ・・・・・○ 小野卓宏・及部 晃・清水健男・柳川久治(古河電工) C-144.  波長多重部のコア拡大接続損失の検討・・・・・○ 式井 滋(沖電気) ・西村 淳(沖テック) ・王 一民・片岡春樹(住友セメント) C-145.  高温動作高光出力励起レーザモジュール・・・・・○ 高瀬泰治郎・愛清 武・並木 周・白坂有生(古河電工) C-146.  光ファイバ増幅器用光回路モジュール・・・・・○ 福崎郁夫・香月陽一郎(沖電気) ・川幡雄一・織戸敏広(応用光電) C-147.  Er 添加ファイバの長期γ線照射試験  ・・・・・福田智恵・千種佳樹・柏田智徳・大西正志・○ 金森弘雄(住友電工) ・岡本信一(阪府大) C-148.  小型エルビウムドープ光ファイバ増幅器  ・・・・・式井 滋(沖電気) ・太田安則・川越亮生(沖テック) ・佐々木亮・○ 柿沼孝之(沖電気) C-149.  波長多重型双方向光ファイバ増幅器の利得補償・・・・・○ 光田昌弘・雄谷 順・宇野智昭(松下電器) C-150.  分散補償器組込み型光ファイバ増幅器・・・・・○ 中野博行・佐々木愼也(日立) 休  憩( 3:25 再開) 座長 川井義雄(沖電気) C-151.  Pr3 + 添加ファイバ増幅器の励起スペクトル特性・・・・・○ 大石泰丈・金森照寿・清水 誠・須藤昭一(NTT) C-152.  高利得・1.3 μm 帯ファイバ型光増幅器  ・・・・・○ 山田 誠・赤堀裕二・清水 誠・大石泰丈・金森照寿・池田睦夫・天明二郎・須藤昭一(NTT) C-153.  1.4 μm 帯 Tm-Ho 共添加 ZBLYAN 光ファイバアンプの増幅特性  ・・・・・○ 阪本 匡・清水 誠・金森照寿・照沼幸雄・山田 誠・大石泰丈・須藤昭一(NTT) C-154.  1.064 μm 帯 Nd ドープ光ファイバ増幅器・・・・・○ 宮崎哲弥・唐沢好男(ATR) ・吉田 実(三菱電線工業) C-155.  高精度雑音指数測定器の開発・・・・・○ 森  徹・李 哲賢・竹内伸成・前田幹夫(安藤電気) C-156.  偏波モード安定化した Er ドープファイバリングレーザのシングルモート発振:実験結果  ・・・・・○ 史 朝翔・山下真司・保立和夫(東大) C-157.  ファブリペローエタロンを用いた波長可変リングレーザ・・・・・○ 上村有朋・小宮 剛・市川俊亨・飛田康夫(三菱電機) C-158.  光ファイバ型位相変調器のマイクロ波入力インピーダンス整合  ・・・・・○ 堀 清敬・佐藤信也・今井正明(室蘭工大) ・元井和司・小田島晟(北工大) C-159.  光変調受信アンテナの共振による高威度化  ・・・・・生岩量久・中  尚・石川 匡(NHK) ・○ 鳥羽良和・村松良二・近藤充和・佐藤由郎(トーキン) 9月 27 日   9:00〜12:10  C棟 105 講義室座長 中島啓幾(富士通研) C-160.  熱光学効果を用いたチューナブル波長フィルタの検討・・・・・○ 中沢忠雄・谷口眞司・清野 實(富士通研) C-161.  偏波無依存液晶可変波長フィルタモジュールの特性・・・・・○ 吉沢鐵夫・黒川隆志(NTT) C-162.  複屈折導光板を用いた可変光遅延線とマルチチャネルフィルタ・・・・・○ 山口正泰・平林克彦(NTT) C-163.  液晶透過/反射板を用いた円偏光制御型光スイッチ・・・・・○ 皆方 誠(新技術事業団) ・佐藤 進(秋田大) C-164.  曲線電極を用いた交差光スイッチの伝搬特性解析・・・・・○ 佐々木恭一・篠原茂信(静岡大) ・宮崎保光(豊橋技科大) C-165.  フリースペース光スイッチの長スパン光学系の設計と特性・・・・・○ 白井誠一・芹川 正(NTT) 休  憩(10:40 再開) 座長 小倉基次(松下電器) C-166.  放射モード変換導波型光アイソレータ,タイプ2・・・・・新宅敏宏(NTT) C-167.  PLC 上へハイブリッド集積した光アイソレーター回路の特性  ・・・・・○ 館 彰之・照井 博・山田泰文・杉本直登・加藤雄二郎(NTT) ・杉田彰夫  (NTTエレクトロニクステクノロジー) ・井上靖之・安藤慎治・澤田 孝(NTT) C-168.  CdMnHgTe 結晶を用いた 0.98 μm 帯光アイソレータ・・・・・小野寺晃一・○ 木村昌行(トーキン) C-169.  面内磁化形磁気光学結晶(LuNdB i)3 (FeA l)5O12 の Ar スパッタエッチングによる損失増加  ・・・・・○ 横井秀樹・水本哲弥・内藤喜之(東工大) C-170.  波長 1.31 μm 帯における広帯域光アイソレータ用 LPE 膜  ・・・・・○ 鈴木利保・河合博貴・梅澤浩光・陸川 弘・佐々木勇(富士電気化学) C-171.  980 ,1020 nm 帯光アイソレータ用高格子定数 LPE 膜  ・・・・・○ 河合博貴・藤井信三・梅澤浩光・陸川 弘・佐々木勇(富士電気化学) 9月 28 日   9:00〜12:10  C棟 105 講義室座長 馬場俊彦(横浜国大) C-172.  変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(U)  ・・・・・○ 山口昌幸・加藤友章・阪田康隆・井元康雅・小松啓郎・北村光弘(NEC) C-173.  吸収変化を伴う MQW,Mach-Zehnder 変調器におけるチャーピングの検討・・・・・○ 石坂政茂・清水淳一・小松啓郎(NEC) C-174.  InGaAsPEA 変調器のパイルアップ防止層と符号誤り率特性  ・・・・・○ 田中英明・鈴木正敏・堀田昌克・多賀秀徳・松島裕一(KDD) C-175.  フレア型 1.5μm 帯アイセーフパルス LD の大出力特性・・・・・○ 玉貫岳正・佐々木達也・北村光弘(NEC) C-176.  可変波長半導体レーザを用いた多段波長変換・・・・・○ 八坂 洋・石井啓之・吉國裕三・尾江邦重(NTT) 休  憩(10:25 再開) 座長 中野義昭(東大) C-177.  超高速モノリシック PIN-HEMT 及びモノリシック用レーザ  ・・・・・○ 板屋義夫・赤堀裕二・加藤和利・村本好史・界 義久・幸前篤郎・松本信一(NTT) C-178.  InP /InGaAsHBT プロセスに完全整合する超広帯域 pin-PD  ・・・・・○ 上綱秀樹・松岡 裕・山幡章司・中島裕樹・小川博世(NTT) C-179.  光フリップフロップ高感度化の検討・・・・・○ 森藤英治・土屋昌弘・神谷武志(東大) C-180.  シミュレーティッドアニーリングを用いた光電子デバイスの2次元最適設計手法  ・・・・・○ 原 邦彦・岩本貴司・久間和生(三菱電機) C-181.  半導体 MQW 構造を用いた部分的非線形導波形光デバイスの高効率動作・・・・・○ 村田博司・井筒雅之(阪大) C-182.  極微開口部を有する半導体微小分岐回路・・・・・○ 鈴木耕一・小山二三夫・加藤淳一・松谷晃宏・伊賀健一(東工大) C-183.  半導体 InP 系コーナー導波路・・・・・○ 麦野 明・小沢章一・清水健男・柳川久治(古河電工) 9月 28 日   1:00〜 5:25  C棟 105 講義室座長 板屋義夫(NTT) C-184.  1.3 μm 短共振器歪 MQW レーザの無バイアス変調動作・・・・・○ 千賀賢一・佐々木善浩・山田博仁・鳥飼俊敬・宇治俊男(NEC) C-185.  半導体レーザの変調歪の光学的な補償法の検討・・・・・○ 金子進一・足立明宏・山下純一郎(三菱電機) C-186.  斜め端面を有する PLC プラットフォームへの LD ゲートハイブリッド集積・・・・・○ 小川育生・山田泰文・照井 博(NTT) C-187.  プレーナプロセスによる半導体レーザ/単一モードファイバ無調芯結合モジュール  ・・・・・○ 嶋田純一・澤田廉士・鈴木与志雄・田中秀尚・渡部昭憲(NTT) C-188.  光送受信モジュールの気密封止技術・・・・・○ 後藤明生・山内賢治・蔵田和彦・石川重太・岡本拓磨(日電) C-189.  キャピラリを用いた1軸調整 LD-光ファイバ間アレイ光結合構造の検討・・・・・○ 高原秀行・森田 明・新井芳光(NTT) C-190.  光 CATV 加入者系双方向伝送用小型発受光結合素子(2)受信信号強度安定化  ・・・・・石川 匡(NHK) ・○ 大杉幸久・江尻哲也・福山暢嗣・小塚義成(日本ガイシ) C-191.  光ファイバ側面入射による単心双方向モジュール・・・・・○ 間島秀夫(ナステック) ・船浪雪弥・橘 正夫・鈴木信雄(セイコー電子) 休  憩( 3:10 再開) 座長 西澤紘一(日本板硝子) C-192.  導波路と多心ファイバの低損失接続技術・・・・・○ 高橋龍太・門井孝行・竹谷則明・白田知之・深堀敏夫(日立電線) C-193.  補助加熱を用いたガラス導波路と光ファイバのレーザ融着接続・・・・・松本和久・諸沢健一・駒野晴保・○ 塩田恒夫(日立電線) C-194.  光部品組立用耐久性接着剤・・・・・○ 村田則夫・西 史郎・細野 茂(NTT) C-195.  SiO2/Si ハイブリッド光集積プラットフォームにおけるコプレーナ線路の特性  ・・・・・○ 美野真司・山田泰文・吉野 薫・安 光保・森脇和幸(NTT) C-196.  光実装のための Si 直接張り合わせを用いる V 溝付き Si 基板の平坦化・・・・・○ 田淵晴彦・和田 修(富士通研) C-197.  電気光混載配線板上でのフリップチップ面受光素子− 導波路間光結合・・・・・○ 小池真司・松井伸介・高原秀行(NTT) C-198.  リッジ形 Ti :LiNbO3 光変調器の構造と特性・・・・・○ 野口一人・三冨 修・宮澤 弘(NTT) C-199.  イオン交換処理による LiNbO3 光導波路デバイスの DC ドリフト低減  ・・・・・○ 金山義信(NEC) ・山中昭司・川路 均(広島大) ・船木利和・友常 薫・河谷篤實(NEC) C-200.  直線集束ビーム超音波顕微鏡による光デバイス作製プロセスの評価−−プロトン交換プロセスへの適用−−  ・・・・・○ 櫛引淳一・宮下雅仁・小野 雄・中鉢憲賢(東北大) 9月 29 日   9:00〜12:10  C棟 105 講義室座長 白石和男(宇都宮大) C-201.  光ファイバ自動端末処理装置の開発  ・・・・・○ 植田哲司・田辺 尚・小松耕哉・防野克己・大野一彦(NEC) ・山本浩司(NECエンジニアリング) C-202.  多数本取り光コネクタ研磨機・・・・・皆見浩二・鴇田広行(ナステック) ・○ 石山圭一・鈴木信雄(セイコー電子) C-203.  プリアッセフュルールを用いた SC 形光コネクタの諸特性  ・・・・・○ 長瀬 亮・金山和則・加藤邦治・小口重光・吉澤高志・永山 昭(NTT) C-204.  超低反射戻り光 Angled-PC コネクタ・・・・・平 淳司・皆見浩二・島田友弘(ナステック) ・○ 鈴木信雄(セイコー電子) C-205.  MPO コネクタを用いたバックパネル形多心光コネクタの検討・・・・・○ 松浦一郎・上田知彦・山西 徹(住友電工) 休  憩(10:25 再開) 座長 堀口正治(NTT) C-206.  プッチンマイクロコネクターUによる自導光結合法(2)−−光マイクロコネクタの光結合損失の基礎検討−−  ・・・・・○ 加藤利雄・渡辺隆司・水野ロジェリオ純(東工大) ・馬場俊彦(横浜国大) ・伊賀健一(東工大) C-207.  先球コアレスファイバを用いた長作動距離レンズドファイバの試作  ・・・・・○ 小山直人・白石和男・松村和仁(宇都宮大) ・大石 勇・須賀 繁(古河電工) C-208.  水素処理ファイバを用いた高反射率ファイバグレーティングの作製・・・・・稲井麻紀・○ 伊藤真澄・井上 享(住友電工) C-209.  ファイバグレーティングの信頼性評価・・・・・稲井麻紀・伊藤真澄・井上 享・○ 弾塚俊雄(住友電工) C-210.  光ファイバカプラの偏波依存ロス測定方法・・・・・○ 山崎成史・和田 朗・宍倉伸一郎・鈴木文生・山内良三(フジクラ) C-211.  DSF と SMF からなる広帯域波長カプラ・・・・・○ 森 常雄・阿部 淳・島田忠克(信越化学工業) C-212.  アレイ化融着型光ファイバカプラの超小型化・・・・・○ 渡辺 実・山崎成史・鈴木文生・山内良三(フジクラ) 9月 29 日   1:00〜 5:40  C棟 105 講義室座長 宮崎保光(豊橋技科大) C-213.  テープ型光ファイバカプラー・・・・・石黒洋一・笹岡英資・小林勇仁・守屋知巳・○ 瀬村 滋(住友電工) C-214.  テープ型光ファイバカップラ用反射モニタ法・・・・・○ 笹岡英資・石黒洋一・菅沼 寛(住友電工) C-215.  1.3 μm 帯広波長域化マッハツェンダ型合分波器・・・・・○ 荒井英明・上塚尚登・岡野広明・塩田恒夫(日立電線) C-216.  2心光アイソレータの試作と諸特性・・・・・○ 平井 茂・石川真二・柿井俊昭・金森弘雄(住友電工) C-217.  小型2×2単一モードメカニカル光スイッチ・・・・・吉川知宏・田沼清一・○ 内山 武(ナステック) ・土谷 昭(セイコー電子) C-218.  屈折率分布テーパ導波路における放射損失特性・・・・・○ T. Srinivas ・宮崎保光(豊橋技科大) C-219.  微小構造を持つ新形式光導波路の低損失化・・・・・○ 谷口昌弘・井筒雅之(阪大) C-220.  ポリマアレイ導波路回折格子・・・・・○ 肥田安弘・井上靖之・今村三郎(NTT) C-221.  高画質石英系ロッドレンズ(その2) ・・・・・○ 鴫原和宏・鳥谷智晶・中楯健一・妻沼孝司・真田和夫(フジクラ) 休  憩( 3:25 再開) 座長 小柴正則(北大) C-222.  赤外光伝送用ポリイミド樹脂内装銀中空ガラス導波路  ・・・・・○ 加藤祐次・大澤光生・宮城光信・阿部眞一・相澤 勝・小野寺信治(東北大) C-223.  内付け法による樹脂内装銀中空導波路の製作・・・・・○ 大澤光生・加藤祐次・宮城光信・阿部眞一・相澤 勝・小野寺信治(東北大) C-224.  光導波路端面からの放射ビームの先鋭化に関する一考察・・・・・山内潤治・○ 安達 慎・秋元康宏・中野久松(法大) C-225.  アレー導波路回折格子形光合分波器における光周波数特性の向上  ・・・・・○ 山田裕朗・高田和正・井上靖之・日比野善典・堀口正治(NTT) C-226.  多層超薄膜3次元光導波路の導波モード特性− 高次伝送モードのモード結合の検討−  ・・・・・○ 外丸茂樹・大井将人・穴田哲夫・許 瑞邦(神奈川大) C-227.  FD-TD 法によるノッチ付き T 字形ビームスプリッタの解析・・・・・山内潤治・○ 美田 誠・中野久松(法大) C-228.  2 次元及び3次元光導波路解析のための改良形差分ビーム伝搬法・・・・・山内潤治・○ 柴山 純・中野久松(法大) C-229.  改良形交互方向陰的差分法による屈曲した埋め込み形光導波路の解析・・・・・山内潤治・○ 斉藤 修・中野久松(法大) C-230.  実効屈折率高速求解法とその非線形光導波路への適用  ・・・・・○ 大家重明(摂南大) ・里村 裕(阪工大) ・梅田徳男(阪大) ・張 吉夫(阪府大) 9月 26 日   9:00〜12:10  C棟 106 講義室座長 上西克二(東芝) C-231.  3×3カプラを用いた光ファイバジャイロ・・・・・○ 西本征幸・淀 重人(古河電工) C-232.  偏波横モード間の相互干渉による雑音を抑圧した光ファイバブリルアンリングレーザ・・・・・○ 田中洋介・保立和夫(東大) C-233.  シングルモード光ファイバの分布温度計測・・・・・○ 若見俊則・西村正幸・田中 茂・岡本和弘(住友電工) C-234.  1.55μm 帯分布型温度センサの検討・・・・・○ 石井雅典・和田史生・山田 剛(フジクラ) C-235.  ファイバグレーティングを用いた多点ファイバセンサの検討・・・・・茂原政一・井上 享・○ 服部保次(住友電工) C-236.  ファイバグレーティングレーザの間隙計測への応用・・・・・○ 井上 享・茂原政一・服部保次(住友電工) 休  憩(10:40 再開) 座長 井上宏明(日立) C-237.  光変調部の分離による疑似ヘテロダイン干渉計の安定化・・・・・○ 長谷川真也・長島 広・木村 匡・高島 貢(東京農工大) C-238.  コヒーレンス関数の合成・挿引による分布型光ファイバセンサ・・・・・○ 才田隆志・保立和夫(東大) C-239.  低コヒーレンスリフレクトメータを用いた半導体導波路損失の測定・・・・・○ 笠谷和生・吉国裕三・石井啓之・高田和正(NTT) C-240.  新波長可変光源を用いた低コヒーレンスリフトクトメータ・・・・・○ 高田和正・山田裕朗・堀口正治(NTT) C-241.  干渉計用2周波光源モジュールを用いた変位計測システムの構築・・・・・○ 小林 功・名波雅也・宮城幸一郎・谷口 晃(アンリツ) C-242.  光ヘテロダイン法による光薄膜の膜厚と屈折率測定・・・・・○ 高崎孝治・清水延浩・増田千尋・高橋英郎(芝浦工大) 9月 27 日   9:00〜12:10  C棟 106 講義室座長 久間和生(三菱電機) C-243.  高精度光周波数カウンタの検討・・・・・長島伸哉(安藤電気) C-244.  簡易型偏光測定装置・・・・・○ 三上 修(東海大) ・小平 徹(NATC) C-245.  光パワー測定に於ける偏光依存性解消方法の検討・・・・・浅見圭助(安藤電気) C-246.  EO サンプリング法による進行方向電界成分の評価  ・・・・・○ 板谷太郎・中川 格(電総研) ・鹿野文久(小山高専) ・太田公廣・杉山佳延(電総研) C-247.  フォトコンダクターによる光ビーム形状の評価・・・・・○ 佐々木功治・桜井孝夫・八島和範・渡部 隆(アドバンテスト) C-248.  反射光直接検知法による二次元バーコード検知システム・・・・・○ 若海弘夫(都立高専) ・安食 浩(日本電気精器) 休  憩(10:40 再開) 座長 山下 牧(オムロン) C-249.  平板マイクロレンズを用いた文字認識システム−−光ディテクタを含むポストプロセッサ−−  ・・・・・○ 中川 健・片山健夫・伊賀健一(東工大) C-250.  光波コヒーレンス関数の合成による光情報処理− リアルタイムホログラフィを用いた実時間処理−  ・・・・・○ 奥川 徹・保立和夫(東大) C-251.  光制御型ホログラム光スイッチの制御光源出力と出力端子数の関係・・・・・○ 山崎裕史・福島誠治(NTT) C-252.  液晶マイクロプリズムアレイによる微細光ビームインターコネクション・・・・・○ 平林克彦・山本 剛・山口正泰(NTT) C-253.  集束型薄膜導波路を用いた光ニューロ演算素子における SN 比特性・・・・・○ 源 純一・宮崎保光(豊橋技科大) C-254.  集積化光多重コンピューティングのための波長選択素子に関する基礎的考察・・・・・○ 渡辺幸男・青木孝文・樋口龍雄(東北大) 9月 28 日   9:00〜11:55  C棟 106 講義室座長 岡村康行(阪大) C-255.  石英系 PLC を用いた熱光学 16 ×16 マトリックス光スイッチ  ・・・・・○ 奥野将之・加藤勝己・鈴木扇太・大森保治・姫野 明(NTT) C-256.  PLC 1×32 スプリッタの光学特性と信頼性・・・・・○ 塙 文明・日比野善典・高戸範夫・中込 弘(NTT) C-257.  高Δ石英系光導波路を用いた小型集積1×16 光 FDM 合分波回路・・・・・○ 鈴木扇太・井上靖之・小湊俊海(NTT) C-258.  振幅平坦化回路を有する PLC 型分散等化器・・・・・○ 瀧口浩一・岡本勝就(NTT) C-259.  石英系 PLC を用いた光 90 ゜ハイブリッド  ・・・・・○ 井上靖之・高知尾昇・乗松誠司・細矢正風・恒次秀起(NTT) ・秦  進(NEL) 休  憩(10:25 再開) 座長 荒木賢一(通信総研) C-260.  光線路試験用石英系 PLC-WDM カップラ・・・・・○ 高戸範夫・小口泰介・富田信夫・中尾直樹(NTT) C-261.  石英系光導波路の位相誤差評価・・・・・○ 郷 隆司・鈴木扇太・杉田彰夫(NTT) C-262.  石英系 PLC スプリッタモジュールの長期信頼性(2) ・・・・・○ 日比野善典・塙 文明・中込 弘・高戸範夫(NTT) C-263.  高Δ石英系 PLC における光ファイバ接続部の光学特性と信頼性  ・・・・・○ 石井元速・日比野善典・奥野将之・塙 文明・中込 弘(NTT) C-264.  プレーナ型音響光学スイッチにおけるチャネル型導波路によるスイッチング特性  ・・・・・○ 畑山恭徳・宮崎保光・後藤信夫(豊橋技科大) C-265.  テーパ導波路を用いた音響光学素子の試作・・・・・○ 山浦 均・鷹野定郎・丸山 修・山下照夫・池田英一郎・横尾芳篤(HOYA) C− 4. レーザ・量子エレクトロニクス 9月 28 日   9:00〜11:55  C棟 201 講義室座長 鈴木信夫(東芝) C-266.  InGaAs/GaAs 歪量子井戸構造の利得特性・・・・・○ 竹下達也・岡安雅信・奥  哲(NTT) C-267.  − 高感度高利得機能素子− 三角バリア光スイッチ(TOPS) ・・・・・○ 坂田治久・宇高勝之・松島裕一(KDD) C-268.  830 nm 帯半導体レーザにおける光注入による偏光スイッチング  ・・・・・○ 間宮 勝(和泉電気) ・大野誠司・大田建久・一ノ瀬琢美(同志社大) C-269.  633 nmHeNe レーザにおける光注入による偏光スイッチング  ・・・・・○ 大野誠司・大田建久・一ノ瀬琢美(同志社大) ・間宮 勝(和泉電気) C-270.  導波路集積化 MQW-EA 型光変調器・・・・・○ 井戸立身・佐野博久・鈴木 誠・田中滋久・井上宏明(日立) 休  憩(10:25 再開) 座長 今井 元(富士通研) C-271.  1.3 μm 帯光加入者用高抵抗埋め込み送受 LD の受信特性に関する検討  ・・・・・○ 黒崎武志・東盛裕一・中村 誠・木村秀明・松本信一・杉江利彦(NTT) C-272.  110 GHz 動作マッシュルーム構造導波路型 pin フォトダイオード  ・・・・・加藤和利・幸前篤郎・○ 村本好史・板屋義夫・永妻忠夫・矢板 信(NTT) C-273.  選択電気メッキ法によるフリップチップ受光素子の接続パンプ形成  ・・・・・○ 牧内正男・乗松正明・山本直樹・桜井 力・矢野光博(富士通研) C-274.  裏面入射型 InGaAs/InP-pin フォトダイオードのポリイミドによるパッシベーション  ・・・・・○ 山本直樹・乗松正明・牧内正男・矢野光博(富士通研) C-275.  2.5 Gbit/s 光伝送用 InAlAs/InGaAs 超格子 APD  ・・・・・○ 花谷昌一・田中滋久・松岡康信(日立) ・野津千秋(日立デバイス) ・中村 均(日立) C-276.  低電圧動作歪 InAlAs/InGaAs 超格子 APD  ・・・・・花谷昌一・○ 宍倉正人・田中滋久(日立) ・野津千秋(日立デバイス) ・中村 均(日立) 9月 28 日   1:00〜 5:25  C棟 106 講義室座長 伊藤弘昌(東北大) C-277.  光ファイバ非線形定数測定再現性の向上・・・・・○ 加藤孝利・末沢義行・高城政浩・笹岡英資・西村正幸(住友電工) C-278.  導波路結合型 SHG 素子の分散特性・・・・・○ 山内勝弘・宮崎保光(豊橋技科大) C-279.  グレーティング装荷形非線形方向性結合器の特性解析・・・・・○ 蒲 国勝・水本哲弥・伊藤健一郎・東出善樹・内藤喜之(東工大) C-280.  前進形縮退4光波混合を用いた実時間画像伝送・・・・・○ 笠原大輔・柴辻昇彦・大山義博・寺沢仁志・松原三人(日大) C-281.  薄い媒質を用いた前進4波混合の変換効率におけるスポットサイズの影響  ・・・・・○ 金子博之・岡本 淳(北大) ・佐藤邦宏(北海学園大) ・三島瑛人(北大) C-282.  位相演算子の非ユニタリ性を考慮した光子数が少ない場合のスクイズド状態の解析  ・・・・・○ 二瓶裕之(青森能開短大) ・岡本 淳(北大) ・佐藤邦宏(北海学園大) ・三島瑛人(北大) C-283.  Nd:LiTaO3 の CW レーザ発振・・・・・○ Kazi Sarwar Abedin・佐藤 学・伊藤弘昌・福田承生(東北大) C-284.  Ti:サファイアレーザーと半導体レーザーで励起した Nd :KGd (WO4)2 の CW 発振特性  ・・・・・○ ホセ エスメリア Jr.・佐藤 学・伊藤弘昌(東北大) 休  憩( 3:10 再開) 座長 須藤昭一(NTT) C-285.  Gordon-Haus 制限を超えた 20 Gbit/s,3000 km ソリトン伝送・・・・・○ 中沢正隆・鈴木和宣・山田英一・木村康郎(NTT) C-286.  スライディングフィルタの効果を利用した 10 Gbit/s 光ソリトン周回伝送実験・・・・・○ 山岸弘幸・戸田裕之・長谷川晃(阪大) C-287.  フェムト秒ソリトン伝送におけるソリトン間相互作用の偏波依存性・・・・・○ 須川智規・黒河賢二・久保田寛和・中沢正隆(NTT) C-288.  中継増幅を用いた光ソリトン伝送に対するファイバ複屈折の影響・・・・・○ 前田譲治・大越孝敬(東京理科大) C-289.  非線形ループミラーが挿入された伝送系における波長多重ソリトン伝送・・・・・○ 宇田哲也・松本正行・長谷川晃(阪大) C-290.  帯域制限増幅によるサブピコ秒光ソリトンの伝送制御− 摂動逆散乱変換による隣接ソリトン間の相互作用の解析−  ・・・・・○ 丸田章博・長谷川晃(阪大) C-291.  非線形ローレンツ計算モデルの提案並びに光ソリトンのシミュレーションへの応用  ・・・・・○ 阿部宏尹(龍谷大) ・奥田英雄(プリンストン大) C-292.  非線形スラブ導波路曲がり部からのソリトン放出とその伝搬特性・・・・・○ 高桑郁夫・丸田章博(阪大) C-293.  外部位相変調型短光パルス発生における自己相関幅/強度幅比の検討・・・・・尾辻泰一(NTT) 9月 29 日   9:00〜11:55  C棟 106 講義室座長 向井誠二(電総研) C-294.  歪量子井戸レーザにおける TE /TM モード制御・・・・・○ 小川真人・三好旦六(神戸大) C-295.  構造定数による半導体レーザの雑音解析・・・・・○ 中平勝也・大幡浩平・水野秀樹(NTT) C-296.  受動導波路加熱型(HOPE)DBR レーザU・・・・・○ 森  浩・尾登誠一・高橋良夫・小野 純・土屋富志夫・永井治男(アンリツ) C-297.  EPE レーザの光周波数可変範囲拡大の検討・・・・・○ 森永素安・石川正行・鈴木信夫(東芝) C-298.  半導体レーザの直接 FSK 変調時における安定化制御信号の検討・・・・・○ 成田知史・榛葉 實(東京電機大) ・佐藤 孝(新潟大) 休  憩(10:25 再開) 座長 宇治俊男(NEC) C-299.  1.5 μm 帯低しきい値 GRIN-SCH 歪み量子井戸レーザの発振特性・・・・・○ 国井達夫・松井康浩・加藤幸雄・上条 健(沖電気) C-300.  TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ・・・・・○ 粕川秋彦・岩井則広(古河電工) C-301.  逆メサリッジ側壁を有する高出力歪 InGaAsP/Inp MQW リッジ導波路型レーザ  ・・・・・○ 青木雅博・土屋朋信・中原宏治・魚見和久(日立) C-302.  高温動作型全 MOCVD 成長 1.3μm 帯歪 MQW-CBPBH-DFB-LD  ・・・・・○ 山本昌克・魚見和久・依田亮吉・楠 浩典・清野泰夫・佐野茂久・岡井 誠・土屋朋信(日立) C-303.  テーパ導波路 FBH レーザの高温動作・・・・・○ 小林宏彦・江川 満・岡崎二郎・青木 修・荻田省一・雙田晴久(富士通研) C-304.  テーパ導波路 FBH レーザの戻り光雑音特性・・・・・○ 東 敏生・小林宏彦・江川 満・荻田省一・雙田晴久(富士通研) 9月 29 日   1:00〜 5:40  C棟 106 講義室座長 大村悦司(三菱電機) C-305.  動的軸方向ホールバーニングを考慮した相互変調歪特性の解析  ・・・・・○ 鬼頭雅弘・佐藤久直・大塚信之・竹中直樹・石野正人・松井 康(松下電器) C-306.  その場観察 RIBE を用いて作製した 0.98 μm 帯 InGaAs/AlGaAs 歪量子井戸レーザの発振特性  ・・・・・千田浩明・○ 石川 信・浜本貴一・深谷一夫・宮崎 孝(NEC) C-307.  高ファイバ内光出力 0.98 μm 半導体レーザ  ・・・・・島 顕洋・神里 武・武本 彰・唐木田昇一・永井 豊・○ 鴫原君男・大村悦司(三菱電機) C-308.  InGaAsP 障壁層の導入による 0.98 μm 帯 InGaAs/InGaP/GaAs 歪量子井戸レーザの高信頼性動作  ・・・・・○ 豊中隆司・佐川みすず・平本清久・篠田和典・魚見和久・大石昭夫(日立) C-309.  InGaAsP 障壁層を有する 0.98m 帯 InGaAs/InGaP/GaAs レーザの高温高出力特性  ・・・・・○ 佐川みすず・平本清久・豊中隆司・篠田和典・魚見和久(日立) C-310.  (311)A 面 GaAs 基板上に作製した InGaAs/GaAs/AlGaAs 歪み量子井戸レーザの発振特性  ・・・・・○ 高橋光男・Pablo Vaccaro ・藤田和久・渡辺敏英(ATR) ・江川孝志・庭野 裕・梅野正義(名工大) C-311.  全 MOCVD 成長による 1.48 m 帯高出力レーザの信頼性  ・・・・・西村隆司・吉田一臣・谷上依子・鴫原君男・竹見政義・松本啓資・  門脇朋子・大村悦司・○ 相賀正夫・大坪睦之(三菱電機) C-312.  全 MOVPE 成長 1.48 μm 歪 MQW-BHLD ・・・・・○ 篠根克典・金谷康宏・小野 純・菊川知之・土屋富志夫・永井治男(アンリツ) 休  憩( 3:10 再開) 座長 魚見和久(日立) C-313.  有限要素法を用いた長波系面発光レーザの連続動作温度解析・・・・・近藤知信・○ 馬場俊彦(横浜国大) ・伊賀健一(東工大) C-314.  AlGaAs 基板上面発光レーザアレイの特性・・・・・○ 小潰剛孝・大蟻義孝・黒川隆志(NTT) C-315.  垂直共振器型面発光レーザの動特性の温度依存性・・・・・○ 小坂英男・梶田幹浩・川上 威・杉本喜正・笠原健一(NEC) C-316.  金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御・・・・・○ 向原智一・大軒紀之・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-317.  GaN 系面発光レーザ用多層膜反射鏡の基礎的検討・・・・・○ 坂口孝浩・本田 徹・勝部敦史・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-318.  利得帯域拡大による面発光レーザ素子の温度特性の改善  ・・・・・○ 梶田幹浩・川上 威・木村明隆・仁道正明・吉川隆士・杉本喜正・笠原健一(NEC) C-319.  引張り歪量子井戸半導体光増幅器・・・・・○ 尾坪利信・山田敦史・篠根克典・宮城幸一郎・谷口 晃(アンリツ) C-320.  半導体光増幅器の4光波混合特性・・・・・○ 山口優子・尾坪利信・山田敦史・古川 浩・宮城幸一郎・谷口 晃(アンリツ) C-321.  Er 添加ガーネット結晶薄膜を用いた導波路型光増幅素子の特性・・・・・○ 石井公彦・宮崎保光(豊橋技科大) C-322.  超長尺エルビウム添加光アクティブ線路の増幅特性・・・・・○ 木村康郎・吉田英二・中沢正隆(NTT) C− 5. 機構デバイス 9月 26 日   9:00〜11:55  C棟 102 講義室座長 玉井輝雄(兵庫教育大) C-323.  コンタクトの溶着特性測定に関する諸問題・・・・・眞野國夫(眞野研センタ) C-324.  擢動コンタクトの接触抵抗と通電電流の依存性に関する基礎実験・・・・・○ 谷口正成・犬飼智博(名城大) ・高木 相(東北大) C-325.  2台の分光器によるアーク光の分光測定− AgTと Ag Uスペクトルの強度変化− ・・・・・○ 吉田  清・高橋篤夫(日本工大) C-326.  DC 30 V −3Ω回路での Ag/CdO12 wt% 電気接点の責務動作と転移との関係・・・・・○ 窪野隆能・最上正彦(静岡大) C-327.  生体咬合圧信号の検出・・・・・○ 牟田口倫弘(東亜大) ・江藤和夫(大分医大) ・寺石和弘・戸田光明・幡司 明(東亜大) 休  憩(10:25 再開) 座長 渡辺克忠(工学院大) C-328.  装置間高速インタコネクションの一検討・・・・・○ 中村正人・杉浦伸明(NTT) C-329.  高速・高密度コネクタの搭載方法の検討・・・・・○ 岡 宏規・杉浦伸明・安田圭一(NTT) C-330.  コネクタ接点用めっきに関する一考察・・・・・小林徹也・○ 吉野利則・柚木周一・秋山浩一(NEC) C-331.  マイクロマトリクスリレーの研究 ミニチュアモデルによる接点干渉の解析・・・・・○ 保坂 寛・桑野博喜(NTT) C-332.  熱磁化制御マイクロラッチ機構・・・・・○ 橋本 悦・田中秀尚・鈴木与志雄・上西祐司・渡部照憲(NTT) C-333.  光熱効果により駆動された小型ポンプ・・・・・○ 稲葉成基・熊崎裕敦(岐阜高専) ・羽根一博(東北大) C− 6. 電子部品・材料 9月 28 日   9:00〜11:55  C棟 103 講義室座長 中村孔三郎(NTT) C-334.  MOCVD 法による PZT 系強誘電体薄膜の作製とその評価・・・・・○ 中澤秀彦・宮田和雄・竹中 正(東京理科大) C-335.  CB/iPP 複合系における PTC 特性のポリマー微細構造依存性  ・・・・・○ 河内敏秀・金子郁夫(武蔵工大) ・呉 馳飛・住田雅夫(東工大) ・小西睦男(武蔵工大) C-336.  ZnS /p-Si 接合におけるカーボンの影響・・・・・○ 高橋知行・細野浩司・坂内富喜・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) C-337.  ZnS 系蛍光粉体の SiO2 低温コーティング処理・・・・・○ 八木大宇・加々美裕・佐藤淳一・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) C-338.  イオンビームスパッタ ZnS 薄膜における O2 添加効果への不純物濃度の影響  ・・・・・○ 脇坂信治・相上信之・石川武史・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) 休  憩(10:25 再開) 座長 平手孝士(神奈川大) C-339.  ポーラスシリコン層の SEM 観察・・・・・○ 以西雅章・安田俊一・江上 力・荻田正巳(静岡大) C-340.  RF-DC 結合形プラズマ CVD 法による a-Si :H 薄膜の成長速度・・・・・○ 渡辺秀樹・税田博文・田中 武・川畑敬志(広島工大) C-341.  SAW フィルター用 36 ゜Y-X LiTaO3 のキュリー点温度と音速の関係  ・・・・・○ 相川俊一・小穴裕司・酒井雅之・小野正明・藤原嘉朗(富士通) C-342.  Bi 層状構造化合物のコンデンサ材料としての検討・・・・・○ 栗原廣幸・荘司和男・上原康男(足利工大) C-343.  低温硬化型 MCM 用層間絶縁膜材料の開発・・・・・○ 那和一成(住友金属) ・渡辺綾子(住金テクノ) C-344.  フッ素化ポリイミドの電気物性・・・・・○ 中村孔三郎・西 史郎・古谷彰教(NTT) 9月 28 日   1:00〜 5:10  C棟 103 講義室座長 冨室 久(NTT) C-345.  半導体パッケージにおけるリードフレーム材料の検討・・・・・○ 宮本隆春・樋口 努・宮川文雄(新光電気工業) C-346.  メタルフレームパッケージのフレーム折り曲げ加工・・・・・○ 田中 豊・樋口 努・宮川文雄(新光電気工業) C-347.  多段バンプセラミック BGA の開発・・・・・○ 櫻井雅也・杣木基晃・藤田義昭・宇都宮次郎(沖電気) C-348.  転写型微小はんだバンプを用いた接続技術の検討(その1) ・・・・・○ 恒次秀起・細矢正風・林  剛(NTT) C-349.  微細打ち抜き法によるはんだバンプ形成技術・・・・・○ 上岡義人・加藤芳正・河野英一・萩本英二(NEC) C-350.  高密度高温はんだバンプ技術の検討・・・・・○ 村石光優・浅井正男・小里貞二郎・渋谷 仁・大貫康英(沖電気) C-351.  直接描画方式によるパターン形成技術・・・・・○ 須山孝行・嶋田勇三・佐々木晶裕(NEC) C-352.  通信系装置の架内空気温度センス法に関する一検討・・・・・○ 岩田敏行・岸本 亨(NTT) 休  憩( 3:10 再開) 座長 金森孝史(沖電気) C-353.  サーマルビアを用いた MCM 放熱法の検討・・・・・○ 松本一宏・久野勝美・羽成 淳・吉原邦夫(東芝) C-354.  MCM 用高速・小形パッケージ・・・・・○ 山口 悟・大野幸春・富室 久(NTT) C-355.  高速スイッチ MCM のヒートパイプ冷却・・・・・○ 海津勝美・岸本 亨・佐々木伸一・源田浩一(NTT) C-356.  高速 ATM スイッチ用マルチチップモジュール・・・・・○ 佐々木伸一・岸本 亨・海津勝美・源田浩一(NTT) C-357.  VIA 等価回路モデルの一検討・・・・・○ 山中弘三・菊地利幸・黄 一洲・山田光秀(沖電気) C-358.  3次元配線パターンに用いる VIA の伝送特性・・・・・○ 永田欣司・宮本隆春・宮川文雄(新光電気工業) C-359.  高速・高周波実基板のアイソレーション特性・・・・・○ 中島茂生・永田欣司・宮川文雄(新光電気工業) C-360.  光硬化性樹脂を用いたソルダレス持続方式による薄膜磁気ヘッド実装技術  ・・・・・○ 西原和成・長尾浩一・藤本博昭・畑田賢造(松下電器) 9月 29 日   9:00〜11:40  C棟 103 講義室座長 野沢敏矩(NTT) C-361.  熱可逆性記録材料を用いたリライタブル OHP シート・・・・・○ 岡田幸久・岡部 豊・西岡洋一・関谷健之(沖電気) C-362.  高出力 NiFeCo 合金膜 MR センサ・・・・・○ 辰巳富彦・都倉一嘉・高土平治・石下貴代美・上杉則彦・山田一彦(NEC) C-363.  非晶質 Ni-Cr-Si 合金薄膜の熱処理・・・・・児玉淳一(近畿大) ・○ 小林義博(プラズマ S) ・平山伸司・坪井猛文(近畿大) C-364.  金属グレーズ系厚膜抵抗体の電流雑音の研究  ・・・・・○ 栗田昌昭・金子郁夫(武蔵工大) ・渡辺嘉伸(田中貴金属インターナショナル) ・小西睦男(武蔵工大) C-365.  EB 照射装置による 300 KeV 電子線の試料表面層吸収線量分布・・・・・○ 来島利幸・菅  博(阪工大) ・中瀬吉昭(原子力研) 休  憩(10:25 再開) 座長 金子郁夫(武蔵工大) C-366.  非線形誘電率顕微鏡に関する基礎的検討・・・・・○ 長 康雄・熊丸知之(山口大) C-367.  非線形誘電率顕微鏡に関する基礎的検討・・・・・長 康雄・○ 桐原昭雄・佐伯考央(山口大) C-368.  炭化珪素セラミックスのヒータへの応用・・・・・○ 甲斐哲也・岡野一雄(能開大) C-369.  インジェクション型イオナイザの評価・・・・・○ 水谷 豊・岡野一雄(能開大) C-370.  セラミックエミッタの劣化のメカニズム・・・・・○ 今園浩之・岡野一雄(能開大) C− 7. 磁気記録 9月 26 日   1:00〜 5:25  C棟 202 講義室座長 本多直樹(秋田県高度技術研究所) C-371.  PERM ディスクドライブにおける同期確立高速化の検討・・・・・○ 富崎 止・武田 立(ソニー) C-372.  2ギャップ形記録/再生ヘッドにおけるオフトラック補償の一検討・・・・・○ 大貫善教・世古 悟・武田 立(ソニー) C-373.  大容量フロッピーディスクのための新しいサーボ方式・・・・・○ 瀬尾雄三・芳山龍一・栗山俊彦・有田陽二(三菱化成) C-374.  疲労寿命を考慮した磁気ディスク装置の FPC フォーミング設計法・・・・・○ 多川則男・岩本美佐(NEC) C-375.  非線形記録等化に関する一検討〜MFM 系符号への適用〜・・・・・○ 真島恵吾・小川正一郎・上原年博(NHK) C-376.  VTR におけるディジタル FM 信号処理方式の検討・・・・・○ 白崎義之・畠中惠司・藤原直久・渡部美代一・川辺貞信(三菱電機) C-377.  3/4 インチディジタル VTR における記録帯域の検討・・・・・○ 福地克己・東山泰司・西川泰由(東芝) C-378.  ディジタル VTR における PRML の評価方法に関する検討・・・・・北折昌司(東芝) 休  憩( 3:10 再開) 座長 山本 学(NTT) C-379.  光磁気ヘッドの非点隔差補正・・・・・○ 松井 勉・藤村雄己(NEC) C-380.  回転楕円鏡を用いた光ピックアップ・・・・・○ 江田英世・淺生重晴・天野孝司・増田千尋・高橋英郎(芝浦工大) C-381.  長時間 MO ディスクレコーダ用可変特性等化器の開発・・・・・○ 北原晋一・中村和幸・中西秀一・糸井哲史(NEC) C-382.  高密度光磁気記録用2−3変調符号の提案・・・・・○ 丹羽真裕美・高橋誠一郎・堀 吉宏・伊藤修朗(三洋電機) C-383.  光ディスク用レーザ駆動 LSI の開発・・・・・○ 田口豊喜・長濱哲也・木村 卓(東芝) C-384.  光ディスク装置の 1/8 トラックピッチ位置決め方式・・・・・○ 斉藤 敦・杉山久貴・若林康一郎・前田武志(日立) C-385.  635 nm ピックアップを用いた高密度 CD-ROM の物理フォーマットの検討  ・・・・・○ 土屋洋一・加納康行・山口喜基・梶山清治・多田浩一・寺崎 均・市浦秀一(三洋電機) C-386.  高密度 CD-ROM の超解像再生方式の検討・・・・・○ 高木直之・梶山清治・寺崎 均・土屋洋一・市浦秀一(三洋電機) C-387.  φ2.5 ″高密度 CD-ROM の再生特性の検討  ・・・・・○ 寺崎 均・廣瀬 研・加納康行・山口喜基・梶山清治・土屋洋一・市浦秀一(三洋電機) C−7. 9月 27 日   9:00〜11:55  C棟 202 講義室座長 大沢 寿(愛媛大) C-388.  磁気記録ディジタルニューロ弁別におけるクロック位相ずれ時の弁別特性  ・・・・・○ 吉沢 滋・中條秀彦・秋庭直樹・辻村健一・長島 均・丸藤貴史・木下裕一郎(拓大) C-389.  磁気記録のアナログニューロ弁別における正弦波雑音に対する弁別特性 ・・・・・○ 秋庭直樹・吉澤 滋・中條秀彦・辻村健一・長島 均・木下裕一郎・坪井則昭 C-390.  磁気記録ニューロ弁別における MFM 記録ピークシフト最悪パターン  ・・・・・○ 長島 均・吉澤 滋・中條秀彦・辻村健一・秋庭直樹・種市修浩・黒木佳史(拓大) C-391.  ディジタル磁気記録の4ビット同時ニューロ弁別  ・・・・・○ 辻村健一・吉澤 滋・中條秀彦・秋庭直樹・長島 均・黒木佳史・種市修浩(拓大) C-392.  小規模ニューラルネットの並列多段構成による磁気記録アナログ再生波形の弁別  ・・・・・○ 中條秀彦・吉澤 滋・秋庭直樹・辻村健一・長島 均・坪井則昭・千葉豊治(拓大) 休  憩(10:25 再開) 座長 三田誠一(日立) C-393.  高密度磁気記録用判定帰還型等化方式の検討・・・・・○櫻井 亘・澤口秀樹(日立) C-394.  高密度磁気記録における最尤判定帰還型等化方式の性能解析・・・・・ソ 澤口秀樹・櫻井 亘(日立) C-395.  d ≧1NRZI 符号に対するプリコーダレス PR (1 ,0 ,−1)の適用・・・・・○ 瀬戸山徹・梅本益雄(日立) C-396.  記録再生等化による PRML 方式・・・・・岡本好弘・○ 市原一人・大沢 寿(愛媛大) C-397.  ( 1,7 )RLL 符号に対する PRML 方式の一検討・・・・・○ 岡田 誠・大沢 寿・岡本好弘(愛媛大) C-398.  垂直記録における PRML 方式の誤り率特性に関する一検討  ・・・・・○ 栗原義武(新居浜高専) ・大沢 寿・岡本好弘(愛媛大) ・村岡裕明・中村慶久(東北大) C− 8. 超伝導エレクトロニクス 9月 26 日  10:00〜12:00  C棟 104 講義室座長 山下 努(東北大) C-399.  超伝導量子細線デバイスにおける Andreev 反射電流特性  ・・・・・○ 立花昭彦・福本 岳・生田利昭・阿部浩也・濱崎勝義(長岡技科大) C-400.  超伝導量子細線デバイスの SGS に関する一考察・・・・・○ 福本 岳・立花昭彦・生田利昭・濱崎勝義(長岡技科大) C-401.  GENERALIZED MATHEMATICAL MODEL FOR A JOSEPHSON OSCILLATOR  ・・・・・○ P.R. Winning(Ministry of Posts and Telecom m)・M. NAKAJIMA (京大) ・  B. Komiyama (Ministry of Posts and Telecom m) C-402.  電流源の等価回路のエネルギー・・・・・○ 中山明芳(神奈川大) ・岡部洋一(東大) C-403.  超伝導薄膜のテラヘルツ電磁光波特性・・・・・○ 佐藤 潤・大野 潤・大沼俊朗(東北大) C-404.  給電線引き込み構造によるディスクフィルタのリップル低減・・・・・○ 林  剛・三日月哲郎・鈴木尚文・永井靖浩(NTT) C-405.  3共振法による3枚の YBCO 膜の表面抵抗の分離測定・・・・・○ 小谷暁彦・小林禧夫(埼玉大) C-406.  YBCO を装荷した YIG 薄膜における表面磁波の遅延特性・・・・・○ 福迫 武・堤  誠(京都工織大) C− 9. 電子ディスプレイ 9月 26 日   1:00〜 3:00  C棟 203 講義室座長 内田龍男(東北大) C-407.  DQF 電子銃のダイナミック感度向上・・・・・○ 菅原 繁・木宮淳一・蒲原英治・福田久美雄(東芝) C-408.  高コントラスト低反射型カラーディスプレイ管・・・・・小野寺誠・伊藤武夫・○福田久美雄(東芝) C-409.  AC-PDP の MgO スクリーン印刷保護膜におけるバインダーの添加効果・・・・・○ 小岩一郎・金原隆雄・見田充郎(沖電気) C-410.  EL 素子の等価回路に関する考察・・・・・○ 長田雅彦・木下弘之・秋田成行・服部 正(日本電装) C-411.  圧電トランスインバータによる冷陰極管の2灯直列駆動・・・・・萩原述史・○ 鈴木義久(防衛大) C-412.  右/左旋性層を直接積層した高分子分散型コレステリック液晶・・・・・○ 加藤謹矢・田中敬二・津留信二(NTT) C-413.  フィルム LCD 用微細ピッチ実装技術・・・・・○ 吉田芳博・岩渕寿章・桑崎 聡・岩田和志(リコー) C-414.  AV 用 TFT 液晶ディスプレイにおけるデータ表示の最適駆動法  ・・・・・櫻井俊之・太田隆滋・○ 福島恵一・谷村益二・安田修平(シャープ) C− 10.  電子デバイス 9月 28 日   9:00〜11:55  C棟 202 講義室座長 横尾邦義(東北大) C-415.  空気中試料観測用電子顕微鏡の可能性・・・・・○ 熊野秀昭・来島利幸・小寺正敏・菅  博(阪工大) C-416.  マグネトロン形導波管を用いたサイクロトロン高次高調波ペニオトロンの動作モード  ・・・・・石原 剛・寒河江克己・嶋脇秀隆・佐藤信之・○ 横尾邦義(東北大) ・小野昭一(アルプス電気) C-417.  DBS 搭載用 22 GHz 帯 300 W 級 TWT の環境試験  ・・・・・青木康浩・山本哲生(SCR) ・中川 仁・森下洋治(NHK) ・○ 田中 豊・杉森欣三(東芝) C-418.  THz 帯検出器/ミキサー用ショットキ・ダイオードの開発  ・・・・・○ 鈴木 哲(東北大) ・張 仁治・莅戸立夫(理研) ・水野皓司(東北大) C-419.  三重障壁トンネリングに及ぼす空間電荷の効果・・・・・○ 大谷直毅・細田 誠・渡辺敏英(ATR) 休  憩(10:25 再開) 座長 彦坂康巳(富士通研) C-420.  金属(CoSi2 )/絶縁体(CaF2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価  ・・・・・○ 齋藤 渉・末益 崇・河野義史・渡辺正裕・浅田雅洋(東工大) C-421.  RTD 端子電圧と共鳴準位シフトの間の変換係数・・・・・○ マイク ガルト・古屋一仁・町田信也(東工大) C-422.  半導体中の不純物組織ドーピングによる散乱抑制− 散乱確率の格子構造依存性− ・・・・・○ 亀掛川伸孝・古屋一仁(東工大) C-423.  非線形 HEMT モデルの検討・・・・・○ 廣瀬達哉・常信和清(富士通研) C-424.  回路シュミレータ用 HJFET モデルの高精度化− DC 特性の温度依存性のモデル化−  ・・・・・○ 松野典朗・矢野仁之・樋田 光(NEC) C-425.  ショートチャンネル HEMT のT- sチ性の計算・・・・・○ 中司賢一・岡 芳孝・谷口研二(九大) 9月 28 日   1:00〜 4:40  C棟 202 講義室座長 山崎王義(NTT) C-426.  HJFET におけるドレインラグ現象の大信号等価回路モデル・・・・・○ 国弘和明・大野泰夫(NEC) C-427.  低消費電力 LSI 用 PM-HJFET の試作検討・・・・・○ 浅井周二・河野通久・及川洋一・栗栖正和・金子 信(NEC) 加藤浩之(NEC アイシーマイコンシステム) ・吉田卓克・武田敏行(NEC) C-428.  超高速 IC に向けた 0.1μm GaAsMESFET 技術・・・・・○ 小野寺清光・青山真二・村田浩一・山根康朗・徳光雅美(NTT) C-429.  利得可変 MMIC に適用した完全モノリシック負電圧発生 IC  ・・・・・○ 西田昌生・澤井徹郎・村井成行・東野太栄・原田八十雄(三洋電機) C-430.  0.8 V 低電圧 HEMT プリスケーラ・・・・・○ 宮田忠幸・中舎安宏・渡邊 祐・落水洋聡・黒田 滋・滝川正彦(富士通研) C-431.  48 ps HEMT DCFL NAND 回路・・・・・○ 末広晴彦・宮田忠幸・原 直紀・黒田 滋(富士通研) C-432.  プリスケーラ用低電力フリップフロップの検討・・・・・○ 中舎安宏・宮田忠幸・渡邊 祐・黒田 滋・滝川正彦(富士通研) 休  憩( 2:55 再開) 座長 赤木順子(東芝) C-433.  10 Gbit/s 光伝送用大出力変調器駆動 IC の開発  ・・・・・○ 石川恭輔・今井一男・武鎗良治・松永信敏・村田 淳・八田 康・高橋 靖(日立) C-434.  微小はんだバンプの高周波特性(その1) ・・・・・○ 佐藤信夫・細矢正風・今野理洋・恒次秀起(NTT) ・秦  進(NEL) C-435.  GaAs-HBT 超高速ドライバ IC ・・・・・○ 赤木順子・栗山保彦・杉山 亨・飯塚紀夫・小原正生(東芝) C-436.  40 Gbps HBT ICs (D-type flipflop, Darlington Amplifier, Preamplifier)  ・・・・・○ 栗山保彦・杉山 亨・赤木順子・本郷禎人・飯塚紀夫・津田邦男・小原正生(東芝) C-437.  HBT を用いた高速高出力 IC 用レベルシフト回路・・・・・○ 山内佳紀(NTT) ・佐野正尚(NATC) ・石橋忠夫(NTT) C-438.  AlGaAs/GaAs HBT 20 Gb/s 変調器駆動回路・・・・・○ 永野暢雄・手塚 宏・洲崎哲行・本城和彦(NEC) C-439.  HBT による 10 Gb/s クロック抽出用 IC ・・・・・○ 早田征明・永野暢雄・手塚 宏・洲崎哲行・本城和彦(NEC) 9月 29 日   9:00〜11:55  C棟 202 講義室座長 草野忠四郎(日立) C-440.  プレーナドープ HJFET のノンアロイ接触抵抗率解析・・・・・○ 安藤裕二・水木恵美子・恩田和彦・佐本典彦(NEC) C-441.  高信頼化技術 COMET を用いた高利得低雑音 InAlAs/InGaAs HJFET  ・・・・・○ 恩田和彦・冨士原明・水木恵美子・宮本広信・葛原正明(NEC) C-442.  MoTiPtAu 電極を用いた高信頼ミリ波 HJFET  ・・・・・○ 堀 恭子・恩田和彦・冨士原明・丸橋建一・舟橋政弘・細谷賢一・井上 隆・葛原正明(NEC) C-443.  Ku 帯5W 高効率 HJFET 増幅器・・・・・○ 松永高治・岡本康宏・葛原正明(NEC) C-444.  デジタル対応3V 動作1W 高出力ヘテロ接合 FET・・・・・○ 猪砂佳子・岩田直高・葛原正明(NEC) 休  憩(10:25 再開) 座長 葛原正明(NEC) C-445.  Ku 帯 WSi/Au T 型埋め込みゲート GaAs 高出力 HFET  ・・・・・○ 國井徹郎・河野康孝・宮國晋一・後藤清毅・井上 晃・和泉茂一・奥 友希・服部 亮・高野博三(三菱電機) C-446.  耐熱ゲート GaAs/InGaAs/GaAs MESFET・・・・・○ 山根康朗・杉谷末広・入戸野巧・山崎王義(NTT) C-447.  不等ゲート間隔を用いた高出力 MESFET の特性向上・・・・・岸本恭徳・○ 当山勝利・坂本孝一・福田 進(村田製作所) C-448.  低電圧動作・高出力 WSi/W 二層ゲート SAGFET  ・・・・・○ 笠井信之・伊藤和彦・宮國晋一・前村公正・山本和也・高野博三(三菱電機) C-449.  低電圧動作,高効率 AlGaAs/GaAs HBT  ・・・・・○ 山田 浩(富士通研) ・舘野泰範(富士通) ・加藤眞一・小原史朗・大西裕明・常信和清・藤井俊夫(富士通研) C-450.  AlGaAs/GaAs HBT の過渡応答特性  ・・・・・○ 松林弘人・酒井将行・紫村輝之・中島康晴・三井康郎・石原 理・三井 茂(三菱電機) C− 11.  シリコン材料・デバイスA/B 9月 27 日   9:00〜11:55  C棟 201 講義室座長 三浦義男(日本モトローラ) C-451.  シリコン基板中の低密度微小欠陥の電気的評価・・・・・○ 永見 旭・池内直樹・奥村信夫・松本俊行・大麻隆彦(住友金属) C-452.  高精度二層多結晶シリコン抵抗の開発(1) ・・・・・○ 島本裕巳(日立デバイス) ・柴 健夫・菊池俊之・玉置洋一(日立) C-453.  シリコン・シリコン酸化物界面の観察(1) − 酸化物の赤外分光法−  ・・・・・南條淳二(北見工大) ・冨士川純・○ 冨士川計吉(室蘭工大) ・国松敬二(イムラジャパン) C-454.  シリコン・シリコン酸化物界面の観察(2) − シリコン基板の Raman 散乱−  ・・・・・冨士川計吉・○ 冨士川純・酒井 彰(室蘭工大) ・南條淳二(北見工大) C-455.  多孔質 Si を用いた Si 系光デバイス・・・・・○ 三村秀典(ATR) ・松本貴裕(新日鉄) ・金光義彦(筑波大) 休  憩(10:25 再開) 座長 柴田 直(東北大) C-456.  半導体雷サージ防護素子のサージ耐量・・・・・○ 下田義雄・佐藤秀隆(NTT) C-457.  宅内機器用半導体雷サージ防護素子・・・・・○ 佐藤秀隆・下田義雄(NTT) C-458.  5000 V 高耐圧超薄膜 SOI 素子の数値解析・・・・・○ 舟木英之・大村一郎・中川明夫(東芝) C-459.  振動型シリコンレートセンサの振動子の共振に関する一考察  ・・・・・○ 藤田孝之・小西保司・前中一介(姫路工大) ・塩沢龍雄(多摩川精機) ・前田宗雄(姫路工大) C-460.  シリコンレートセンサにおける加速度感度の理論解析  ・・・・・○ 生野晃良・小西保司・前中一介(姫路工大) ・塩沢龍雄(多摩川精機) ・前田宗雄(姫路工大) C-461.  高速デジタル制御発振回路・・・・・○ 山内重徳・渡辺高元・大塚義則・秋田成行・服部 正(日本電装) C− 12.  集積回路A 9月 28 日   1:00〜 3:55  C棟 204 講義室座長 武谷 健(NTT) C-462.  EB テストシステムにおける画像ベースの自動故障診断法・・・・・○ 久保田英晴・織田貴彦・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-463.  EB テストシステムにおける故障診断のための CAD レイアウトからの回路情報抽出  ・・・・・○ 井口雅保・三浦克介・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-464.  EB テストシステムにおけるプロービング点自動決定アルゴリズム・・・・・○ 中垣 亮・松本 学・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-465.  EB テストシステムにおける保護膜付き VLSI の画質改善・・・・・○ 小林秀人・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-466.  LSI 生産システムにおけるウェーハテスト工程の評価・・・・・○ 中前幸治・藤井正行・阪本 誉・藤岡 弘(阪大) 休  憩( 2:25 再開) 座長 宇佐美光雄(日立) C-467.  SDLM 法閾値電圧定義の検証・・・・・○ 青山一生・道関隆国(NTT) C-468.  TAB ・BGA パッケージ・リードの信号伝送特性・・・・・○ 熊倉豊彦・杉山剛博・新沢正治・所 武彦(日立電線) C-469.  MCM の開発とコンピュータへの適用・・・・・池田博伸(NEC) C-470.  デジタル IC のアナログビヘイビアモデルの検証・・・・・渡辺 隆・斉藤賢一・○ 川俣昇寛・神 吉廣(沖電気) C-471.  分布定数回路モデルを用いた IC パッケージの計算機シミュレーション・・・・・○ 塩屋候治・藤井雅文・山本利重(住友金属) C-472.  プローブカードのクロストークの評価と解析・・・・・○ 岡本秀孝・石原隆子(NTT) C− 12.  集積回路B 9月 26 日   9:00〜11:55  C棟 204 講義室座長 藤田 実(日立) C-473.  CMOS を融合したアクティブプルダウン論理回路・・・・・○ 宇佐美光雄(日立) ・池田隆英(日立デバイス) C-474.  CMOS による高速位相整合回路・・・・・安田禎之(NTT) C-475.  − 0.2 μm バルク CMOS プロセスによる− 新しい超高速スタティック分周器の試作  ・・・・・○ 山本庸介・岡崎幸夫・猪川 洋・小林敏夫(NTT) C-476.  1.8 GHz 16 VMOS 電流モード(MCML)フリップフロップ回路  ・・・・・○ 古田浩一朗・井倉裕之・野村昌弘・水野正之・安彦 仁・岡部一弘・小野篤樹・山品正勝・山田八郎(NEC) C-477.  MTCMOS 回路における遅延時間の温度依存性・・・・・○ 道関隆国・武藤伸一郎(NTT) C-478.  低電圧高速電流モード多値集積回路・・・・・○ 望月 明・羽生貴弘・亀山充隆(東北大) 休  憩(10:40 再開) 座長 榎本忠儀(中大) C-479.  チャージポンプ付き High-Beta BiCMOS (HB-BiCMOS )論理ゲート回路  ・・・・・○ 岡村 均・厚母敬生・武田晃一・高田正日出・今井清隆・木下 靖・山崎 亨(NEC) C-480.  低電圧 Bi CMOS 用チャージポンプ回路・・・・・○ 武田晃一・岡村 均・高田正日出・今井清隆・木下 靖・山崎 亨(NEC) C-481.  高駆動能力階層短絡クロックツリー方式・・・・・○ 野村昌弘・山品正勝・鈴木一正・山田八郎(NEC) C-482.  環状配線を用いたクロック分配手法の検討・・・・・○ 羽田野孝裕・首藤啓樹(NTT) C-483.  クロック信号分離ブロックを用いた 100 MHz データ・シンクロニザー・・・・・○ 張 子誠・李 知漢・浅田邦博(東大) 9月 26 日   1:00〜 5:05  C棟 204 講義室座長 川人祥二(豊橋技科大) C-484.  パイプラインスケジューリングに基づく知能集積システム用 VLSI プロセッサのハイレベルシンセシス  ・・・・・○ 澤野靖明・亀山充隆(東北大) C-485.  Generalized Hough Transform VLSI Processor for Model-Based Edge Detection  ・・・・・○ Muhammad Yusuf・Takahiro Hanyu・Michitaka Kameyama(東北大) C-486.  障害物回避用ロボットビジョン VLSI プロセッサの設計と評価・・・・・○ 荒海雄一・亀山充隆(東北大) C-487.  階層的マニピュレータ表現に基づく干渉チェック VLSI プロセッサのアーキテクチャ・・・・・○ 張山昌論・亀山充隆(東北大) C-488.  ビット並列ブロック並列型 FMPP アーキテクチャをとるプロトタイプ LSI チップの概要  ・・・・・○ 小林和淑・小野寺秀俊・田丸啓吉(京大) 休  憩( 2:25 再開) 座長 青野邦年(松下電器) C-489.  並列信号処理システム用通信プロセッサの設計・・・・・○ 野村 充・藤井哲郎(NTT) C-490.  MPEG2ビデオ符号化ゲートアレイの開発・・・・・○ 野沢善明・仙田裕三・亀谷 潤・桐山 隆(NEC) C-491.  30 ビットパイプラインカウンタ回路・・・・・○ 鈴木一正・山品正勝・中山貴司・井倉裕之・山田八郎(NEC) C-492.  PLL 回路を搭載したマイクロコントローラにおける低消費電力化の検討・・・・・○ 炭田昌哉・三宅二郎・西山 保(松下電器) C-493.  ダブルパストランジスタ論理を適用した高速 108 ビット加算回路・・・・・○ 新保利信・鈴木 誠・大久保教夫・中込儀延(日立) 休  憩( 3:50 再開) 座長 原田義久(豊田中研) C-494.  H.2.6.1 準拠1チップデコーダ LSI の開発  ・・・・・○ 市川正浩・石渡一嘉・杉野貴美広・内田一宣・正村和由(早大) ・榊 直昭(GCT) C-495.  ラッチ型ゲート回路による計算機演算回路のパイプライン・ピッチの短縮化の検討  ・・・・・○ 能州一浩・本間紀之(法大) ・南部博昭・中村 徹(日立) ・後藤英一(理研,神奈川大) C-496.  (1057 ,813 )符号用高速復号 LSI とその誤り訂正能力の評価・・・・・○ 山野浩司・小林和正・国分秀樹(NHK) C-497.  10 Gbit/s シリコンバイポーラゲートアレイ・・・・・○ 川野龍介・富樫 稔・山口 力・小林由治(NTT) C-498.  GaAs スタンダードセルの 10 Gbit/s 光通信用 LSI への適用・・・・・○ 小川康徳・池村国一・関 昇平(沖電気) C− 12.  集積回路C 9月 27 日   9:00〜11:40  C棟 204 講義室座長 後藤源助(富士通研) C-499.  90 Mbps 対応磁気ディスク用信号処理 LSI 向け高精度ウィンドウ調整回路の開発  ・・・・・○ 長谷 健・堀田龍太郎・渡辺国夫・木村 博・中井信明・中井源博(日立) C-500.  第2世代コードレス電話用ベースバンド信号処理 LSI の開発・・・・・○ 楢木俊成・弥永 修・奥秋康幸・山本一成(沖電気) C-501.  非線形量子化器を用いた低消費電力オーバーサンプリング A/D 変換器  ・・・・・○ 林 錠二・崎山史朗・道正志郎・丸山征克・稲垣誠三(松下電器) C-502.  低電圧に適した電流コンパレータ回路・・・・・○ 山口 基・四柳道夫・長谷川寛・曽根一也(NEC) 休  憩(10:10 再開) 座長 岩田 穆(広島大) C-503.  多重キャリア同期検波に基づくウェーブパラレルコンピューティングとその応用・・・・・○ 弓仲康史・青木孝文・樋口龍雄(東北大) C-504.  電流モードアナログ定数数乗算器とその応用・・・・・○ 竹田和行・川人祥二・田所嘉昭(豊橋技科大) C-505.  高速アナログニューラルネット LSI を用いた Winner-Take-All 回路の検討・・・・・○ 鶴巻 渡・坂野寿和・松本隆男(NTT) C-506.  νMOS セルオートマトンによる乱数発生・・・・・○ 亀石浩司・池辺将之・雨宮好仁(北大) C-507.  光による積和演算器の速度性能・・・・・○ 梶野 敦・松浦 真・雨宮好仁(北大) C-508.  酵素の選択性に基づく分子論理素子に関する実験的検討・・・・・○ 日下部憲一・青木孝文・樋口龍雄(東北大) C− 12.  集積回路D 9月 29 日   9:00〜11:25  C棟 204 講義室座長 山田順三(NTT) C-509.  3V 単一電源フラッシュメモリの書込みパルス幅べき乗比印加方式の検討  ・・・・・○ 田中利広・小倉圭介・加藤正高・足立哲生(日立) ・佐伯俊一(日立デバイス) ・久米 均・木村勝高(日立) C-510.  低電圧マイコン搭載用スタック型フラッシュ EEPROM の過消去制御の検討  ・・・・・道山淳児・○ 西田要一(松下電器) ・福本高大・有賀理恵(松下電子) C-511.  3V 単一電源フラッシュメモリのワードデコーダ回路方式の検討  ・・・・・○ 佐伯俊一(日立デバイス) ・田中利広・小倉圭介・加藤正高・足立哲生・久米 均・木村勝高(日立) C-512.  不揮発性強誘電体メモリにおけるプレート線駆動方式・・・・・○ 小池洋紀・木村 亨(NEC) C-513.  3.3 V /5.0 V 共用内部降圧回路・・・・・○ 藤岡伸也・田口眞男(富士通) 休  憩(10:25 再開) 座長 川崎 篤(新日鐵) C-514.  ワード線リセットイコライズによる大容量 SRAM の高速化技術  ・・・・・中村和之・○ 久原 茂・木村 亨・高田正日出・鈴木久満・吉田 宏・山崎 亨(NEC) C-515.  大容量 SRAM における T 型ビット線を用いた階層ビット線構成・・・・・○ 原口喜行・和田知久・浮田 求・西村安正(三菱電機) C-516.  ローカルマッチ線プリチャージ方式による可変長文字列検索連想メモリ・・・・・佐藤 証・○ 新島秀人(日本 IBM) C-517.  可変長文字列検索連想メモリを用いた Lempel-ziv 型高速データ圧縮回路・・・・・○ 佐藤 証・新島秀人(日本 IBM) 9月 29 日   1:00〜 2:15  C棟 204 講義室座長 喜多川儀久(日本テキサスインスツルメンツ) C-518.  マルチプルレジスタ方式によるシンクロナス DRAM の 180 MHz 読み出し動作・・・・・○ 荒木岳史・岩本 久・澤田誠二(三菱電機) 村井泰光(三菱電機エンジニアリング) ・小西康弘・熊野谷正樹(三菱電機) C-519.  動画記憶用大容量メモリに搭載したセルフリフレッシュ回路・・・・・○ 小谷久和・赤松寛範・藤田 勉(松下電器) C-520.  メモリデバイスにおける電荷再利用方式とその最適化・・・・・○ 平野博茂・角 辰己(松下電子) C-521.  ローヤルデータバスに適した電荷再利用型バスアーキテクチャーの提案・・・・・○ 山内寛行・赤松寛範・藤田 勉(松下電器) C-522.  高感度電流形センス回路・・・・・柴田信太郎(NTT) SC− 1. マイクロ波電磁界解析ソフト,回路 シミュレーターの現状と課題 9月 28 日   9:00〜11:15  C棟 102 講義室座長 許 瑞邦(神奈川大) SC- 1- 1.   An Overview of The Sonnet Electromagnetic Analysis  ・・・・・○ 小暮裕明(小暮技術士事務所) ・Dr. James C. Rautio (Sonnet Software Inc.) 休  憩( 9:35 再開) SC- 1- 2.   高周波電磁界解析のニーズと市販解析ソフトの現状・・・・・○ 中本英治・武内 均(日本エムエスシー) SC- 1- 3.   最新の高周波シミュレータの手法とその特徴・・・・・島田寛之(YHP) SC- 1- 4.   永遠の処女問題を解く回路シミュレータの未来・・・・・○ 石井順也・野口泰正・村上和人・本津茂樹(近畿大) SC- 1- 5.   平面導波路の高集積化・高周波化における課題・・・・・厚木和彦(電通大) 9月 28 日   1:00〜 4:30  C棟 102 講義室座長 厚木和彦(電通大) SC- 1- 6.   完全導電性直方体による電磁波散乱の3次元境界要素解析・・・・・○ 真鍋克也(詫間電波高専) ・宮崎保光(豊橋技科大) SC- 1- 7.   回路シミュレータ活用についての一考察・・・・・川崎繁男(東海大) SC- 1- 8.   等価回路に基くマイクロ波回路の解析・合成− ストリップ線回路を中心として−  ・・・・・○ 許 瑞邦・穴田哲夫・小林眞樹・谷浩一郎(神奈川大) SC- 1- 9.   S パラメータを用いた線形 GaAs 増幅器の新設計法・・・・・○ 澤井徹郎・村井成行・山口 勤・原田八十雄(三洋電機) 休  憩( 2:50 再開) 座長 石川容平(村田製作所) SC- 1-10.   電磁界シミュレーションによるプラスチックパッケージの新等価回路決定法  ・・・・・○ 宇田尚典・澤井徹郎・原田八十雄(三洋電機) SC- 1-11.   TM 110 モード誘電体共振器,共振周波数の3DFEM による計算値と実験値の比較  ・・・・・石川容平・五嶋制二・○ 阿部 眞(村田製作所) SC- 1-12.   ギャップ結合構造を用いたコプレーナ線路共振器形バンドパス・フィルタ  ・・・・・○ 北沢祥一・竹田幸弘・三宅秀行(松下日東電器) ・野口泰正(近畿大) SC- 1-13.   有極形コプレーナ線路共振器バンドパス・フィルタ・・・・・○ 和田光司・野口泰正・藤本英昭・石井順也(近畿大) SC− 2. 波長多重(WDM )通信用光デバイス技術 9月 26 日   1:00〜 4:55  C棟 201 講義室座長 北村光弘(NEC) SC- 2- 1.   DBR レーザの発振波長制御・・・・・加藤幸雄・国井達夫・○ 松井康浩・上條 健(沖電気) SC- 2- 2.   MOVPE 選択成長を用いた多波長 MQW-DBR レーザアレイ・・・・・○ 佐々木達也・山口昌幸・石坂政茂・北村光弘(NEC) SC- 2- 3.   熱制御型 SSG-DBR レーザによる狭線幅,広域波長可変動作  ・・・・・○ 石井啓之・狩野文良・東盛裕一・近藤康洋・玉村敏昭・吉国裕三(NTT) SC- 2- 4.   SSG-DBR レーザとアレイ格子型合分波器を用いた 16 チャンネルスイッチング  ・・・・・○ 界 義尚・吉国裕三・立川吉明・石井啓之・鈴木扇太(NTT) 休  憩( 2:50 再開) 座長 永沼 充(NTT) SC- 2- 5.   選択 MOVPE 方による低動作電流型 LD アンプアレイ・・・・・○ 北村昌太郎・小松啓郎・北村光弘(NEC) SC- 2- 6.   フーリエ回折格子を用いた高密度波長多重伝送用デバイス・・・・・○ 飯田正憲・朝倉宏之(松下電器) SC- 2- 7.   フラットな帯域特性を有するアレイ導波路格子・・・・・○ 岡本勝就・山田裕明(NTT) SC- 2- 8.   セリウムドープ YIG 導波路におけるマイクロ波光波長分波特性・・・・・○ 菊地進一郎・宮崎保光(豊橋技科大) SC- 2- 9.   導波路型 WDM 光カプラーの特性・・・・・○ 高柳俊彦・宮崎保光(豊橋技科大) SC− 4. 記録再生機構およびシミュレーション 9月 26 日   9:20〜12:00  C棟 202 講義室座長 早川穆典(ソニー) SC- 4- 1.   薄膜媒体の磁化転移パターンにおける粒子間の交換および静磁気相互作用の影響  ・・・・・○ 田河育也・竹尾昭彦・中村優久(東北大) SC- 4- 2.   3次元計算によるサブミクロン・トラック記録の解析・・・・・○ 清水幸也・田河育也・中村廣久(東北大) SC- 4- 3.   マルチフロントエンドリードアンプによる広帯高出力単磁極ヘッドの検討・・・・・○ 山田 洋・村岡裕明・中村慶久(東北大) 休  憩(10:45 再開) SC- 4- 4.   Fe-Si-N 薄膜を主磁極とする単磁極ヘッド・・・・・○ 高野研一・村岡裕明・中村慶久(東北大) SC- 4- 5.   MIG /薄膜コイルハイブリッドヘッドの電磁変換特性・・・・・○ 丹羽真一・高山昭夫・見内伸彰・佐野章信(ミネベア) SC- 4- 6.   サーマルアスペリティ補償回路方式の検討・・・・・○ 西山延昌・青井 基(日立) SC− 5. 超伝導集積回路 9月 26 日   9:00〜 9:50  C棟 104 講義室座長 道上 修(岩手大) SC- 5- 1.   ジョセフソン BIST システムの設計  ・・・・・○ 橋本義仁・田原修一・永沢秀一(NEC) ・青柳昌宏・仲川 博・黒沢 格・高田 進(電総研) SC- 5- 2.   抵抗接地位相モード論理回路の集積化・・・・・○ 小野美武・水柿義直・中島康治・山下 努(東北大) SC− 6. 液晶ディスプレイとその周辺技術 9月 26 日   3:10〜 5:15  C棟 203 講義室座長 福島正和(日立デバイス) SC- 6- 1.   圧電トランスインバータによる冷陰極管の点灯と調光・・・・・○ 萩原述史・鈴木義久(防衛大) SC- 6- 2.   リタデーションの直接測定による液晶セルのプレチルト角測定  ・・・・・○ 伊藤康尚・中鉢篤志・韓 官栄・宮下哲哉・内田龍男(東北大) SC- 6- 3.   OCB モードの垂直方向の視角特性の改善・・・・・○ 宮下哲哉・郭 振隆・鈴木 信・内田龍男(東北大) SC- 6- 4.   反射式電界制御型複屈折性液晶表示素子・・・・・○ 関 秀廣・増田陽一郎(八戸工大) SC- 6- 5.   AMLCD における新駆動方式の検討  ・・・・・奥村藤男・○ 浅田秀樹・世良賢二・平田和美・倉鍵圭史・平井良彦・金子節夫(NEC) SC− 7. 結晶技術が拓く化合物半導体デバイスの展望 9月 29 日   1:00〜 4:05  C棟 202 講義室座長 野崎真次(電通大) SC- 7- 1.   有機金属気相成長法によるV- X化合物半導体量産コストと製造装置・・・・・松本 功(日本酸素) SC- 7- 2.   高周波 GaAs デバイス用半絶縁性基板およびエピタキシャルウエハ  ・・・・・○ 乙木洋平・目黒 健・坂口春典・高橋 進・隈 彰二(日立電線) SC- 7- 3.   MOVPE 法による AlGaInP 高輝度可視発光ダイオード・・・・・○ 能登宣彦・安富敬三・竹中卓夫(信越半導体) SC- 7- 4.   量子化機能素子のための As-GROWN ナノ構造の作製  ・・・・・○ 武藤俊一・杉山芳弘・佐久間芳樹・中尾 宏・森 俊彦・高津 求・横山直樹(富士通) 休  憩( 2:50 再開) 座長 松本 功(日本酸素) SC- 7- 5.   MOCVD 法を用いた GaAs/Si 上の光・電子デバイス・・・・・○ 江川孝志・長谷川義晃・神保孝志・梅野正義(名工大) SC- 7- 6.   Si-Ge 系ヘテロエピタキシャル成長とその応用・・・・・○ 室田淳一・後藤欣哉・櫻庭政夫・澤田康次(東北大) SC- 7- 7.   青・緑色U-Y族半導体レーザ結晶の MBE 成長・・・・・岸野克己・○ 市村好克・菊池昭彦・吉田篤至(上智大) SC− 9. 高速・小振幅インターフェイス回路技術 9月 27 日   1:00〜 4:40  C棟 201 講義室座長 市野晴彦(NTT) SC- 9- 1.   Rambus インターフェイス回路技術・・・・・○ 高瀬 覚・和田幸夫・古山 透(東芝) SC- 9- 2.   基準電圧の選択幅が広い入力バッファ回路・・・・・○ 樋口 剛・田口眞男(富士通) SC- 9- 3.   高速・小振幅・差動インターフェイス回路技術の実際と動向・・・・・○ 水上雅雄(日立) ・金澤伸朗(日立通信システム) SC- 9- 4.   ALINX :低電圧高速 CMOS インタフェース回路・・・・・○ 富田 敬・横溝幸一・平社隆男・羽賀和清・廣瀬邦治(沖電気) SC- 9- 5.   サブ Vdd インターフェイスを用いた高速 CMOS 論理回路の設計・・・・・○ 張 子誠・浅田邦博(東大) 休  憩( 3:05 再開) 座長 松沢 昭(松下電器) SC- 9- 6.   インパルス伝送型低電力高速 CMOS インタフェース回路・・・・・○ 野河正史・大友祐輔(NTT) SC- 9- 7.   CMOS 小振幅 I/O 消費電力の周波数依存性・・・・・○ 大友祐輔・野河正史(NTT) SC- 9- 8.   低振幅低雑音入出力バッファ回路・・・・・○ 山田八郎・野村昌弘・鈴木一正・山品正勝(NEC) SC- 9- 9.   低電力バイポーラ電流モード I/0 回路  ・・・・・○ 川村智明(NTT) ・鈴木正雄(NTTエレクトロニクステクノロジー) ・市野晴彦(NTT) SC- 9-10.   オンチップ高抵抗配線の高速伝送方式・・・・・○ 山下寛樹・石田利恵子・斉藤達也・中西敬一郎・以頭博之(日立) GC− 1. エレクトロニクスグループ特別講演(予稿なし) 9月 27 日   1:00〜 3:30  C棟 200 講義室司会 遠山嘉一(富士通) GC- 1- 1.   技術の中のエレクトロニクス,生活の中のエレクトロニクス・・・・・餌取章男(三田出版) GC- 1- 2.   バルク結晶時代から多層化薄膜時代へのエボルーション− 電子材料技術にみる新しい流れと波− ・・・・・浜川圭弘(阪大) GC− 2. シリコンチップに人工知能を集積する− 材料デバイスシステムアーキテクチャの新しいパラダイムを求めて 9月 28 日   9:00〜 6:00  C棟 200 講義室座長 荒井英輔(NTT) GC- 2- 1.   極限集積化シリコン知能エレクトロニクス− 限りなく人間に接近するしなやかな情報処理コンピュータ実現を目指して  ・・・・・大見忠弘(東北大) GC- 2- 2.   超並列ビジョンチップアーキテクチャ・・・・・石川正俊(東大) GC- 2- 3.   知能集積システム用スーパーチップアーキテクチャ・・・・・亀山充隆・○ 羽生貴弘(東北大) 休  憩(11:00 再開) GC- 2- 4.   適応デバイスと教師無し学習による自己組織化・・・・・○ 米津宏雄・辻 清孝(豊橋技科大) GC- 2- 5.   自律的構造形成プロセスへのアプローチ・・・・・○ 鶴島稔夫・佐道泰造・中島 寛(九大) ・金山敏彦(融合研) 昼  食( 1:30 再開) 座長 大見忠弘(東北大) GC- 2- 6.   新しい機能メモリー演算機能を持つメモリ・・・・・田丸啓吉(京大) GC- 2- 7.   ソフトコアプロセッサによるハードウェア/ソフトウェア同時協調設計・・・・・安浦寛人(九大) GC- 2- 8.   素子微細化の諸問題とバリスティック MOSFET ・・・・・名取研二(筑波大) 休  憩( 3:30 再開) GC- 2- 9.   強誘電体薄膜を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性・・・・・○ 石原 宏・徳永永輔(東工大) GC- 2-10.   シリコン・デバイスにおけるカオス− メカニズムの解明から応用へ− ・・・・・鳳紘一郎(東大) GC- 2-11.   4端子デバイス・ニューロン MOSFET で実現する知的情報処理電子回路・・・・・○ 柴田 直・大見忠弘(東北大) 総合討論   5:15〜 6:00司会 桝岡富士雄(東芝) PC− 1. 機構デバイス(リレー,スイッチ,電気・ 光コネクタなど)の上手な使い方 9月 26 日   1:00〜 5:00  C棟 102 講義室座長 若月 昇(富士通) PC- 1- 1.   電気接点の深淵に向けて 特別講演 ・・・・・高木 相(東北大) PC- 1- 2.   輸送システムにおける機構デバイスの使われ方と問題点 シンポジウム講演 ・・・・・坪井正男(前帝京大) PC- 1- 3.   通信情報機器における機構デバイスの使われ方と問題点 シンポジウム講演 ・・・・・葛西 誠(富士通) PC- 1- 4.   伝送機器における光デバイス使用上の留意点 シンポジウム講演 ・・・・・森本芳隆(NEC) TC− 1. 超短光パルステクノロジー(予稿なし) 9月 26 日   1:00〜 4:10  C棟 200 講義室座長 小林哲郎(阪大) TC- 1- 1.   Introductory Tolk ・・・・・小林哲郎(阪大) TC- 1- 2.   半導体レーザのパルス圧縮とその応用・・・・・○ 神谷武志・土屋昌弘(東大) TC- 1- 3.   フェムト秒光パルスの発生・・・・・山下幹夫(北大) TC- 1- 4.   超短光ソリトンとその制御・・・・・松本正行(阪大) TC- 1- 5.   超高速光伝送技術・・・・・川西悟基(NTT) TC− 2. 計算電磁気学入門 9月 27 日   9:00〜12:00  C棟 200 講義室座長 橋本正弘(阪電通大) TC- 2- 1.   計算電磁気学入門/総論・・・・・橋本正弘(阪電通大) TC- 2- 2.   時間領域差分法・・・・・生野浩正(熊本大) TC- 2- 3.   境界要素法・・・・・森田長吉(千葉工大) 休  憩(10:40 再開) 座長 生野浩正(熊本大) TC- 2- 4.   有限要素法・・・・・小柴正則(北大) TC- 2- 5.   点整合法・・・・・○ 日向 隆・細野敏夫(日大) TC- 2- 6.   モード整合法:安浦の方法と関連する手法・・・・・奥野洋一(熊本大) TC− 3. 分子電子デバイスに向けての材料評価技術と その応用 9月 28 日   1:00〜 5:20  C棟 201 講義室座長 工藤一浩(東北大) TC- 3- 1.   有機超薄膜の微小電流評価・・・・・岩本光正(東工大) TC- 3- 2.   有機超薄膜,分子膜の電気的過渡応答評価・・・・・斉藤和裕(電総研) TC- 3- 3.   有機超薄膜の作製と評価・・・・・原 正彦(理化学研) TC- 3- 4.   高分子超薄膜・分子組織体の機能化・・・・・宮下徳治(東北大) 休  憩( 3:15 再開) 座長 岩本光正(東工大) TC- 3- 5.   有機薄膜発光デバイス・・・・・城戸淳二(山形大) TC- 3- 6.   ミクロペンタジェン/ジアミン誘導体量子井戸構造の量子サイズ効果と EL 発光  ・・・・・○ 大森 裕・森嶋哉圭・吉田正義・藤井彰彦・吉野勝美(阪大) 休  憩( 4:20 再開) 座長 大森 裕(阪大) TC- 3- 7.   有機超薄膜の機能性と分子電子デバイス・・・・・工藤一浩(千葉大) TC- 3- 8.   単電子トンネリングと分子電子デバイスへの応用・・・・・和田恭雄(日立)