下記の通り北海道大学で講演会が開催されますのでご案内いたします．皆様のご参加をお待ちしております．
日時
2019年12月4日(水) 15:30-17:00
場所
北海道大学 大学院情報科学研究院棟 A-24講義室
講演題目
高機能ハフニウム系薄膜を用いた新構造不揮発性メモリの研究
講師
大見俊一郎先生(東京工業大学)
講演概要
情報通信機器の発展に伴い，高性能な不揮発性メモリの需要が高まっている．本講演では， ハフニウム系薄膜の多様な機能を利用した不揮発性メモリとして，MONOS型メモリ，強誘電体ゲート トランジスタ(FeFET)，およびMONOS構造の電荷蓄積特性と強誘電体の分極特性を融合したFeNOSに関して概説する．
世話人
葛西誠也（北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター）