| No | 263776 |
|---|---|
| 標題（和） | 3D-ICにおける電源TSVの抵抗性オープン故障の検出手法 |
| 標題（英） | Detecting Resistive-Open Defects of Power TSVs in 3D-ICs |
| 研究会名（和） | 通信方式, 回路とシステム |
| 研究会名（英） | Communication Systems, Circuits and Systems |
| 開催年月日 | 2020-02-27 |
| 終了年月日 | 2020-02-28 |
| 会議種別コード | 5 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CAS2019-104, CS2019-104 |
| 抄録（和） | 電源マイクロ・バンプ間の抵抗を測定することにより電源TSVの抵抗性オープン故障を検出する方法を提案する．\r\n従来の電源TSVのテスト手法では完全オープン故障しか考慮されていなかったが，これを修正して抵抗性オープン故障も扱えるようにする．\r\nTSVの抵抗が増加した時にマイクロ・バンプ間の抵抗も単調に増加する特性を利用し，\r\n故障とみなすオープン抵抗の最小値$R_{¥it min}$を定義して，統計的故障シミュレーションを行う際に故障したTSVの抵抗として$R_{¥it min}$を用いる．\r\n2つのダイから構成される3D-ICの例を用いたシミュレーション結果では，\r\n提案手法によって電源TSVの抵抗性オープンを検出できることができた．\r\nただし$R_{¥it min}$を小さくするにしたがい故障検出率は低下する． |
| 抄録（英） | A method is proposed which detects resistive-open defects of power TSVs in PDNs by measuring resistance between power micro-bumps. \r\nUtilizing the monotonically increasing property of the measured resistance between power micro-bumps when the resistance of TSV under test increases,\r\nthe method defines the minimum defective resistance $R_{¥it min}$ of TSVs and uses it as the resistance of defective TSV in statistical fault simulations.\r\nSimulation results of a 3D-IC example with two dies show that the proposed method can detect resistive opens although defect coverage is decreased when $R_{¥it min}$ is decreased. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.119, No.423,424 |
| ページ開始 | 37 |
| ページ終了 | 41 |
| キーワード（和） | 3D-IC,TSV,電源分配網のテスト,抵抗性オープン故障 |
| キーワード（英） | 3D-IC,TSV,testing power distribution network,resistive open defect |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 蜂屋孝太郎 |
| 著者（ヨミ） | ハチヤ コウタロウ |
| 著者（英） | Koutaro Hachiya |
| 所属機関（和） | 帝京平成大学 |
| 所属機関（英） | Teikyo Heisei University |
| 著者（和） | 黒川敦 |
| 著者（ヨミ） | クロカワ アツシ |
| 著者（英） | Atsushi Kurokawa |
| 所属機関（和） | 弘前大学 |
| 所属機関（英） | Hirosaki University |