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No 200498
標題(和) 直列均等分圧回路における基板バイアス効果の補正
標題(英) The Compensation of Back-Gate Modulation Due to the Body Effect in Series-Connected Voltage-Balancing Circuit
研究会名(和) 信号処理, 回路とシステム, 通信方式
研究会名(英) Signal Processing, Circuits and Systems, Communication Systems
開催年月日 2010-03-01
終了年月日 2010-03-02
会議種別コード 5
共催団体名(和)
資料番号 CAS2009-136, SIP2009-181, CS2009-131
抄録(和) 近年,高速・高集積化目的のトランジスタ微細化が進みトランジスタの耐圧が低下し,光ファイバ通信で用いる光変調器や,可視光通信で用いるLEDなど,高速・高出力が求められるドライバの設計が困難になりつつある.この問題を解決するために直列均等分圧回路の検討が行われている.直列均等分圧回路はトランジスタを縦積みすることにより,トランジスタ段数倍の振幅を得ることができる.しかし,CMOSプロセスを用い直列均等分圧回路を設計すると,基板バイアス効果により上段のトランジスタのしきい値が変化し,各トランジスタの振幅のバランスが崩れてしまう.本研究では0.18-μm CMOSプロセスを用いた直列均等分圧回路の基板バイアス効果を補正することにより良好な均等分圧動作が可能なことを回路シミュレーションにより示す.
抄録(英) In recent years the design of driver circuits for optical modulator in fiber-optic communication system or light emitting diode (LED) in visible light communication system is increasingly difficult. This is due to the breakdown voltage decrease of recent miniaturized transistors for the purpose of high-speed operation and high-integration. The series-connected voltage-balancing (SCVB) circuit is studied so as to solve this problem. The voltage swing of n-stage SCVB circuit outputs n-times voltage swing of that for a single transistor. However, the balance of voltage swings of the transistors used in SCFB circuit loses due to back-gate modulation caused by the body effect if the SCFB circuit is applied to CMOS process. In this study we propose the design method of SCFB circuit when it is applied to 0.18-m CMOS process. As a result, circuit simulation reveals that correction of gate biasing compensates the back-gate modulation due to the body effect and makes an SCFB circuit operate in good voltage-balancing condition.
収録資料名(和) 電子情報通信学会技術研究報告
収録資料の巻号 Vol.109, No.434,435,436
ページ開始 273
ページ終了 278
キーワード(和) 基板バイアス効果,CMOS,直列均等分圧回路,可視光通信,駆動回路
キーワード(英) body effect,CMOS,Series-connected voltage-balancing circuit,visible light communication,driver
本文の言語 JPN
著者(和) 真鍋貴俊
著者(ヨミ) マナベ タカトシ
著者(英) Takatoshi Manabe
所属機関(和) 東京理科大学
所属機関(英) Tokyo University of Science
著者(和) 楳田洋太郎
著者(ヨミ) ウメダ ヨウタロウ
著者(英) Yohtaro Umeda
所属機関(和) 東京理科大学
所属機関(英) Tokyo University of Science
著者(和) 田久修
著者(ヨミ) タキュウ オサム
著者(英) Osamu Takyu
所属機関(和) 東京理科大学
所属機関(英) Tokyo University of Science

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