| No | 125461 |
|---|---|
| 標題（和） | プラズマエッチングプロセスの課題と今後の展開 |
| 標題（英） | High-Performance and Damage-free Plasma Etching Processes for Future ULSI Patterning |
| 研究会名（和） | シリコン材料・デバイス |
| 研究会名（英） | Silicon Devices and Materials |
| 開催年月日 | 2000-10-19 |
| 終了年月日 | 2000-10-20 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | SDM2000-142 |
| 抄録（和） | プラズマエッチング技術におけるブレークスルーとして提案された、(1)タイムモジュレーションプラズマ、(2)UHFプラズマ、(3)選択ラジカル生成法に関して紹介した。電子エネルギー分布とガス分子構造の最適化によりプラズマ中の活性種の制御が実現でまるようになってきた。今後は、その活性種をプラズマからどのように基板に輸送するかという課題が残っている。原子オーダーの加工を実現するためには、活性種の選択と加速エネルキー、方向性の制御が必要不可欠であり、ビーム技術と組あわせて、更なる高精化へのチャレンジが必要となってくる。 |
| 抄録（英） | To breakthrough the problems in ULSI devices, three novel etching techniques, such as (1) pulse-time-modulated plasma, (2)ultra-high frequency plasma source with a spokewise antenna, and (3) a new radical-injection-method with non-perfluorocarbon gas chemistries, have been developed. This paper reviews the role of these techniques. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.100 No.373,374 |
| ページ開始 | 1 |
| ページ終了 | 8 |
| キーワード（和） | 大口径化 |
| キーワード（英） | Lavge-Scale Plasma Source |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 寒川誠二 |
| 著者（ヨミ） | サムカワセイジ |
| 著者（英） | Samukawa Seiji |
| 所属機関（和） | 東北大学流体科学研究所 |
| 所属機関（英） | Institute of Fluid Science, Tohoku University |