| No | 117983 |
|---|---|
| 標題（和） | 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討 |
| 標題（英） | Theoretical analysis of band structure of strained β-FeSi_2 |
| 研究会名（和） | 電子デバイス; 電子部品・材料; シリコン材料・デバイス |
| 研究会名（英） | Electron Devices; Component Psrts and Materials; Silicon Devices and Materials |
| 開催年月日 | 2000-05-18 |
| 終了年月日 | 2000-05-19 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | ED2000-31,CPM2000-16,SDM2000-31 |
| 抄録（和） | β-FeSi_2のバンド構造を第1原理計算により理論的に検討した。バンド構造に与える格子歪の影響について、各々の結晶軸に対して検討を行なった。無歪の状態では、バンド構造は、価電子帯の頂部がY点、伝導体の底がΓ-Z間に存在する間接遷移であった。結晶のa軸の方向に引張り歪が加わった場合あるいは、c軸方向に圧縮歪が加わると、価電子帯の頂部がΓ-Z間に変化して、直接遷移に変化することがわかった。また、Si(100)に整合させた場合、b、c軸が圧縮、a軸が伸長するため直接遷移となることが分かった。 |
| 抄録（英） | Effect of lattice strain on the band structure of b-FeSi2 is investigated by using first principle calculation based on the density function theory. The band structure is indirect when the crystal is strain free. On the other hand, the band structure changes to direct transition, if the a-axis is stretched or c-axis is compressed. In the case of b-FeSi2 psuedomorphic layer grown on Si (100), the predicted band structure is direct transition. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.100 No.57〜62 |
| ページ開始 | 13 |
| ページ終了 | 17 |
| キーワード（和） | 格子歪 |
| キーワード（英） | lattice strain |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | Wu,Xiaoping |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 豊橋技術科学大学 |
| 所属機関（英） | Toyohashi University of Technology |
| 著者（和） | 吉田明 |
| 著者（ヨミ） | ヨシダアキラ |
| 著者（英） | Yoshida Akira |
| 所属機関（和） | 豊橋技術科学大学 |
| 所属機関（英） | Toyohashi University of Technology |
| 著者（和） | 若原昭浩 |
| 著者（ヨミ） | ワカハラアキヒロ |
| 著者（英） | Wakahara Akihiro |
| 所属機関（和） | 豊橋技術科学大学 |
| 所属機関（英） | Toyohashi University of Technology |
| 著者（和） | 土屋健司 |
| 著者（ヨミ） | ツチヤケンジ |
| 著者（英） | Tsuchiya Kenji |
| 所属機関（和） | 豊橋技術科学大学 |
| 所属機関（英） | Toyohashi University of Technology |