| No | 114699 |
|---|---|
| 標題（和） | 新たな製造方法により得られた高特性低温ポリSi-TFT |
| 標題（英） | High Performance Low Temperature Poly-Si TFT Obtained by a New Fabrication Method |
| 研究会名（和） | 電子ディスプレイ |
| 研究会名（英） | Electronic Information Displays |
| 開催年月日 | 1999-10-21 |
| 終了年月日 | 1999-10-22 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | SID |
| 資料番号 | EID99-54 |
| 抄録（和） | 新規ELAプロセスによる高品質poly-Si膜の形成と、poly-Si膜とゲート絶縁膜の連続形成プロセスの開発により、285cm^2/Vsの高い移動度を有する高性能のTFTを実現することができた。新開発クラスタータイプの装置を用い、ELAプロセス後、界面を大気にさらさず、ゲート絶縁膜を形成し、清浄な界面を実現した。ELAプロセスは、H_2ガス中2μmピッチの走査照射を用い、従来法に比べて高い特性が得られた。また、均一性も従来方法に比べて高く、生産上広いプロセスマージンを実現することができた。 |
| 抄録（英） | We obtained high performance poly-Si TFTS with a new fabrication method based on a new excimer laser annealing (ELA) process followed by a successive deposition process. The interface was free from contamination as the gate insulator was deposited on the poly-Si just after the annealing process with our newly developed cluster type of apparatus. The ELA process was done in H_2 gas atmosphere with the scanning pitch of the laser beam as small as 2 μm. Large silicon grains up to 4 μm were obtained without significant increase of the surface roughness. Average electron mobility of 285 cm^2/Vs was obtained with good uniformity within a substrate and was found to show a moderate dependence on the laser energy density. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.99 No.374,375 |
| ページ開始 | 45 |
| ページ終了 | 49 |
| キーワード（和） | ゲート絶縁膜 |
| キーワード（英） | gate insulator |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 西谷幹彦 |
| 著者（ヨミ） | ニシタニミキヒコ |
| 著者（英） | Nishitani Mikihiko |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 筒博 |
| 著者（ヨミ） | ツツヒロシ |
| 著者（英） | Tsutsu Hiroshi |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 武富義尚 |
| 著者（ヨミ） | タケトミヨシナオ |
| 著者（英） | Taketomi Yoshinao |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 後藤正志 |
| 著者（ヨミ） | ゴトウマサシ |
| 著者（英） | Gotoh Masashi |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 坂井全弘 |
| 著者（ヨミ） | サカイマサヒロ |
| 著者（英） | Sakai Masahiro |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 山本睦 |
| 著者（ヨミ） | ヤマモトマコト |
| 著者（英） | Yamamoto Makoto |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |
| 著者（和） | 西谷輝 |
| 著者（ヨミ） | ニシタニヒカル |
| 著者（英） | Nishitani Hikaru |
| 所属機関（和） | 松下電器産業 |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial |